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RB481K
二极管
肖特基二极管
RB481K
！应用
低电流整流
！外部
尺寸
（单位：毫米）
1.25±0.1
0.6
0.3±0.1
0.65
0.2±0.1
0.9±0.1
0.7
(1) (4)
1.25±0.1
2.1±0.1
(2) (3)
0.2±0.1 0.2±0.1
0.65 0.65
1.25±0.1
2.0±0.2
(1)
(4)
0.15±0.05
0.1Min.
！建设
硅外延平面
(2)
(3)
ROHM ： UMD4
EIAJ ： SC - 82
！绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
峰值反向电压
采用直流反接电压
意思是整流电流
峰值正向浪涌电流
结温
储存温度
60赫兹1
符号
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
Tj
TSTG
范围
30
30
0.2
1
125
40~+125
单位
V
V
A
A
°C
°C
！电
特征
（ TA = 25° C除非另有说明）
参数
正向电压
符号
V
F
1
V
F
2
V
F
3
V
F
4
反向电流
I
R
分钟。
典型值。
0.18
0.25
0.34
0.40
3.6
马克斯。
0.28
0.33
0.43
0.50
30
单位
V
V
V
V
A
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=200mA
V
R
=10V
条件
3 U
！特点
1 ）体积小。
2）高可靠性。
3 ）极低的正向电压。
4）这是一个复合部件，是理想的
减少所使用部件的数目。
0~0.1
RB481K
二极管
！电
特性曲线
(Ta=25°C)
Ta=125C
正向电流：我
F
(A)
反向电流：我
R
(A)
100m
10m
T
a
=
1m
75C
100
10
1
100n
10n
0
10
20
30
反向电压： V
R
(V)
25C
25C
电容之间端子：C
T
（PF ）
1
10m
100
5
1
2
C
C
7
5
2
5
2
5
C
C
1m
100
10
1
0
0.1
10
1
0
5
10
15
20
25
30
35
反向电压： V
R
(V)
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
正向电压： V
F
(V)
图。 1正温度
特征
图。 2反向温度
特征
图。 3间电容
终端特征
RB481K
二极管
肖特基二极管
RB481K
！应用
低电流整流
！外部
尺寸
（单位：毫米）
1.25±0.1
0.6
0.3±0.1
0.65
0.2±0.1
0.9±0.1
0.7
(1) (4)
1.25±0.1
2.1±0.1
(2) (3)
0.2±0.1 0.2±0.1
0.65 0.65
1.25±0.1
2.0±0.2
(1)
(4)
0.15±0.05
0.1Min.
！建设
硅外延平面
(2)
(3)
ROHM ： UMD4
EIAJ ： SC - 82
！绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
峰值反向电压
采用直流反接电压
意思是整流电流
峰值正向浪涌电流
结温
储存温度
60赫兹1
符号
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
Tj
TSTG
范围
30
30
0.2
1
125
40~+125
单位
V
V
A
A
°C
°C
！电
特征
（ TA = 25° C除非另有说明）
参数
正向电压
符号
V
F
1
V
F
2
V
F
3
V
F
4
反向电流
I
R
分钟。
典型值。
0.18
0.25
0.34
0.40
3.6
马克斯。
0.28
0.33
0.43
0.50
30
单位
V
V
V
V
A
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=200mA
V
R
=10V
条件
3 U
！特点
1 ）体积小。
2）高可靠性。
3 ）极低的正向电压。
4）这是一个复合部件，是理想的
减少所使用部件的数目。
0~0.1
RB481K
二极管
！电
特性曲线
(Ta=25°C)
Ta=125C
正向电流：我
F
(A)
反向电流：我
R
(A)
100m
10m
T
a
=
1m
75C
100
10
1
100n
10n
0
10
20
30
反向电压： V
R
(V)
25C
25C
电容之间端子：C
T
（PF ）
1
10m
100
5
1
2
C
C
7
5
2
5
2
5
C
C
1m
100
10
1
0
0.1
10
1
0
5
10
15
20
25
30
35
反向电压： V
R
(V)
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
正向电压： V
F
(V)
图。 1正温度
特征
图。 2反向温度
特征
图。 3间电容
终端特征
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REG102UA-5/2K5
RBM-1212D
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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