【数据表肖特基二极管RB425D■应用低功耗整改尺寸（单位：毫米）Land尺寸图（单位：毫米）1.92】,IC型号RB425DT146,RB425DT146 PDF资料,RB425DT146经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

肖特基二极管

RB425D

■应用

低功耗整改

尺寸

（单位：毫米）

Land

尺寸图

（单位：毫米）

1.9

2.8±0.2

1.6

－0.1

■特点

1 ）小型模具类型。（ SMD3 ）

2 ）低I

3）高可靠性。

＋0.1

0.4

　－0.05

(3)

＋0.2

1.0MIN.

0.15

－0.06

＋0.1

0.95

0.8MIN.

0½0.1

0.3½0.6

SMD3

(2)

(1)

0.95

1.9±0.2

0.8±0.1

1.1±0.2

0.01

建筑

硅外延刨床

0.95

Structure

ROHM ： SMD3

JEDEC ： S0T -346

JEITA ： SC- 59

星期代码

盘带

特定网络阳离子

（单位：毫米）

4.0±0.1

2.0±0.05

φ1.5±0.1

1.75±0.1

0.3±0.1

3.5±0.05

8.0±0.2

3.2±0.1

4.0±0.1

φ1.05MIN

0½0.5

5.5±0.2

3.2±0.1

1.35±0.1

“绝对

最大额定值

(Ta=25°C)

参数

反向电压（重复峰值）

反向电压（DC）的

平均正向电流整流（ * 1 ）

正向电流浪涌峰值（ 60赫兹· 1cyc ）（ * 1 ）

结温

储存温度

（ * 1 ）每额定值二极管： IO / 2

符号

FSM

TSTG

范围

100

125

单位

°C

ⅵELECTRICAL

特征

(Ta=25°C)

参数

正向电压

反向电流

终端之间的电容

符号

Ct1

分钟。

典型值。

马克斯。

0.55

0.34

单位

μA

条件

=100mA

=10mA

=10V

= 10V ， F = 1MHz的

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1/3

2011.04 - Rev.B的

2.4

2.9±0.2

各リードとも

每根导线具有相同的尺寸

同寸法

RB425D

数据表

100

Ta=125℃

10000

Ta=125℃

Ta=75℃

100

f=1MHz

正向电流IF （MA ）

反向电流： IR （ UA）

Ta=75℃

Ta=25℃

Ta=-25℃

0.1

100

Ta=-25℃

0.1

0.01

反向电压VR （ V）

VR -IR特性

Ta=25℃

之间的电容

端子的CT （PF ）

1000

0.01

100

200

300

400

500

600

正向电压VF （MV ）

VF- IF特性

反向电压VR （ V）

VR -CT特征

470

310

正向电压VF （MV ）

460

450

440

430

AVE ： 439.5mV

420

300

290

280

270

AVE ： 281.5mV

260

反向电流： IR （ UA）

Ta=25℃

IF=100mA

n=30pcs

Ta=25℃

IF=10mA

n=30pcs

AVE ： 2.548uA

Ta=25℃

VR=10V

n=10pcs

VF色散图

IR色散图

反向恢复时间： TRR （ NS ）

峰值浪涌

正向电流IFSM （ A）

之间的电容

端子的CT （PF ）

CT色散图

AVE ： 6.09pF

Ta=25℃

f=1MHz

VR=10V

n=10pcs

IFSM

1cyc

8.3ms

AVE ： 6.20ns

Ta=25℃

IF=0.5A

IR=1A

Irr=0.25*IR

n=10pcs

AVE ： 5.50A

IFSM色散图

TRR色散图

1000

IFSM

8.3ms的8.3ms的

1cyc

短暂

THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）

Rth的第（j-一）

峰值浪涌

正向电流IFSM （ A）

峰值浪涌

正向电流IFSM （ A）

100

RTH （J -C ）

安装在环氧板

IM=1mA

IF=10mA

1ms

时间

0.1

周期数

IFSM周期特征

100

0.1

100

时间： T（毫秒）

IFSM -T特性

300us

0.001

0.01

0.1

100

1000

时间： T（ S）

RTH- T特性

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2/3

2011.04 - Rev.B的

RB425D

数据表

0.1

每个芯片

0.08

0.07

0.06

每个芯片

0.3

每个芯片

反向功率

耗散：P

(W)

D=1/2

平均整流

正向电流IO（ A）

0.25

0.2

0.15

D=1/2

0.1

0.05

Sin(θ＝180)

D = T / T

VR=15V

Tj=125℃

前进动力

耗散：PF （ W）

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

Sin(θ＝180)

D=1/2

0.06

0.04

0.02

0.1

平均整流

正向电流IO（ A）

IO -PF特性

0.2

Sin(θ＝180)

反向电压VR （ V）

VR -P

特征

100

125

环境温度： TA（ ℃ ）

降额曲线（ IO- Ta）的

0.3

每个芯片

平均整流

正向电流IO（ A）

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

D = T / T

VR=15V

Tj=125℃

D=1/2

Sin(θ＝180)

100

125

北部沿海地区案例：TC （ ℃ ）

降额曲线（IO -TC）

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SMD

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