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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第417页 > RB160L-40
数据表
肖特基二极管
RB160L-40
■应用
一般整顿
尺寸
（单位：毫米）
Land
尺寸图
（单位：毫米）
2.0
■特点
1 ）小功率模具类型。 （ PMDS ）
2 ）低I
R.
3）高可靠性
建筑
硅外延刨床
2.6±0.2
2.0
①
②
0.1±0.02
　　　 0.1
5.0±0.3
3
4
4.5±0.2
1.2±0.3
PMDS
1.5±0.2
2.0±0.2
Structure
ROHM ： PMDS
JEDEC ： SOD- 106
①
②
制造日期
盘带
特定网络阳离子
（单位：毫米）
2.0±0.05
4.0±0.1
φ1.55±0.05
1.75±0.1
0.3
5.5±0.05
φ1.55
2.9±0.1
4.0±0.1
2.8MAX
符号
V
RM
反向电压（重复峰值）
反向电压（DC）的
V
R
平均正向电流整流
Io
I
FSM
正向电流浪涌峰值（ 60赫兹/ 1cyc ）
结温
Tj
储存温度
TSTG
（ * 1 ） =锝90 °C以下安装在环氧树脂板。 180 °的半正弦波
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25°C)
参数
正向电压
反向电流
“绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
范围
40
40
1
70
150
40
to
150
单位
V
V
A
A
C
C
5.3±0.1
　
0.05
9.5±0.1
12±0.2
符号
V
F
I
R
1
I
R
2
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
0.55
10
100
单位
V
A
A
条件
I
F
=1.0A
V
R
=6V
V
R
=40V
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
1/3
2011.04 - Rev.B的
4.2
RB160L-40
ⅵELECTRICAL
特性曲线
　
数据表
1
100000
Ta=75℃
Ta=125℃
10000
Ta=150℃
1000
f=1MHz
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
反向电流： IR （ UA）
正向电流IF （ A）
Ta=150℃
0.1
Ta=25℃
Ta=-25℃
0.01
1000
100
10
1
0.1
0.01
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
100
10
0.001
0
100
200
300
400
500
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
600
1
0
10
20
30
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
40
0
5
10
15
20
25
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
30
510
正向电压VF （MV ）
反向电流： IR （ UA）
500
490
480
470
AVE ： 489.6mV
460
VF色散图
之间的电容
端子的CT （PF ）
Ta=25℃
IF=1A
n=30pcs
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
250
Ta=25℃
VR=40V
n=30pcs
240
230
220
210
200
190
180
170
160
150
IR色散图
CT色散图
AVE ： 192.7pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
AVE ： 2.207uA
200
反向恢复时间： TRR （ NS ）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
IFSM
1cyc
8.3ms
20
200
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
150
15
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
IFSM
150
8.3ms的8.3ms的
1cyc
100
10
100
50
AVE ： 125.6A
5
AVE ： 8.667ns
0
50
0
IFSM DISRESION地图
0
1
TRR色散图
10
周期数
IFSM周期特征
100
300
1000
2
安装在环氧板
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
250
200
150
100
50
0
1
IFSM
t
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
前进动力
耗散：PF （ W）
100
Rth的第（j-一）
1.5
D=1/2
Sin(θ＝180)
1
DC
10
IM=10mA
RTH （J -C ）
IF=0.5A
1
1ms
时间
300us
0.5
10
时间： T（毫秒）
IFSM -T特性
100
0.1
0.01
0
1000
0
0.5
1
1.5
平均整流
正向电流IO（ A）
IO -PF特性
2
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
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2011 ROHM有限公司保留所有权利。
2/3
2011.04 - Rev.B的
RB160L-40
　
数据表
1
0.8
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
降额曲线（ IO- Ta）的
Sin(θ＝180)
DC
D=1/2
0A
0V
Io
3
2.5
2
1.5
1
0.5
Sin(θ＝180)
0
0
25
50
75
100
125
150
北部沿海地区案例： 0T （ ℃ ）
降额曲线（IO -TC）
DC
D=1/2
0A
0V
Io
t
T
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=150
平均整流
正向电流IO（ A）
反向功率
耗散：P
R
(W)
t
T
0.6
DC
0.4
0.2
0
0
10
20
D=1/2
Sin(θ＝180)
30
40
反向电压VR （ V）
VR -P
R
特征
30
静电
放电测试ESD （ KV ）
25
20
15
10
5
0
C=200pF
R=0Ω
没有休息，在30kV的
AVE ： 8.70kV
C=100pF
R=1.5kΩ
ESD色散图
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3/3
平均整流
正向电流IO（ A）
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=150
2011.04 - Rev.B的
通告
笔记
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
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R1120A
RB160L-40
二极管
肖特基二极管
RB160L–40
应用
高频整流
对于开关电源。
外形尺寸
（单位：毫米）
1.5±0.2
阴极标记
1.2±0.3
4.5±0.2
特点
1 ）小型电源模具型（ PMDS ）
2 ）低I
R
. (I
R
= 5毫安典型值）。
3）高可靠性
3
4
0.1
+0.02
0.1
2.0±0.2
2.6±0.2
施工
硅外延平面
ROHM ： PMDS
EIAJ ：
JEDEC ： SOD- 106
,
制造EX的····日期。 1999年12
→9,
C
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
峰值反向电压
采用直流反接电压
意思是整流电流
峰值正向浪涌电流
结温
储存温度
当
安装在印刷电路板基板
符号
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
Tj
TSTG
范围
40
40
1
70
125
40~+125
单位
V
V
A
A
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
正向电压
反向电流
符号
V
F
I
R
分钟。
典型值。
马克斯。
0.55
0.1
单位
V
mA
I
F
= 1.0A
V
R
= 40V
条件
5.0±0.3
RB160L-40
二极管
电气特性曲线
（ TA = 25°C ）
电容之间端子：C
T
(F)
10
10m
125
°C
10n
F = 1MHz的
正向电流：我
F
(A)
反向电流：我
R
(A)
1m
1
100
°C
75
°C
50
°C
1n
100
100m
10
25
°C
10m
125
°
C
75
°
C
25
°
C
100p
1
1m
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100n
0
10
20
30
40
50
60
10p
0
5
10
15
20
25
30
35
正向电压： V
F
(V)
反向电压： V
R
(V)
反向电压： V
R
(V)
图。 1正向特性
图。 2反向特性
图。 3间电容
终端特性
1.2
前向功率耗散：P
F
(W)
2
功率耗散钯（ W）
1.0
SIN 0.5
0.8
0.6
D = 0.05
0.4
0.1
0.3
0.2
0.8 DC
反向恢复时间： TRR （ NS ）
20
1
I
F
I
O
T
p
0.2
T
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
d=
T
p
T
2.4
10
2.0
0
50
100
150
0
5
10
15
20
平均正向电流整流：我
O
(A)
环境温度：钽（C ）
正向电流：我
F
（MA ）
图。 4正向功率耗散
特征
图。 5降额曲线
图。 6反向恢复时间
特征
RB160L-40
二极管
肖特基二极管
RB160L-40
应用
一般整顿
外形尺寸
（单位：毫米）
土地面积图
（单位：毫米）
2.0
2.6±0.2
3
①
4
②
0.1±0.02
　　　 0.1
5.0±0.3
特点
1 ）小功率模具类型。 （ PMDS ）
2 ）低I
R
.
3）高可靠性。
2.0
4.5±0.2
1.2±0.3
PMDS
1.5±0.2
2.0±0.2
结构
施工
硅外延平面
ROHM ： PMDS
JEDEC ： SOD- 106
①
②
制造日期
大坪规格
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
1.75±0.1
0.3
5.5±0.05
φ1.55
2.9±0.1
4.0±0.1
2.8MAX
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
PARAM ETER
埃弗斯电压（重复峰值）
埃弗斯电压（ DC ）
平均正向电流整流
正向电流S敦促峰值（ 60赫兹
1cyc)
结tem温度
S torage tem温度
SYM BOL
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
TS TG
林其
40
40
1
70
150
-40到+150
单位
V
V
A
A
℃
℃
（* 1 ）锝= 90
℃
米斧头装在环氧树脂板。 180
°
半s INE波
电气特性
(Ta=25°C)
PARAM ETER
正向电压
埃弗斯ê电流
SYM BOL
V
F
I
R
1
I
R
2
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
0.55
10
100
单位
V
A
A
I
F
=1.0A
V
R
=6V
V
R
=40V
条件
5.3 ±0.1
　
0.05
9.5±0.1
12±0.2
4.2
REV.B
1/3
RB160L-40
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
1
100000
Ta=75℃
Ta=125℃
10000
Ta=150℃
1000
f=1MHz
Ta=125℃
反向电流： IR （ UA）
正向电流IF （ A）
Ta=150℃
0.1
Ta=25℃
Ta=-25℃
0.01
1000
100
10
1
0.1
Ta=-25℃
Ta=75℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
100
Ta=25℃
10
0.001
0
200
400
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
600
0.01
0
10
20
30
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
40
1
0
5
10
15
20
25
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
30
510
正向电压VF （MV ）
反向电流： IR （ UA）
之间的电容
端子的CT （PF ）
500
Ta=25℃
IF=1A
n=30pcs
490
480
470
AVE ： 489.6mV
460
VF色散图
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
250
Ta=25℃
VR=40V
n=30pcs
240
230
220
210
200
190
180
170
160
150
IR色散图
CT色散图
AVE ： 192.7pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
AVE ： 2.207uA
200
20
200
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
IFSM
150
8.3ms的8.3ms的
1cyc
100
RESERVE恢复时间： TRR （ NS ）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
150
IFSM
1cyc
8.3ms
15
100
10
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
50
AVE ： 125.6A
0
IFSM DISRESION地图
5
AVE ： 8.667ns
0
TRR色散图
50
0
1
10
周期数
IFSM周期特征
100
300
1000
2
安装在环氧板
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
250
200
150
100
50
0
1
IFSM
t
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
Rth的第（j-一）
100
1.5
前进动力
耗散：PF （ W）
D=1/2
Sin(θ＝180)
1
DC
10
IM=10mA
RTH （J -C ）
IF=0.5A
1
1ms
时间
300us
0.5
10
时间： T（毫秒）
IFSM -T特性
100
0.1
0.01
0
1000
0
0.5
1
1.5
平均整流
正向电流IO（ A）
IO -PF特性
2
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
REV.B
2/3
RB160L-40
二极管
1
3
2.5
0A
0V
DC
D=1/2
T
1.5
1
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
降额曲线（ IO- Ta）的
Sin(θ＝180)
Io
3
2.5
0A
0V
DC
D=1/2
t
T
Io
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=150
平均整流
正向电流IO（ A）
t
平均整流
正向电流IO（ A）
0.8
反向功率
耗散：P
R
(W)
2
0.6
DC
0.4
D=1/2
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=150
2
1.5
1
0.5
0.2
Sin(θ＝180)
0
0
10
20
30
反向电压VR （ V）
VR -P
R
特征
Sin(θ＝180)
40
0
0
25
50
75
100
125
150
北部沿海地区案例： 0T （ ℃ ）
降额曲线（IO -TC）
30
静电
放电测试ESD （ KV ）
没有休息，在30kV的
25
20
15
10
5
0
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
AVE ： 8.70kV
ESD色散图
REV.B
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RB160L-40
二极管
肖特基二极管
RB160L-40
应用
一般整顿
外形尺寸
（单位：毫米）
土地面积图
（单位：毫米）
特点
1 ）小功率模具类型。 （ PMDS ）
2 ）低I
R
.
3）高可靠性。
结构
施工
硅外延平面
大坪规格
（单位：毫米）
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ）
PARAM ETER
埃弗斯电压（重复峰值）
埃弗斯电压（ DC ）
平均正向电流整流
正向电流S敦促峰值（ 60Hz的1cyc ）
结tem温度
S torage tem温度
（* 1 ）锝= 90
米斧头装在环氧树脂板。 180
SYM BOL
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
TS TG
半s INE波
林其
40
40
1
70
150
-40到+150
单位
V
V
A
A
电气特性
（ TA = 25℃ ）
PARAM ETER
正向电压
埃弗斯ê电流
SYM BOL
V
F
I
R
1
I
R
2
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
0.55
10
100
单位
V
μA
μA
I
F
=1.0A
V
R
=6V
V
R
=40V
条件
REV.B
1/3
RB160L-40
二极管
电气特性曲线
（ TA = 25℃ ）
REV.B
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RB160L-40
二极管
REV.B
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附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
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一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
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罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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