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RB095B-40
二极管
肖特基二极管
(硅外延刨床)
RB095B-40
应用
一般整顿
(共阴极双芯片)
外形尺寸
(单位:毫米)
6.5±0.2
5.1±0.2
    0.1
0.05
1.5±0.3
2.3±0.2
    0.1
0.5±0.1
土地面积图
6.0
5.5±0.3
    0.1
9.5±0.5
1.05 1.74
特点
1 )电源模( CPD3 )
2)高可靠性
3 )低V
F
&我低
R
1.5
0.75
0.9
(1)
(2)
(3)
0.65±0.1
0.55±0.1
     0.55
1.2±0.2
2.5
1.2
0.8
1.5
2.3±0.2 2.3±0.2
2.2
2-R0.3
CPD
2.3 2.3
2.0
0.5
1.35
ROHM : CPD
JEITA : SC- 63
0.15
0.16
2.55
(1)
(2)
(3)
R0.45
结构
0.95
24.5
0.5
ManufactureDate
大坪尺寸
(单位:毫米)
2.0±0.05
4.0±0.1
8.0±0.1
φ1.55±0.1
      0
2.5±0.1
0.4±0.1
7.5±0.05
10.1±0.1
6.8±0.1
8.0±0.1
φ3.0±0.1
2.7±0.2
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
反向电压(重复峰值)
反向电压(DC)的
平均正向电流整流
正向电流浪涌峰值( 60Hz的1cyc 。 )
结温
储存温度
符号
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
Tj
TSTG
范围
45
40
6
45
150
40
to
+150
单位
V
V
A
A
°C
°C
业务频率,评分的R-负荷,
每个二极管1/2 LO ,
Tc=120
°C
电气特性
(Ta=25°C)
参数
正向电压
反向电流
热阻抗
符号
V
F
I
R
分钟。
典型值。
马克斯。
0.55
0.1
6.0
单位
V
mA
I
F
=3.0A
V
R
=40V
结到外壳
条件
θ
jc
°C
/W
13.5±0.2
16.0±0.2
Rev.A的
3.0 2.0
1.6
1.6
6.0
1/3
RB095B-40
二极管
电气特性曲线
10
Ta=150℃
100000
1000000
Ta=150℃
Ta=125℃
1000
f=1MHz
正向电流IF (MA )
反向电流: IR ( UA)
Ta=-25℃
1
Ta=125℃
Ta=25℃
Ta=75℃
0.1
10000
1000
100
Ta=25℃
10
1
0.1
Ta=-25℃
Ta=75℃
之间的电容
端子的CT (PF )
100
10
0.01
0
100
200
300
400
500
600
700
正向电压VF (MV )
VF- IF特性
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
反向电压VR ( V)
VR -IR特性
1
0
10
20
30
反向电压VR ( V)
VR -CT特征
500
200
650
Ta=25℃
VR=40V
n=30pcs
640
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
AVE : 617.9pF
正向电压VF (MV )
反向电流: IR ( UA)
150
之间的电容
端子的CT (PF )
490
Ta=25℃
IF=3A
n=30pcs
630
620
610
600
590
580
570
560
480
100
470
AVE : 472.9mV
460
50
AVE : 14.2uA
0
450
VF色散图
550
IR色散图
CT色散图
300
30
RESERVE恢复时间: TRR ( NS )
峰值浪涌
正向电流IFSM ( A)
250
200
150
100
50
IFSM
1cyc
8.3ms
25
20
15
10
AVE : 11.40ns
5
0
峰值浪涌
正向电流IFSM ( A)
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
1000
IFSM
8.3ms的8.3ms的
1cyc
100
AVE : 76.0A
0
IFSM DISRESION地图
10
1
TRR色散图
10
周期数
IFSM周期特征
100
1000
100
安装在环氧板
IM=100mA
IF=3A
10
IFS
t
短暂
THAERMAL阻抗的Rth ( ℃ / W)
峰值浪涌
正向电流IFSM ( A)
10
1ms
时间
前进动力
耗散:PF ( W)
Rth的第(j-一)
300us
D=1/2
5
Sin(θ=180)
DC
100
1
RTH (J -C )
10
1
10
时间: T(毫秒)
IFSM -T特性
T(毫秒)
100
0
0.1
0.001
0
0.1时间: T( S) 10
RTH- T特性
1000
4
6
8
平均整流
正向电流IO( A)
IO -PF特性
2
10
Rev.A的
2/3
RB095B-40
二极管
10
15
15
0A
0V
t
DC
Io
平均RECTIFIDE
正向电流IO( A)
平均整流
正向电流IO( A)
8
反向功率
耗散:P
R
(W)
6
Sin(θ=180)
D=1/2
10
D=1/2
T
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=150℃
0A
0V
t
DC
Io
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=150℃
10
D=1/2
5
Sin(θ=180)
T
4
DC
2
5
Sin(θ=180)
0
0
10
20
30
反向电压VR ( V)
VR -P
R
特征
40
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度: TA( ℃ )
降额曲线( IO- Ta)的
0
0
25
50
75
100
125
150
北部沿海地区案例:TC ( ℃ )
降额曲线(IO -TC)
30
静电
DDISCHARGE测试ESD ( KV )
没有休息,在30kV的
25
20
15
10
5
0
C=200pF
R=0Ω
ESD色散图
C=100pF
R=1.5kΩ
AVE : 15.6kV
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
肖特基二极管
RB095B-40
应用
一般整顿
(共阴极双芯片)
外形尺寸(单位
: mm)
土地面积图(单位
: mm)
6.0
3)高可靠性
CPD
2.3 2.3
(2)
施工
硅外延平面
结构
胶带尺寸(单位
: mm)
(1) (3)
范围
符号
反向电压(重复峰值)
45
V
RM
反向电压(DC)的
40
V
R
平均正向电流整流( * 1 )
6
Io
正向电流浪涌峰值( 60赫兹· 1cyc ) ( * 1 )
45
I
FSM
结温
150
Tj
储存温度
-40到+150
TSTG
( * 1 )业务频率,额定R-负载,每个二极管1/2木卫一,TC = 120C
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
单位
V
V
A
A
°C
°C
电气特性
(Ta=25°C)
参数
正向电压
反向电流
热阻抗
符号
V
F
I
R
θJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
0.55
100
6.0
单位
V
A
° C / W
I
F
=3.0A
V
R
=40V
结到外壳
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
1/3
2009.11 - Rev.F
3.0 2.0
条件
特点
1 )电源的模具类型。 ( CPD3 )
2 )低V
F
1.6
1.6
6.0
RB095B-40
电气特性曲线
10
 
数据表
1000000
Ta=150°C
100000
Ta=-25°C
反向电流:我
R
(A)
10000
1000
100
1000
Ta=150°C
Ta=125°C
电容
端子间的CT (PF )
f=1MHz
正向电流:我
F
(A)
1
Ta=125°
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=75°C
100
Ta=25°C
10
1
0.1
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
反向电压: V
R
(V)
V
R
-I
R
特征
40
Ta=-25°C
0.1
10
0.01
1
0
5
10
15
20
25
30
反向电压: V
R
(V)
V
R
-ct特性
0
100
200
300
400
500
600
700
正向电压: V
F
(毫伏)
V
F
-I
F
特征
500
正向电压: V
F
(毫伏)
Ta=25°C
I
F
=3A
n=30pcs
200
电容
端子间的CT (PF )
Ta=25°C
V
R
=40V
n=30pcs
650
640
630
620
610
600
590
580
570
560
AVE : 617.9pF
Ta=25°C
f=1MHz
V
R
=0V
n=10pcs
490
反向电流:我
R
(A)
150
480
100
470
AVE : 472.9mV
460
50
AVE : 14.2A
0
450
V
F
色散图
550
I
R
色散图
CT色散图
300
RESERVE恢复时间: TRR ( NS )
峰值浪涌
正向电流:我
FSM
(A)
250
200
150
100
50
AVE : 76.0A
0
I
FSM
色散图
30
25
20
15
10
AVE : 11.40ns
5
0
TRR色散图
Ta=25°C
I
F
=0.5A
I
R
=1A
Irr=0.25*I
R
n=10pcs
1000
峰值浪涌
正向电流:我
FSM
(A)
IFSM
8.3ms
1cyc
IFSM
8.3ms
100
8.3ms
1cyc
10
1
10
周期数
I
FSM
-CYCLE特性
100
1000
短暂
° C / W)
THAERMAL阻抗: Rth的(
峰值浪涌
正向电流:我
FSM
(A)
100
10
Rth的第(j-一)
RTH (J -C )
前进动力
耗散:PF ( W)
IFS
t
10
D=1/2
5
Sin(θ=180)
DC
100
安装在环氧板
1
IM=100mA
I
F
=1A
1ms
时间
10
1
10
时间: T(毫秒)
I
FSM
-t特性
100
0.1
0.001
300s
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0
2
4
6
8
10
平均整流
正向电流IO( A)
IO -PF特性
时间: T( S)
RTH- T特性
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2/3
2009.11 Rev.F
RB095B-40
 
15
数据表
15
10
0A
0V
t
DC
Io
平均整流
正向电流IO( A)
V
R
T
D = T / T
V
R
=20V
Tj=150°C
0A
0V
t
DC
Io
V
R
T
D = T / T
V
R
=20V
Tj=150°C
8
反向功率
耗散:P
R
(W)
平均整流
正向电流IO( A)
10
10
D=1/2
6
D=1/2
4
DC
2
Sin(θ=180)
D=1/2
5
5
Sin(θ=180)
Sin(θ=180)
0
0
10
20
30
40
反向电压: V
R
(V)
V
R
-P
R
特征
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度: TA( ° C)
降额Curve" ( IO- Ta)的
北部沿海地区案例:TC ( C )
降额Curve" (IO -TC)
30
静电
放电测试ESD ( KV )
NP在30kV的突破
25
20
15
AVE : 15.6kV
10
5
0
C=200pF
R=0
C=100pF
R=1.5k
ESD色散图
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3/3
2009.11 Rev.F
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部,则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更,恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的(在下文中
"Products" ) 。如果你希望使用任何此类产品,请务必参阅规格,
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路,电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时,必须考虑到。
时非常谨慎,以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是,如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息, ROHM ,应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你,或明或
隐,任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置(诸如视听设备,办公自动化设备, commu-
讯设备,电子电器,娱乐设备) 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性,一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害,火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障,如降级,冗余,消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备,设备使用,或
系统,该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵,其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险(如医疗
仪表,交通运输设备,航空器械,核反应器,
燃料控制器或其他安全装置) 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途,请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制,你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问,以ROHM的产品信息。
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R0039A
数据表
肖特基二极管
RB095B-40
■应用
一般整顿
(共阴极双芯片)
Dimensions (单位
: mm)
Land
尺寸图(单位
: mm)
6.0
3)高可靠性
CPD
2.3 2.3
(2)
建筑
硅外延平面
Structure
盘带
外形尺寸(单位
: mm)
(1) (3)
范围
符号
反向电压(重复峰值)
45
V
RM
反向电压(DC)的
40
V
R
平均正向电流整流( * 1 )
6
Io
正向电流浪涌峰值( 60赫兹· 1cyc ) ( * 1 )
45
I
FSM
结温
150
Tj
储存温度
40
to
150
TSTG
( * 1 )业务频率,额定R-负载,每个二极管1/2木卫一,TC = 120C
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
单位
V
V
A
A
C
C
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
正向电压
反向电流
热阻抗
符号
V
F
I
R
θJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
0.55
100
6.0
单位
V
A
° C / W
I
F
=3.0A
V
R
=40V
结到外壳
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
1/3
2011.04 - Rev.F
3.0 2.0
条件
■特点
1 )电源的模具类型。 ( CPD3 )
2 )低V
F
1.6
1.6
6.0
RB095B-40
电气特性曲线
10
 
数据表
1000000
Ta=150C
100000
Ta=-25C
1000
Ta=150C
Ta=125C
f=1MHz
10000
1000
100
10
1
0.1
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
反向电压: V
R
(V)
V
R
-I
R
特征
Ta=25C
Ta=-25C
Ta=75C
1
Ta=125
Ta=25C
Ta=75C
电容
端子间的CT (PF )
正向电流:我
F
(A)
反向电流:我
R
(A)
100
0.1
10
0.01
1
0
5
10
15
20
25
30
反向电压: V
R
(V)
V
R
-ct特性
0
100
200
300
400
500
600
700
正向电压: V
F
(毫伏)
V
F
-I
F
特征
500
490
电容
端子间的CT (PF )
正向电压: V
F
(毫伏)
反向电流:我
R
(A)
Ta=25C
I
F
=3A
n=30pcs
200
Ta=25C
V
R
=40V
n=30pcs
650
640
630
620
610
600
590
580
570
560
AVE : 617.9pF
Ta=25C
f=1MHz
V
R
=0V
n=10pcs
150
480
100
470
AVE : 472.9mV
460
50
AVE : 14.2A
0
450
V
F
色散图
550
I
R
色散图
CT色散图
300
30
1000
反向恢复时间: TRR ( NS )
峰值浪涌
正向电流:我
FSM
(A)
250
200
150
100
50
IFSM
8.3ms
1cyc
25
20
15
10
AVE : 11.40ns
5
0
峰值浪涌
正向电流:我
FSM
(A)
Ta=25C
I
F
=0.5A
I
R
=1A
Irr=0.25*I
R
n=10pcs
IFSM
8.3ms
100
8.3ms
1cyc
AVE : 76.0A
0
I
FSM
色散图
10
TRR色散图
1
10
周期数
I
FSM
-CYCLE特性
100
1000
100
10
Rth的第(j-一)
IFSM
t
短暂
THAERMAL阻抗的Rth ( ° C / W)
峰值浪涌
正向电流:我
FSM
(A)
10
RTH (J -C )
前进动力
耗散:PF ( W)
D=1/2
5
Sin(=180)
DC
100
安装在环氧板
1
IM=100mA
I
F
=1A
时间
1ms
10
1
10
时间: T(毫秒)
I
FSM
-t特性
100
0.1
0.001
300s
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
2
4
6
8
10
时间: T( S)
RTH- T特性
平均整流
正向电流IO( A)
IO -PF特性
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2011.04 - Rev.F
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数据表
10
15
0A
0V
t
DC
Io
V
R
T
D = T / T
V
R
=20V
Tj=150C
15
0A
0V
t
DC
Io
V
R
T
D = T / T
V
R
=20V
Tj=150C
平均整流
正向电流IO( A)
8
平均整流
正向电流IO( A)
反向功率
耗散:P
R
(W)
10
10
D=1/2
6
D=1/2
4
DC
2
Sin(½180)
D=1/2
5
5
Sin(=180)
Sin(θ=180)
0
0
10
20
30
40
反向电压: V
R
(V)
V
R
-P
R
特征
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度: TA( ° C)
降额Curve" ( IO- Ta)的
北部沿海地区案例:TC ( C )
降额Curve" (IO -TC)
30
静电
放电测试ESD ( KV )
NP在30kV的突破
25
20
15
AVE : 15.6kV
10
5
0
C=200pF
R=0
C=100pF
R=1.5k
ESD色散图
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