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FM25L04-GA

FM25040A

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FM22LD16

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FM21LD16

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FM23MLD16ds

FM22L16ds

FM22LD16ds

FM21L16ds

FM21LD16ds

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文件

FM24V10ds

FM24V05ds

FM24C512ds

FM24C256ds

FM24L256ds

FM24V02ds

FM24CL64ds

FM24C64ds

FM24CL32ds_r1.0

FM24CL16ds

FM24C16Ads

FM24CL04ds

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FM25H20ds

FM25V10ds

FM25V05ds

FM25L512ds

FM25V02ds

FM25L256Bds

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FM25L256ds扩展的温度。

FM25L256ds商用温度。

FM25256Bds

无此相关下½½

FM25CL64-GAds

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FM25040Ads

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FM28V100

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FM1808

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FM31L276

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FM32L276

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FM1106-GA

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FM1106ds

FM1106-GAds

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FM1110ds

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FM31L27xds

FM3127xds

FM3130ds

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FM32L27xds

FM3227xds

FM25L512ds

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FM20L08ds

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FM28V020ds

FM18L08ds

FM1808ds

FM1608ds

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FM1114

微控制器

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VRS51L2070tb

VRS51L2070ds

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第二代超高频（ UHF ）集成电路

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WM71008

WM71016

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WM710xx_ds

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通过BSI管理体系美国公司＃ RM67713 2000 ： Ramtron的质量体系注册ISO 9001

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UTI

ETE

凛

TOM

OTI

IND

三

ICA

IEN

TIFI

凛

ETE

TIV

TOM

UTI

TIFI

CIE

三

ICA

短表目录

第一版2010

设计，以更高的标准

铁电随机存取存储器（F- RAM）的产品结合

的ROM用的好处非易失性数据存储能力

的RAM。

Ramtron的宽线的专业半导体存储器，

微控制器和集成半导体解决方案被发现在一

广泛的行业和应用，包括测量，计算，

汽车和消费。

Ramtron的产品也存在于工业，科学和医学应用

茁壮成长的高速，高续航，以及F-RAM的低功耗。

非易失性RAM的好处

快

写

F-RAM执行读取，并在写入操作

相同的速度。由于F-RAM写入数据的总线速度，

写入的数据变得之前没有延迟

非易失性。浮栅存储器还有很长的写

延迟5毫秒。 F-RAM写入纳秒，

必需像汽车安全系统的应用。

F-RAM提供了几乎无限的读写次数，从而

意味着它不会磨损像其他非易失性存储器

设备。浮动栅极器件遇到硬故障

和停止写在短短的10

周期，这使得它们

不适合写密集型应用。

F-RAM操作时无需电荷泵，从而实现了低

功耗。浮栅器件要求高

在写操作期间的电压。 F-RAM写入的

制造过程中的本机电压： 5V，3V或

甚至在更先进的工艺少。

RIA

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高

耐力

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