三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA60H4047M1
框图
2
3
符合RoHS标准， 400-470MHZ 60W 12.5V ， 2级放大器。对于移动电
描述
该RA60H4047M1是一个60瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于400-到移动无线电
470 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和标称输出信号（P
OUT
= 60W ）衰减达
60分贝。的输出功率和漏电流增加的
栅极电压升高。的输出功率和漏电流
周围0V （最低）的栅极电压大幅增加。
额定输出功率状态变为可用的
V
GG
为4V （典型值）和5V （最大） 。
在V
GG
= 5V时典型栅极电流5mA.This模块
设计用于非线性调频调制，但也可用于
通过将漏极静态电流线性调制
栅极电压和控制输出功率与输入
力。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>60W,
η
T
>40 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 400-470MHZ
金属屏蔽结构，使得虚假的改进
辐射简单
低功耗控制电流I
GG
= 5毫安（典型值） @ V
GG
=5V
模块尺寸： 67 ×18× 9.9毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H2M
符合RoHS标准
RA60H4047M1是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
但是，它也适用于符合路线的下面的例外情况。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA60H4047M1-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA60H4047M1
三菱电机
1/9
2008年3月3日
rd
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA60H4047M1
最大额定值
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<5V ，P
in
=0W
V
DD
<12.5V ，P
in
=50mW
f=400-470MHz,
V
GG
<5V
等级
17
6
100
80
-30到+100
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
F
P
OUT
ηT
2f
o
ρ
in
I
GG
I
DD
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
=50mW
V
DD
=0V, V
GG
= 5V ，P
in
=0W
V
DD
=17V, V
GG
= 0V ，磷
in
=0W
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
5<P
OUT
<65W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
=50mW,
P
OUT
= 60W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 20 ：1的
民
400
60
40
典型值
最大
470
单位
兆赫
W
%
谐波
-40
3:1
5
6
1
无寄生振荡
没有退化或破坏
dBc的
—
mA
mA
—
—
输入VSWR
栅电流
漏电流
稳定性
负载VSWR容差
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA60H4047M1
三菱电机
2/9
3 Mar2008
rd
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA60H4047M1
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
ü牛逼牛逼PU PO WER ，T t铝EFFIC IEN Y，
V ê限制股FR EQ EN ü
90
输出功率P
OUT
(W)
80
总有效率（ ％ ）
70
60
50
40
30
20
10
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
FRE QUE NCY F （M赫兹）
η
T
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
P
OUT
2 ,3
-30
-40
-50
nd
rd
AR M O对 IC S V ê限制股FR EQ EN ü
谐波（ DBC）
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
2
nd
-60
-70
-80
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
FRE QUE NCY F （M赫兹）
3
rd
浦牛逼VSWR V ê限制股FR EQ EN ü
5
GATE CURERENT （毫安）
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
摹AT权证ü R R EN的T？V ê限制股FR EQ EN ü
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
输入VSWR
ρ
in
(-)
4
Ι
GG
3
2
ρ
in
1
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
FRE QUE NCY F （M赫兹）
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
FRE QUE NCY F （M赫兹）
ü牛逼牛逼PU PO WER ， PO WER摹AIN和
浦牛逼PO WER ，D R AIN ú R R EN的T？V ê限制股
60
输出功率P
OUT
（ dBm的）
50
40
30
20
10
0
-10
-5
0
5
10
I
D D
F = 400M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
V
GG
=5V
Gp
P
OUT
ü牛逼牛逼PU PO WER ， PO WER摹AIN和
浦牛逼PO WER ，D R AIN ú R R EN的T？V ê限制股
24
输出功率P
OUT
（ dBm的）
漏电流
DD
(A)
I
功率增益的Gp （分贝）
20
16
12
8
4
0
20
60
50
40
30
20
I
D D
Gp
P
OUT
24
漏电流
I
DD
(A)
漏电流I
D
(A)
D
20
16
12
8
F = 430M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
V
GG
=5V
功率增益的Gp （分贝）
10
0
-10
-5
0
5
10
4
0
20
15
15
INP UT P OW ê ; R P
in
（分贝M）
INP UT P OW ê ; R P
in
（分贝M）
ü牛逼牛逼PU PO WER ， PO WER摹AIN和
浦牛逼PO WER ，D R AIN ú R R EN的T？V ê限制股
60
输出功率P
OUT
（ dBm的）
50
Gp
P
OUT
ü牛逼牛逼PU PO WER ， PO WER摹AIN和
浦牛逼PO WER ，D R AIN ú R R EN的T？V ê限制股
24
输出功率P
OUT
（ dBm的）
漏电流
DD
(A)
I
20
16
12
8
60
50
40
30
20
I
D D
Gp
P
OUT
24
20
16
12
8
F = 470M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
V
GG
=5V
功率增益的Gp （分贝）
40
30
20
I
D D
10
0
-10
-5
0
5
10
F = 450M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
V
GG
=5V
功率增益的Gp （分贝）
4
0
20
10
0
-10
-5
0
5
10
4
0
20
15
15
INP UT P OW ê ; R P
in
（分贝M）
INP UT P OW ê ; R P
in
（分贝M）
RA60H4047M1
三菱电机
3/9
3 Mar2008
rd
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA60H4047M1
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股，D R AIN VO LT AG电子
100
90
输出功率P
OUT
(W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
DRA IN V OLTA GE V
D D
(V )
I
D D
F = 400M赫兹，
V
GG
=5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股，D R AIN VO LT AG电子
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
输出功率P
OUT
(W)
漏电流
DD
(A)
I
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
DRA IN V OLTA GE V
D D
(V )
I
D D
F = 430M赫兹，
V
GG
=5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
漏电流
DD
(A)
I
漏电流
DD
(A)
I
门电流I
G
（MA ）
G
漏电流I
D
(A)
D
门电流I
G
（MA ）
G
漏电流
DD
(A)
I
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股，D R AIN VO LT AG电子
100
90
输出功率P
OUT
(W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
DRA IN V OLTA GE V
D D
(V )
I
D D
F = 450M赫兹，
V
GG
=5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股，D R AIN VO LT AG电子
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
输出功率P
OUT
(W)
漏电流
DD
(A)
I
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
DRA IN V OLTA GE V
D D
(V )
I
D D
F = 470M赫兹，
V
GG
=5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股摹达E VO LT AG电子
90
输出功率P
OUT
(W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
GA TE V OLTA GE V
G G
(V )
I
GG
I
D D
F = 400M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股摹达E VO LT AG电子
18
16
门电流I
G
（MA ）
G
输出功率P
OUT
(W)
漏电流
DD
(A)
I
14
12
10
8
6
4
2
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
GA TE V OLTA GE V
G G
(V )
I
D D
I
GG
F = 430M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股摹达E VO LT AG电子
90
输出功率P
OUT
(W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
GA TE V OLTA GE V
G G
(V )
I
D D
F = 450M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股摹达E VO LT AG电子
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
输出功率P
OUT
(W)
门电流I
G
（MA ）
G
漏电流
DD
(A)
I
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
GA TE V OLTA GE V
G G
(V )
I
GG
I
D D
F = 470M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I
GG
RA60H4047M1
三菱电机
4/9
3 Mar2008
rd
三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA60H4047M1
框图
2
3
符合RoHS标准， 400-470MHZ 60W 12.5V ， 2级放大器。对于移动电
描述
该RA60H4047M1是一个60瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于400-到移动无线电
470 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和标称输出信号（P
OUT
= 60W ）衰减达
60分贝。的输出功率和漏电流增加的
栅极电压升高。的输出功率和漏电流
周围0V （最低）的栅极电压大幅增加。
额定输出功率状态变为可用的
V
GG
为4V （典型值）和5V （最大） 。
在V
GG
= 5V时典型栅极电流5mA.This模块
设计用于非线性调频调制，但也可用于
通过将漏极静态电流线性调制
栅极电压和控制输出功率与输入
力。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>60W,
η
T
>40 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 400-470MHZ
金属屏蔽结构，使得虚假的改进
辐射简单
低功耗控制电流I
GG
= 5毫安（典型值） @ V
GG
=5V
模块尺寸： 67 ×18× 9.9毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H2M
符合RoHS标准
RA60H4047M1是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
但是，它也适用于符合路线的下面的例外情况。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA60H4047M1-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA60H4047M1
三菱电机
1/9
2006年10月25日
th
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA60H4047M1
最大额定值
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<5V ，P
in
=0W
V
DD
<12.5V ，P
in
=50mW
f=400-470MHz,
V
GG
<5V
等级
17
6
100
80
-30到+100
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
F
P
OUT
ηT
2f
o
ρ
in
I
GG
I
DD
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
=50mW
V
DD
=0V, V
GG
= 5V ，P
in
=0W
V
DD
=17V, V
GG
= 0V ，磷
in
=0W
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
5<P
OUT
<65W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
=50mW,
P
OUT
= 60W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 20 ：1的
民
400
60
40
典型值
最大
470
单位
兆赫
W
%
谐波
-40
3:1
5
6
1
无寄生振荡
没有退化或破坏
dBc的
—
mA
mA
—
—
输入VSWR
栅电流
漏电流
稳定性
负载VSWR容差
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA60H4047M1
三菱电机
2/9
2006年10月25日
th
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA60H4047M1
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
ü牛逼牛逼PU PO WER ，T t铝EFFIC IEN Y，
V ê限制股FR EQ EN ü
90
输出功率P
OUT
(W)
80
总有效率（ ％ ）
70
60
50
40
30
20
10
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
FRE QUE NCY F （M赫兹）
η
T
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
P
OUT
2 ,3
-30
-40
-50
nd
rd
AR M O对 IC S V ê限制股FR EQ EN ü
谐波（ DBC）
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
2
nd
-60
-70
-80
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
FRE QUE NCY F （M赫兹）
3
rd
浦牛逼VSWR V ê限制股FR EQ EN ü
5
GATE CURERENT （毫安）
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
摹AT权证ü R R EN的T？V ê限制股FR EQ EN ü
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
输入VSWR
ρ
in
(-)
4
Ι
GG
3
2
ρ
in
1
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
FRE QUE NCY F （M赫兹）
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
FRE QUE NCY F （M赫兹）
ü牛逼牛逼PU PO WER ， PO WER摹AIN和
浦牛逼PO WER ，D R AIN ú R R EN的T？V ê限制股
60
输出功率P
OUT
（ dBm的）
50
40
30
20
10
0
-10
-5
0
5
10
I
D D
F = 400M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
V
GG
=5V
Gp
P
OUT
ü牛逼牛逼PU PO WER ， PO WER摹AIN和
浦牛逼PO WER ，D R AIN ú R R EN的T？V ê限制股
24
输出功率P
OUT
（ dBm的）
漏电流
DD
(A)
I
功率增益的Gp （分贝）
20
16
12
8
4
0
20
60
50
40
30
20
I
D D
Gp
P
OUT
24
漏电流
I
DD
(A)
漏电流I
D
(A)
D
20
16
12
8
F = 430M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
V
GG
=5V
功率增益的Gp （分贝）
10
0
-10
-5
0
5
10
4
0
20
15
15
INP UT P OW ê ; R P
in
（分贝M）
INP UT P OW ê ; R P
in
（分贝M）
ü牛逼牛逼PU PO WER ， PO WER摹AIN和
浦牛逼PO WER ，D R AIN ú R R EN的T？V ê限制股
60
输出功率P
OUT
（ dBm的）
50
Gp
P
OUT
ü牛逼牛逼PU PO WER ， PO WER摹AIN和
浦牛逼PO WER ，D R AIN ú R R EN的T？V ê限制股
24
输出功率P
OUT
（ dBm的）
漏电流
DD
(A)
I
20
16
12
8
60
50
40
30
20
I
D D
Gp
P
OUT
24
20
16
12
8
F = 470M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
V
GG
=5V
功率增益的Gp （分贝）
40
30
20
I
D D
10
0
-10
-5
0
5
10
F = 450M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
V
GG
=5V
功率增益的Gp （分贝）
4
0
20
10
0
-10
-5
0
5
10
4
0
20
15
15
INP UT P OW ê ; R P
in
（分贝M）
INP UT P OW ê ; R P
in
（分贝M）
RA60H4047M1
三菱电机
3/9
2006年10月25日
th
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA60H4047M1
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股，D R AIN VO LT AG电子
100
90
输出功率P
OUT
(W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
DRA IN V OLTA GE V
D D
(V )
I
D D
F = 400M赫兹，
V
GG
=5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股，D R AIN VO LT AG电子
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
输出功率P
OUT
(W)
漏电流
DD
(A)
I
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
DRA IN V OLTA GE V
D D
(V )
I
D D
F = 430M赫兹，
V
GG
=5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
漏电流
DD
(A)
I
漏电流
DD
(A)
I
门电流I
G
（MA ）
G
漏电流I
D
(A)
D
门电流I
G
（MA ）
G
漏电流
DD
(A)
I
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股，D R AIN VO LT AG电子
100
90
输出功率P
OUT
(W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
DRA IN V OLTA GE V
D D
(V )
I
D D
F = 450M赫兹，
V
GG
=5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股，D R AIN VO LT AG电子
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
输出功率P
OUT
(W)
漏电流
DD
(A)
I
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
DRA IN V OLTA GE V
D D
(V )
I
D D
F = 470M赫兹，
V
GG
=5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股摹达E VO LT AG电子
90
输出功率P
OUT
(W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
GA TE V OLTA GE V
G G
(V )
I
GG
I
D D
F = 400M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股摹达E VO LT AG电子
18
16
门电流I
G
（MA ）
G
输出功率P
OUT
(W)
漏电流
DD
(A)
I
14
12
10
8
6
4
2
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
GA TE V OLTA GE V
G G
(V )
I
D D
I
GG
F = 430M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股摹达E VO LT AG电子
90
输出功率P
OUT
(W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
GA TE V OLTA GE V
G G
(V )
I
D D
F = 450M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
ü牛逼牛逼PU PO WER和，D R AIN ú R R EN牛逼
V ê限制股摹达E VO LT AG电子
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
输出功率P
OUT
(W)
门电流I
G
（MA ）
G
漏电流
DD
(A)
I
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
GA TE V OLTA GE V
G G
(V )
I
GG
I
D D
F = 470M赫兹，
V
DD
=12.5V ,
P
in
= 50米W
P
OUT
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I
GG
RA60H4047M1
三菱电机
4/9
2006年10月25日
th
<硅射频功率模块>
RA60H4047M1
符合RoHS标准， 400-470MHZ 60W 12.5V ， 2级放大器。对于移动电
描述
该RA60H4047M1是一个60瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于400-到移动无线电
470 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和标称输出信号（P
OUT
= 60W ）衰减达
60分贝。的输出功率和漏电流增加的
栅极电压升高。的输出功率和漏电流
周围0V （最低）的栅极电压大幅增加。
额定输出功率状态变为可用的
V
GG
为4V （典型值）和5V （最大） 。
在V
GG
= 5V时典型栅极电流5mA.This模块
设计用于非线性调频调制，但也可用于
通过将漏极静态电流线性调制
栅极电压和控制输出功率与输入
力。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>60W,
T
>40 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 400-470MHZ
金属屏蔽结构，使得虚假的改进
辐射简单
低功耗控制电流I
GG
= 5毫安（典型值） @ V
GG
=5V
模块尺寸： 67 X 19.4 X 9.9毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
符合RoHS标准
RA60H4047M1是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和铅
电子陶瓷部件。
但是，它也适用于符合路线的下面的例外情况。
1.Lead在阴极射线管的玻璃，电子零件，以及荧光
管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA60H4047M1-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
框图
2
3
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H2M
出版日期： 2011年4月
1
＆ LT ;
硅射频功率模块
＆ GT ;
RA60H4047M1
符合RoHS标准， 400-470MHZ 60W 12.5V ， 2级放大器。对于移动电
最大额定值
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
条件
V
GG
<5V ，P
in
=0W
V
DD
<12.5V ，P
in
=50mW
f=400-470MHz,
V
GG
<5V
等级
17
6
100
80
-30到+100
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
T
案例（ OP ）
操作外壳温度范围
T
英镑
存储温度范围
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
F
P
OUT
T
2f
o
in
I
GG
I
DD
—
频带
输出功率
总有效率
2谐波
输入VSWR
栅电流
漏电流
稳定性
V
DD
=0V, V
GG
= 5V ，P
in
=0W
V
DD
=17V, V
GG
= 0V ，磷
in
=0W
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
5<P
OUT
<65W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
=50mW,
P
OUT
= 60W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 20 ：1的
nd
条件
民
400
典型值
-
-
-
-
-
5
-
最大
470
-
-
-40
3:1
6
1
单位
兆赫
W
%
dBc的
—
mA
mA
—
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
=50mW
60
40
-
-
-
-
无寄生振荡
没有退化或
破坏
—
负载VSWR容差
—
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
出版日期： 2011年4月
2
＆ LT ;
硅射频功率模块
＆ GT ;
RA60H4047M1
符合RoHS标准， 400-470MHZ 60W 12.5V ， 2级放大器。对于移动电
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率，总有效率，
与频率
90
输出功率P
OUT
(W)
2
nd
， 3次谐波与频率的关系
-30
rd
80
总有效率（ ％ ）
P
OUT
60
50
40
30
20
h
T
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
谐波（ DBC）
70
-40
-50
-60
-70
3
rd
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
2
nd
10
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
频率f（ MHz）的
-80
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
频率f（ MHz）的
输入VSWR与频率
5
门电流I
GG
（MA ）
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
栅极电流与频率的关系
8
7
6
5
4
3
2
1
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
输入VSWR
r
in
(-)
4
3
r
in
I
GG
2
1
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
频率f（ MHz）的
0
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
频率f（ MHz）的
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
60
输出功率P
OUT
（ dBm的）
P
OUT
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
24
输出功率P
OUT
（ dBm的）
漏电流I
DD
(A)
功率增益的Gp （分贝）
60
P
OUT
24
漏电流
I
DD
(A)
漏电流I
DD
(A)
功率增益的Gp （分贝）
50
Gp
20
16
12
8
I
DD
f=400MHz
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
50
40
30
20
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
I
DD
f=430MHz
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
Gp
20
16
12
8
4
0
40
30
20
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
4
0
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
60
输出功率P
OUT
（ dBm的）
P
OUT
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
24
漏电流I
DD
(A)
功率增益的Gp （分贝）
60
输出功率P
OUT
（ dBm的）
P
OUT
24
20
Gp
功率增益的Gp （分贝）
50
40
30
20
I
DD
Gp
20
16
12
8
f=450MHz
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
50
40
30
20
I
DD
16
12
8
f=470MHz
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
10
0
-10
-5
0
5
4
0
10
0
-10
-5
0
5
10
4
0
10
15
20
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
输入功率P
in
（ dBm的）
出版日期： 2011年4月
3
＆ LT ;
硅射频功率模块
＆ GT ;
RA60H4047M1
符合RoHS标准， 400-470MHZ 60W 12.5V ， 2级放大器。对于移动电
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率和漏电流
与漏极电压
100
90
输出功率P
OUT
(W)
输出功率和漏电流
与漏极电压
20
输出功率P
OUT
(W)
漏电流I
DD
(A)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
漏极电压V
DD
(V)
I
DD
f=430MHz
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
P
OUT
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
漏电流I
DD
(A)
漏电流I
DD
(A)
门电流I
GG
（MA ）
漏电流I
DD
(A)
门电流I
GG
（MA ）
漏电流I
DD
(A)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
f=400MHz
V
GG
=5V
P
in
=50mW
P
OUT
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I
DD
4
6
8
10
12
14
16
漏极电压V
DD
(V)
输出功率和漏电流
与漏极电压
100
90
输出功率P
OUT
(W)
输出功率和漏电流
与漏极电压
20
16
14
12
10
输出功率P
OUT
(W)
漏电流I
DD
(A)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
漏极电压V
DD
(V)
I
DD
f=470MHz
V
GG
=5V
P
in
= 50米W
P
OUT
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
f=450MHz
V
GG
=5V
P
in
=50mW
P
OUT
18
I
DD
8
6
4
2
0
4
6
8
10
12
14
16
漏极电压V
DD
(V)
输出功率和漏电流
与栅极电压
90
80
输出功率P
OUT
(W)
f=400MHz
V
DD
=12.5V
P
in
= 50米W
P
OUT
输出功率和漏电流
与栅极电压
18
门电流I
GG
（MA ）
90
漏电流I
DD
(A)
输出功率P
OUT
(W)
18
f=430MHz
V
DD
=12.5V
P
in
= 50米W
P
OUT
16
14
12
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
16
14
12
I
DD
70
60
50
40
30
20
10
0
0
I
DD
10
8
6
4
I
GG
10
8
6
4
2
0
6
I
GG
2
0
5
6
1
2
3
4
5
1
2
3
4
栅极电压V
GG
(V)
栅极电压V
GG
(V)
输出功率和漏电流
与栅极电压
90
80
输出功率P
OUT
(W)
f=450MHz
V
DD
=12.5V
P
in
= 50米W
P
OUT
输出功率和漏电流
与栅极电压
18
门电流I
GG
（MA ）
90
80
输出功率P
OUT
(W)
漏电流I
DD
(A)
f=470MHz
V
DD
=12.5V
P
in
=50mW
P
OUT
18
16
14
I
DD
16
14
12
I
DD
70
60
50
40
30
20
10
0
0
70
60
50
40
30
20
10
0
0
12
10
8
6
4
10
8
6
4
I
GG
2
0
5
6
I
GG
2
0
6
1
2
3
4
1
2
3
4
5
栅极电压V
GG
(V)
栅极电压V
GG
(V)
出版日期： 2011年4月
4
＆ LT ;
硅射频功率模块
＆ GT ;
RA60H4047M1
符合RoHS标准， 400-470MHZ 60W 12.5V ， 2级放大器。对于移动电
外形绘图
(mm)
67±1
60±1
2-R2±0.5
49.8±1
(3.26)
19.4±1
10.7±1
① ②
③
④
15±1
12.5±1
17±1
44±1
56±1
3.1+0.6/-0.4
0.6±0.2
7.3±0.5
（2.6）
4±0.5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
)
漏极电压（V
DD
)
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
出版日期： 2011年4月
5
（9.9）
18±1
QQ：2881677436 复制
