三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA45H8994M1
框图
2
3
符合RoHS标准， 896-941MHz 45W 12.8V ， 2级放大器。对于移动电
描述
该RA45H8994M1是一个45瓦的射频MOSFET放大器
模块12.8伏的工作在896-到移动无线电
941 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压1与栅电压2 （Ⅴ
GG1
=V
GG2
= 0V ） ，只有一小
泄漏电流流入漏极和标称输出
信号（P
OUT
= 45W ）衰减可达60分贝。当固定的，即3.4V ，是
提供给栅极电压1时，输出功率和漏
电流增加为栅极电压2增加。输出
功率和与栅极漏电流的增加基本上
的条件下，电压2周围0V （最小）时
栅极电压1保持在3.4V 。额定输出功率
在状态变为可用V
GG2
为4V （典型值）和5V
（最大值） 。在这一点上，V
GG1
已经被保持在3.4V
.
在V
GG1
= 3.4V & V
GG2
= 5V时典型栅极电流0.4毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.8V, V
GG1
=V
GG2
=0V)
1
4
5
1
2
3
4
5
射频输入增加栅极电压1 （P
in
＆放大器; V
GG1
)
栅极电压2 （V
GG2
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
P
OUT
>45W,
η
T
>33%
@V
DD
=12.8V, V
GG1
=3.4V, V
GG2
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 896-941MHz
金属结构封顶，使RF的改进
辐射简单
低功耗控制电流I
GG1
+I
GG2
=0.4mA(typ)
@ V
GG1
=3.4V, V
GG2
=5V
模块尺寸： 67 ×18× 9.9毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
封装代码： H2M
符合RoHS标准
RA45H8994M1是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA45H8994M1-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
th
RA45H8994M1
三菱电机
1/9
二〇〇六年十二月二十○日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA45H8994M1
最大额定值
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG1
V
GG2
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压1
栅极电压2
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG1
=3.4V
±
7%, V
GG2
<5V ，P
in
=0W
V
GG2
<5V ，V
DD
<12.8V ，P
in
=50mW
V
GG1
=3.4V
±
7%, V
DD
<12.8V ，P
in
=50mW
f=896-941MHz,
V
GG1
=3.4V
±
7%, V
GG2
<5V
等级
17
4.5
6
100
60
-30到+100
-40到+110
单位
V
V
V
mW
W
°C
°C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
F
P
出1
ηT
2f
o
3f
o
ρ
in
I
DD
P
输出2
—
—
负载VSWR容差
* ：这是保证作为设计值。
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
频带
输出功率1
总有效率
2
3
nd
nd
条件
V
DD
=12.8V, V
GG1
=3.4V, V
GG2
= 5V ，P
in
=50mW
V
DD
=12.8V
V
GG1
=3.4V
V
GG2
=5V
P
in
=50mW
V
DD
=17V, V
GG1
=V
GG2
= 0V ，磷
in
=0W
V
DD
=15.2V, V
GG1
=3.4V, V
GG2
= 1V ，P
in
=4dBm
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=1-100mW,
1.5<P
OUT
<50W （V
GG2
控制，V
GG1
=3.4V),
负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
=50mW,
P
OUT
= 45W （V
GG2
控制，V
GG1
=3.4V),
负载电压驻波比= 20 ：1的
民
896
45
33
典型值
最大
941
单位
兆赫
W
%
谐波
谐波
-40
-40
3:1
1
2
无寄生振荡
没有退化或破坏
dBc的
dBc的
—
mA
W
—
—
输入VSWR
漏电流
输出功率2 *
稳定性
RA45H8994M1
三菱电机
2/9
二〇〇六年十二月二十○日
th
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA45H8994M1
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
OUTPUTPOWER ， TOT AL EFF IC IE NCY ，
V ê RSU S F Q ü简
80
输出功率P
OUT
(W)
总有效率（ ％ ）
70
60
50
40
30
20
10
860 870 880 890 900 910 920 930 940 950 960
由于F R ê Q ü简 F（ M·H Z）
η
T
2
nd
, 3
rd
AR M O对 IC S ; V。E R 5美国由于F R é Q ü简
-3 0
P
OUT
谐波（ DBC）
-4 0
-5 0
-6 0
-7 0
-8 0
3
rd
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
2
nd
860 870 880 890 900 910 920 930 940 950 960
由于F R ê Q ü简 F（ M·H Z）
IN P ü T·V·S W R V è R 5美国由于F R é Q ü简
5
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
输入VSWR
ρ
in
(-)
4
3
2
ρ
in
1
860 870 880 890 900 910 920 930 940 950 960
由于F R ê Q ü简 F（ M·H Z）
ü T P上ü T P上宽E R， P 2 O 5宽E R G AIN一个N D
DR AIN电流对在PUTPOWER
60
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
50
40
30
20
I
D D
Gp
P
OUT
ü T P上ü T P上宽E R， P 2 O 5宽E R G AIN一个N D
DR AIN电流对在PUTPOWER
24
输出功率P
OUT
（ dBm的）
漏电流I
D
(A)
D
功率增益的Gp （分贝）
20
16
12
8
60
50
40
30
20
I
D D
Gp
P
OUT
24
漏电流
I
DD
(A)
漏电流I
D
(A)
D
漏电流I
D
(A)
D
20
16
12
8
4
0
20
10
0
-1 0
-5
0
5
10
IN P ü T P上宽E ; R P
in
（ D B M）
F = 896M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
4
0
20
10
0
-1 0
-5
0
5
10
IN P ü T P上宽E ; R P
in
（ D B M）
F = 9 1 5个M Hz的
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
15
15
ü T P上ü T P上宽E R， P 2 O 5宽E R G AIN一个N D
DR AIN电流对在PUTPOWER
60
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
50
40
30
20
I
D D
Gp
P
OUT
ü T P上ü T P上宽E R， P 2 O 5宽E R G AIN一个N D
DR AIN电流对在PUTPOWER
24
输出功率P
OUT
（ dBm的）
漏电流I
D
(A)
D
功率增益的Gp （分贝）
20
16
12
8
60
50
40
30
20
I
D D
Gp
P
OUT
24
20
16
12
8
4
0
20
10
0
-1 0
-5
0
5
10
IN P ü T P上宽E ; R P
in
（ D B M）
F = 925M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
4
0
20
10
0
-1 0
-5
0
5
10
IN P ü T P上宽E ; R P
in
（ D B M）
F = 9 4 1M的赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
15
15
ü T P上ü T P上宽E R A N D ，D R AIN ú R R简牛逼
V ê R 5美，D R AIN V L T AG电子
90
输出功率P
OUT
(W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
，D R A IN V L T A G ê V
D D
(V )
14
16
I
D D
F = 896M赫兹
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
ü T P上ü T P上宽E R A N D ，D R AIN ú R R简牛逼
V ê R 5美，D R AIN V L T AG电子
18
14
12
10
8
6
4
2
0
输出功率P
OUT
(W)
16
漏电流I
D
(A)
D
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
，D R A IN V L T A G ê V
D D
(V )
14
16
F = 915M赫兹
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
18
16
14
12
10
8
P
OUT
I
D D
P
OUT
6
4
2
0
RA45H8994M1
三菱电机
3/9
二〇〇六年十二月二十○日
th
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA45H8994M1
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美，D R A IN V L T A G ê
90
输出功率P
OUT
(W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
，D R A IN V L T A G ê V
D D
(V )
F = 925M赫兹
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美，D R A IN V L T A G ê
18
输出功率P
OUT
(W)
16
漏电流I
D
(A)
D
14
12
10
8
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
，D R A IN V L T A G ê V
D D
(V )
F = 9 4 1M的赫兹
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
18
16
14
12
10
8
P
OUT
I
D D
I
D D
P
OUT
6
4
2
0
6
4
2
0
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
G A T E V L T A G ê V
G G 2
(V )
P
OUT
（ D B M）
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
12
漏电流I
D
(A)
D
10
8
6
4
2
0
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
I
D D
P
OUT
( W )
F = 915M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 5 0男女
12
漏电流I
D
(A)
D
漏电流
DD
(A)
I
漏电流
DD
(A)
I
漏电流
DD
(A)
I
P
OUT
（ D B M）
10
8
6
4
2
0
5
I
D D
P
OUT
( W )
F = 896M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 5 0男女
4
G A T E V L T A G ê V
G G 2
(V )
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
G G 2
(V
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
12
漏电流
DD
(A)
I
10
8
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
G G 2
(V
12
P
OUT
（ D B M）
P
OUT
（ D B M）
10
8
I
D D
P
OUT
( W )
6
4
F = 925M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 5 0男女
I
D D
P
OUT
( W )
F = 941M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 5 0男女
6
4
2
0
5
2
0
5
4
)
4
)
G A TE V 0 1 TA摹ê V
G A TE V 0 1 TA摹ê V
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
G G 2
(V
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
12
漏电流
DD
(A)
I
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
G G 2
(V
F = 896M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 4 D B M
P
OUT
（ D B M）
10
8
6
I
D D
P
OUT
( W )
F = 915M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 4 D B M
12
10
8
P
OUT
（ D B M）
6
4
I
D D
P
OUT
( W )
4
2
0
4
)
5
2
0
4
)
5
G A TE V 0 1 TA摹ê V
G A TE V 0 1 TA摹ê V
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
G G 2
(V
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
12
漏电流
DD
(A)
I
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
G G 2
(V
F = 925M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 4 D B M
P
OUT
（ D B M）
10
8
6
I
D D
P
OUT
( W )
F = 941M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 4 D B M
12
10
8
P
OUT
（ D B M）
6
4
4
2
0
4
5
I
D D
P
OUT
( W )
2
0
4
)
5
G A TE V 0 1 TA摹ê V
)
G A TE V 0 1 TA摹ê V
RA45H8994M1
三菱电机
4/9
二〇〇六年十二月二十○日
th
漏电流I
D
(A)
D
三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA45H8994M1
框图
2
3
符合RoHS标准， 896-941MHz 45W 12.8V ， 2级放大器。对于移动电
描述
该RA45H8994M1是一个45瓦的射频MOSFET放大器
模块12.8伏的工作在896-到移动无线电
941 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压1与栅电压2 （Ⅴ
GG1
=V
GG2
= 0V ） ，只有一小
泄漏电流流入漏极和标称输出
信号（P
OUT
= 45W ）衰减可达60分贝。当固定的，即3.4V ，是
提供给栅极电压1时，输出功率和漏
电流增加为栅极电压2增加。输出
功率和与栅极漏电流的增加基本上
的条件下，电压2周围0V （最小）时
栅极电压1保持在3.4V 。额定输出功率
在状态变为可用V
GG2
为4V （典型值）和5V
（最大值） 。在这一点上，V
GG1
已经被保持在3.4V
.
在V
GG1
= 3.4V & V
GG2
= 5V时典型栅极电流0.4毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.8V, V
GG1
=V
GG2
=0V)
1
4
5
1
2
3
4
5
射频输入增加栅极电压1 （P
in
＆放大器; V
GG1
)
栅极电压2 （V
GG2
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
P
OUT
>45W,
η
T
>33%
@V
DD
=12.8V, V
GG1
=3.4V, V
GG2
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 896-941MHz
金属结构封顶，使RF的改进
辐射简单
低功耗控制电流I
GG1
+I
GG2
=0.4mA(typ)
@ V
GG1
=3.4V, V
GG2
=5V
模块尺寸： 67 ×18× 9.9毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
封装代码： H2M
符合RoHS标准
RA45H8994M1是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA45H8994M1-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
th
RA45H8994M1
三菱电机
1/9
2008年2月29日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA45H8994M1
最大额定值
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG1
V
GG2
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压1
栅极电压2
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG1
=3.4V
±
7%, V
GG2
<5V ，P
in
=0W
V
GG2
<5V ，V
DD
<12.8V ，P
in
=50mW
V
GG1
=3.4V
±
7%, V
DD
<12.8V ，P
in
=50mW
f=896-941MHz,
V
GG1
=3.4V
±
7%, V
GG2
<5V
等级
17
4.5
6
100
60
-30到+100
-40到+110
单位
V
V
V
mW
W
°C
°C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
F
P
出1
ηT
2f
o
3f
o
ρ
in
I
DD
P
输出2
—
—
负载VSWR容差
* ：这是保证作为设计值。
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
频带
输出功率1
总有效率
2
3
nd
nd
条件
V
DD
=12.8V, V
GG1
=3.4V, V
GG2
= 5V ，P
in
=50mW
V
DD
=12.8V
V
GG1
=3.4V
V
GG2
=5V
P
in
=50mW
V
DD
=17V, V
GG1
=V
GG2
= 0V ，磷
in
=0W
V
DD
=15.2V, V
GG1
=3.4V, V
GG2
= 1V ，P
in
=4dBm
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=1-100mW,
1.5<P
OUT
<50W （V
GG2
控制，V
GG1
=3.4V),
负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
=50mW,
P
OUT
= 45W （V
GG2
控制，V
GG1
=3.4V),
负载电压驻波比= 20 ：1的
民
896
45
33
典型值
最大
941
单位
兆赫
W
%
谐波
谐波
-40
-40
3:1
1
2
无寄生振荡
没有退化或破坏
dBc的
dBc的
—
mA
W
—
—
输入VSWR
漏电流
输出功率2 *
稳定性
RA45H8994M1
三菱电机
2/9
2008年2月29日
th
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA45H8994M1
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
OUTPUTPOWER ， TOT AL EFF IC IE NCY ，
V ê RSU S F Q ü简
80
输出功率P
OUT
(W)
总有效率（ ％ ）
70
60
50
40
30
20
10
860 870 880 890 900 910 920 930 940 950 960
由于F R ê Q ü简 F（ M·H Z）
η
T
2
nd
, 3
rd
AR M O对 IC S ; V。E R 5美国由于F R é Q ü简
-3 0
P
OUT
谐波（ DBC）
-4 0
-5 0
-6 0
-7 0
-8 0
3
rd
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
2
nd
860 870 880 890 900 910 920 930 940 950 960
由于F R ê Q ü简 F（ M·H Z）
IN P ü T·V·S W R V è R 5美国由于F R é Q ü简
5
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
输入VSWR
ρ
in
(-)
4
3
2
ρ
in
1
860 870 880 890 900 910 920 930 940 950 960
由于F R ê Q ü简 F（ M·H Z）
ü T P上ü T P上宽E R， P 2 O 5宽E R G AIN一个N D
DR AIN电流对在PUTPOWER
60
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
50
40
30
20
I
D D
Gp
P
OUT
ü T P上ü T P上宽E R， P 2 O 5宽E R G AIN一个N D
DR AIN电流对在PUTPOWER
24
输出功率P
OUT
（ dBm的）
漏电流I
D
(A)
D
功率增益的Gp （分贝）
20
16
12
8
60
50
40
30
20
I
D D
Gp
P
OUT
24
漏电流
I
DD
(A)
漏电流I
D
(A)
D
漏电流I
D
(A)
D
20
16
12
8
4
0
20
10
0
-1 0
-5
0
5
10
IN P ü T P上宽E ; R P
in
（ D B M）
F = 896M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
4
0
20
10
0
-1 0
-5
0
5
10
IN P ü T P上宽E ; R P
in
（ D B M）
F = 9 1 5个M Hz的
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
15
15
ü T P上ü T P上宽E R， P 2 O 5宽E R G AIN一个N D
DR AIN电流对在PUTPOWER
60
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
50
40
30
20
I
D D
Gp
P
OUT
ü T P上ü T P上宽E R， P 2 O 5宽E R G AIN一个N D
DR AIN电流对在PUTPOWER
24
输出功率P
OUT
（ dBm的）
漏电流I
D
(A)
D
功率增益的Gp （分贝）
20
16
12
8
60
50
40
30
20
I
D D
Gp
P
OUT
24
20
16
12
8
4
0
20
10
0
-1 0
-5
0
5
10
IN P ü T P上宽E ; R P
in
（ D B M）
F = 925M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
4
0
20
10
0
-1 0
-5
0
5
10
IN P ü T P上宽E ; R P
in
（ D B M）
F = 9 4 1M的赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
15
15
ü T P上ü T P上宽E R A N D ，D R AIN ú R R简牛逼
V ê R 5美，D R AIN V L T AG电子
90
输出功率P
OUT
(W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
，D R A IN V L T A G ê V
D D
(V )
14
16
I
D D
F = 896M赫兹
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
ü T P上ü T P上宽E R A N D ，D R AIN ú R R简牛逼
V ê R 5美，D R AIN V L T AG电子
18
14
12
10
8
6
4
2
0
输出功率P
OUT
(W)
16
漏电流I
D
(A)
D
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
，D R A IN V L T A G ê V
D D
(V )
14
16
F = 915M赫兹
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
18
16
14
12
10
8
P
OUT
I
D D
P
OUT
6
4
2
0
RA45H8994M1
三菱电机
3/9
2008年2月29日
th
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA45H8994M1
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美，D R A IN V L T A G ê
90
输出功率P
OUT
(W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
，D R A IN V L T A G ê V
D D
(V )
F = 925M赫兹
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美，D R A IN V L T A G ê
18
输出功率P
OUT
(W)
16
漏电流I
D
(A)
D
14
12
10
8
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
，D R A IN V L T A G ê V
D D
(V )
F = 9 4 1M的赫兹
V
G G 1
= 3 .4 V
V
GG2
= 5 V
P
in
= 5 0男女
18
16
14
12
10
8
P
OUT
I
D D
I
D D
P
OUT
6
4
2
0
6
4
2
0
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
G A T E V L T A G ê V
G G 2
(V )
P
OUT
（ D B M）
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
12
漏电流I
D
(A)
D
10
8
6
4
2
0
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
I
D D
P
OUT
( W )
F = 915M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 5 0男女
12
漏电流I
D
(A)
D
漏电流
DD
(A)
I
漏电流
DD
(A)
I
漏电流
DD
(A)
I
P
OUT
（ D B M）
10
8
6
4
2
0
5
I
D D
P
OUT
( W )
F = 896M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 5 0男女
4
G A T E V L T A G ê V
G G 2
(V )
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
G G 2
(V
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
12
漏电流
DD
(A)
I
10
8
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
G G 2
(V
12
P
OUT
（ D B M）
P
OUT
（ D B M）
10
8
I
D D
P
OUT
( W )
6
4
F = 925M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 5 0男女
I
D D
P
OUT
( W )
F = 941M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 5 0男女
6
4
2
0
5
2
0
5
4
)
4
)
G A TE V 0 1 TA摹ê V
G A TE V 0 1 TA摹ê V
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
G G 2
(V
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
12
漏电流
DD
(A)
I
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
G G 2
(V
F = 896M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 4 D B M
P
OUT
（ D B M）
10
8
6
I
D D
P
OUT
( W )
F = 915M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 4 D B M
12
10
8
P
OUT
（ D B M）
6
4
I
D D
P
OUT
( W )
4
2
0
4
)
5
2
0
4
)
5
G A TE V 0 1 TA摹ê V
G A TE V 0 1 TA摹ê V
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
G G 2
(V
OUTPUTPOWER和DRA电流
V ê R 5美摹达E V L T AG电子2
12
漏电流
DD
(A)
I
输出功率P
OUT
（W）（ dBm的）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
G G 2
(V
F = 925M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 4 D B M
P
OUT
（ D B M）
10
8
6
I
D D
P
OUT
( W )
F = 941M赫兹
V
D D
= 1 2 .8 V
V
G G 1
= 3 .4 V
P
in
= 4 D B M
12
10
8
P
OUT
（ D B M）
6
4
4
2
0
4
5
I
D D
P
OUT
( W )
2
0
4
)
5
G A TE V 0 1 TA摹ê V
)
G A TE V 0 1 TA摹ê V
RA45H8994M1
三菱电机
4/9
2008年2月29日
th
漏电流I
D
(A)
D
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA45H8994M1
框图
2
3
符合RoHS标准， 896-941MHz 45W 12.8V ， 2级放大器。对于移动电
描述
该RA45H8994M1是一个45瓦的射频MOSFET放大器
模块12.8伏的工作在896-到移动无线电
941 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压1与栅电压2 （Ⅴ
GG1
=V
GG2
= 0V ） ，只有一小
泄漏电流流入漏极和标称输出
信号（P
OUT
= 45W ）衰减可达60分贝。当固定的，即3.4V ，是
提供给栅极电压1时，输出功率和漏
电流增加为栅极电压2增加。输出
功率和与栅极漏电流的增加基本上
的条件下，电压2周围0V （最小）时
栅极电压1保持在3.4V 。额定输出功率
在状态变为可用V
GG2
为4V （典型值）和5V
（最大值） 。在这一点上，V
GG1
已经被保持在3.4V
.
在V
GG1
= 3.4V & V
GG2
= 5V时典型栅极电流0.4毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.8V, V
GG1
=V
GG2
=0V)
1
4
5
1
2
3
4
5
射频输入增加栅极电压1 （P
in
＆放大器; V
GG1
)
栅极电压2 （V
GG2
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
P
OUT
>45W,
η
T
>33%
@V
DD
=12.8V, V
GG1
=3.4V, V
GG2
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 896-941MHz
金属结构封顶，使RF的改进
辐射简单
低功耗控制电流I
GG1
+I
GG2
=0.4mA(typ)
@ V
GG1
=3.4V, V
GG2
=5V
模块尺寸： 67 X 19.4 X 9.9毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
封装代码： H2M
符合RoHS标准
RA45H8994M1是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA45H8994M1-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
2010年6月25日
RA45H8994M1
1/9
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA45H8994M1
最大额定值
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG1
V
GG2
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压1
栅极电压2
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG1
=3.4V
±
7%, V
GG2
<5V ，P
in
=0W
V
GG2
<5V ，V
DD
<12.8V ，P
in
=50mW
V
GG1
=3.4V
±
7%, V
DD
<12.8V ，P
in
=50mW
f=896-941MHz,
V
GG1
=3.4V
±
7%, V
GG2
<5V
等级
17
4.5
6
100
60
-30到+100
-40到+110
单位
V
V
V
mW
W
°C
°C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
F
P
出1
ηT
2f
o
3f
o
ρ
in
I
DD
P
输出2
—
—
负载VSWR容差
* ：这是保证作为设计值。
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
频带
输出功率1
总有效率
2
3
nd
nd
条件
V
DD
=12.8V, V
GG1
=3.4V, V
GG2
= 5V ，P
in
=50mW
V
DD
=12.8V
V
GG1
=3.4V
V
GG2
=5V
P
in
=50mW
V
DD
=17V, V
GG1
=V
GG2
= 0V ，磷
in
=0W
V
DD
=15.2V, V
GG1
=3.4V, V
GG2
= 1V ，P
in
=4dBm
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=1-100mW,
1.5<P
OUT
<50W （V
GG2
控制，V
GG1
=3.4V),
负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
=50mW,
P
OUT
= 45W （V
GG2
控制，V
GG1
=3.4V),
负载电压驻波比= 20 ：1的
民
896
45
33
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
941
-
-
-40
-40
3:1
1
2
单位
兆赫
W
%
dBc的
dBc的
—
mA
W
—
—
谐波
谐波
输入VSWR
漏电流
输出功率2 *
稳定性
无寄生振荡
没有退化或破坏
RA45H8994M1
2010年6月25日
2/9
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA45H8994M1
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率，总有效率，
与频率
80
TPU PO ER P（W
U
T
W
)
OUT
TO
TAL EFFIC C（ ％
IEN Y）
70
60
50
40
30
20
η
T
V
DD
=12.8V
V
GG1
=3.4V
V
GG2
=5V
P
in
= 50米W
P
OUT
2
nd
, 3
rd
谐波与频率的关系
-30
-40
3
rd
V
DD
=12.8V
V
GG1
=3.4V
V
GG2
=5V
P
in
= 50米W
M N S（ DBC）
AR IC
-50
-60
2
nd
-70
-80
860 870 880 890 900 910 920 930 940 950 960
频率f（ MHz）的
10
860 870 880 890 900 910 920 930 940 950 960
频率f（ MHz）的
输入VSWR与频率
5
V
DD
=12.8V
V
GG1
=3.4V
V
GG2
=5V
P
in
= 50米W
在T VSW
ρ
in
(-)
PU
R
4
3
2
ρ
in
1
860 870 880 890 900 910 920 930 940 950 960
频率f（ MHz）的
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
60
TPU PO ER P（ dBm的
U
T
W
)
OUT
P
OUT
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
24
TPU PO ER P（ dBm的
U
T
W
)
OUT
AIN C R EN I
DD
(A)
R
ü 牛逼
PO ER摹
W
AIN G（分贝）
p
20
60
50
40
30
20
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
I
DD
f=915MHz
V
DD
=12.8V
V
GG1
=3.4V
V
GG2
=5V
Gp
P
OUT
24
AIN C R EN
I
DD
(A)
R
ü 牛逼
AIN C R EN I
DD
(A)
R
ü 牛逼
AIN C R EN I
DD
(A)
R
ü 牛逼
20
16
12
8
4
0
PO ER摹
W
AIN G（分贝）
p
50
40
30
20
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
I
DD
f=896MHz
V
DD
=12.8V
V
GG1
=3.4V
V
GG2
=5V
Gp
16
12
8
4
0
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
60
TPU PO ER P（ dBm的
U
T
W
)
OUT
PO ER摹
W
AIN G（分贝）
p
50
40
30
20
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
I
DD
F = 925M赫兹
V
DD
=12.8V
V
GG1
=3.4V
V
GG2
=5V
Gp
P
OUT
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
24
TPU PO ER P（ dBm的
U
T
W
)
OUT
AIN C R EN I
DD
(A)
R
ü 牛逼
PO ER摹
W
AIN G（分贝）
p
20
16
12
8
4
0
60
50
40
30
20
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
I
DD
F = 941M赫兹
V
DD
=12.8V
V
GG1
=3.4V
V
GG2
=5V
Gp
P
OUT
24
20
16
12
8
4
0
输出功率和漏电流
与漏极电压
90
TPU PO ER P（W
U
T
W
)
OUT
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
漏极电压V
DD
(V)
I
DD
P
OUT
F = 896M赫兹
V
GG1
=3.4V
V
GG2
=5V
P
in
= 50米W
输出功率和漏电流
与漏极电压
18
TPU PO ER P（W
U
T
W
)
OUT
16
AIN C R EN I
DD
(A)
R
ü 牛逼
14
12
10
8
6
4
2
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
漏极电压V
DD
(V)
I
DD
P
OUT
F = 915M赫兹
V
GG1
=3.4V
V
GG2
=5V
P
in
= 50米W
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
RA45H8994M1
2010年6月25日
3/9
QQ：2881677436 复制
