添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第302页 > RA30H4452M-101
三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA30H4452M
框图
符合RoHS指令，
440-520MHz 30W 12.5V移动无线电
描述
该RA30H4452M是一个30瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于440目给移动无线电
520 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围4V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在4.5V （典型值）和5V （最大） 。在
V
GG
= 5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>30W,
η
T
>40 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 440-520MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
66 ×21× 9.8毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
2
3
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H2S
符合RoHS标准
RA30H4452M - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA30H4452M-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA30H4452M
三菱电机
1/7
2006年8月1日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA30H4452M
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<5V
V
DD
<12.5V ，P
in
=0mW
f=440-520MHz,
Z
G
=Z
L
=50
等级
17
6
100
45
-30到+110
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
以上的参数被独立地保证
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
民
440
30
典型值
最大
520
单位
兆赫
W
%
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
40
-25
3:1
1
谐波
dBc的
—
mA
—
—
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
P
OUT
<40W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
= 50毫瓦，P
OUT
= 30W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
无寄生振荡
没有退化或破坏
所有的参数，条件，评分和限制如有变更，恕不另行通知
RA30H4452M
三菱电机
2/7
2006年8月1日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA30H4452M
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率，总有效率
和输入VSWR与频率的关系
总有效率
η
T
(%)
P
OUT
@V
GG
=5V
100
80
η
T
@ P
OUT
= 30W （V
GG
CONTROL ）
60
40
ρ
in
@ P
OUT
= 30W （V
GG
CONTROL ）
450
470
490
510
530
20
0
频率f（ MHz）的
输出功率P
OUT
(W)
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
50
输入VSWR
ρ
in
40
30
20
10
0
430
30
20
10
0
0
20
40
60
η
T
60
40
20
0
100
f=440MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
80
输入功率P
in
（ mW）的
输出功率和总有效率
与输入功率
50
100
总有效率
η
T
(%)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率P
OUT
(W)
40
30
η
T
20
10
0
0
20
40
60
f=480MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
输出功率和总有效率
与输入功率
100
50
P
OUT
40
30
20
10
0
0
20
40
60
η
T
80
60
40
f=520MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
P
OUT
80
60
40
20
0
100
20
0
100
80
80
输入功率P
in
（ mW）的
输入功率P
in
（ mW）的
总有效率
η
T
(%)
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
P
OUT
100
80
η
T
f=440MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
50
40
30
20
10
0
0
2
4
520MHz
100
80
η
T
60
40
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
60
40
20
0
20
0
6
8
10 12 14 16 18
4.5
5
5.5
6
漏极电压V
DD
(V)
栅极电压V
GG
(V)
输出功率和总有效率
与栅极电压
60
总有效率
η
T
(%)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率P
OUT
(W)
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
栅极电压V
GG
(V)
RA30H4452M
η
T
f=480MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
输出功率和总有效率
与栅极电压
60
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
栅极电压V
GG
(V)
η
T
f=520MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
P
OUT
100
80
60
40
20
0
100
P
OUT
80
60
40
20
0
三菱电机
3/7
2006年8月1日
总有效率
η
T
(%)
总有效率
η
T
(%)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率和总有效率
与漏极电压
70
440MHz
P
OUT
480MHz
60
输出功率和总有效率
与栅极电压
60
总有效率
η
T
(%)
总有效率
η
T
(%)
60
输出功率P
OUT
(W)
输出功率和总有效率
与输入功率
100
50
P
OUT
80
40
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA30H4452M
外形绘图
(mm)
66.0 ±0.5
3.0 ±0.3
7.25 ±0.8
60.0 ±0.5
51.5 ±0.5
2-R2 ±0.5
21.0 ±0.5
9.5 ±0.5
5
1
2
3
4
14.0 ±1
2.0 ±0.5
0.45 ±0.15
12.0 ±1
16.5 ±1
43.5 ±1
55.5 ±1
3.1 +0.6/-0.4
0.09 ±0.02
7.5 ±0.5
(50.4)
2.3 ±0.3
4.0 ±0.3
(9.88)
17.0 ±0.5
1 RF输入（P
in
)
2栅极电压（V
GG
)
3漏极电压（V
DD
)
4 RF输出（P
OUT
)
5射频接地（CASE ）
RA30H4452M
三菱电机
4/7
2006年8月1日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA30H4452M
测试框图
动力
计
1
2
DUT
3
4
5
SPECTRUM
分析仪
信号
发电机
衰减器
PRE-
扩音器
衰减器
定向
耦合器
Z
G
=50
Z
L
=50
定向
耦合器
衰减器
动力
计
C1
C2
C1，C2 ：为4700pF ， 22μF的并联
-
+
直流电源
电源V
GG
+
-
直流电源
电源V
DD
1 RF输入（P
in
)
2栅极电压（V
GG
)
3漏极电压（V
DD
)
4 RF输出（P
OUT
)
5射频接地（CASE ）
等效电路
2
3
1
4
5
RA30H4452M
三菱电机
5/7
2006年8月1日
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA30H4452M
框图
符合RoHS指令，
440-520MHz 30W 12.5V移动无线电
描述
该RA30H4452M是一个30瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于440目给移动无线电
520 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围4V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在4.5V （典型值）和5V （最大） 。在
V
GG
= 5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>30W,
η
T
>40 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 440-520MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
66 ×21× 9.8毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
2
3
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H2S
符合RoHS标准
RA30H4452M - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA30H4452M-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA30H4452M
2010年6月25日
1/8
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA30H4452M
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
f=440-520MHz,
Z
G
=Z
L
=50
条件
V
GG
<5V
V
DD
<12.5V ，P
in
=0mW
等级
17
6
100
45
-30到+110
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
以上的参数被独立地保证
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
民
440
30
典型值
-
-
-
-
-
1
最大
520
-
-
-25
3:1
-
单位
兆赫
W
%
dBc的
—
mA
—
—
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
P
OUT
<40W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
= 50毫瓦，P
OUT
= 30W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
40
-
-
-
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
无寄生振荡
没有退化或破坏
所有的参数，条件，评分和限制如有变更，恕不另行通知
RA30H4452M
2010年6月25日
2/8
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA30H4452M
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率，总有效率
和输入VSWR与频率的关系
总有效率
η
T
(%)
P
OUT
@V
GG
=5V
100
80
η
T
@ P
OUT
= 30W （V
GG
CONTROL ）
60
40
ρ
in
@ P
OUT
= 30W （V
GG
CONTROL ）
450
470
490
510
530
20
0
频率f（ MHz）的
输出功率P
OUT
(W)
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
50
输入VSWR
ρ
in
40
30
20
10
0
430
30
20
10
0
0
20
40
60
η
T
60
40
20
0
100
f=440MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
80
输入功率P
in
（ mW）的
输出功率和总有效率
与输入功率
50
100
总有效率
η
T
(%)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率P
OUT
(W)
40
30
η
T
20
10
0
0
20
40
60
f=480MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
输出功率和总有效率
与输入功率
100
50
P
OUT
40
30
20
10
0
0
20
40
60
η
T
80
60
40
f=520MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
P
OUT
80
60
40
20
0
100
20
0
100
80
80
输入功率P
in
（ mW）的
输入功率P
in
（ mW）的
总有效率
η
T
(%)
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
P
OUT
100
80
η
T
f=440MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
50
40
30
20
10
0
0
2
4
520MHz
100
80
η
T
60
40
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
60
40
20
0
20
0
6
8
10 12 14 16 18
4.5
5
5.5
6
漏极电压V
DD
(V)
栅极电压V
GG
(V)
输出功率和总有效率
与栅极电压
60
总有效率
η
T
(%)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率P
OUT
(W)
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
栅极电压V
GG
(V)
RA30H4452M
η
T
f=480MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
输出功率和总有效率
与栅极电压
60
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
栅极电压V
GG
(V)
2010年6月25日
η
T
f=520MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
P
OUT
100
80
60
40
20
0
100
P
OUT
80
60
40
20
0
3/8
总有效率
η
T
(%)
总有效率
η
T
(%)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率和总有效率
与漏极电压
70
440MHz
P
OUT
480MHz
60
输出功率和总有效率
与栅极电压
60
总有效率
η
T
(%)
总有效率
η
T
(%)
60
输出功率P
OUT
(W)
输出功率和总有效率
与输入功率
100
50
P
OUT
80
40
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA30H4452M
外形绘图
(mm)
66.0 ±0.5
3.0 ±0.3
7.25 ±0.8
60.0 ±0.5
51.5 ±0.5
2-R2 ±0.5
21.0 ±0.5
9.5 ±0.5
5
1
2
3
4
14.0 ±1
2.0 ±0.5
0.45 ±0.15
12.0 ±1
16.5 ±1
43.5 ±1
55.5 ±1
3.1 +0.6/-0.4
0.09 ±0.02
7.5 ±0.5
(50.4)
2.3 ±0.3
4.0 ±0.3
(9.88)
17.0 ±0.5
1 RF输入（P
in
)
2栅极电压（V
GG
)
3漏极电压（V
DD
)
4 RF输出（P
OUT
)
5射频接地（CASE ）
RA30H4452M
2010年6月25日
4/8
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA30H4452M
测试框图
动力
计
1
2
DUT
3
4
5
SPECTRUM
分析仪
信号
发电机
衰减器
PRE-
扩音器
衰减器
定向
耦合器
Z
G
=50
Z
L
=50
定向
耦合器
衰减器
动力
计
C1
C2
C1，C2 ：为4700pF ， 22μF的并联
-
+
直流电源
电源V
GG
+
-
直流电源
电源V
DD
1 RF输入（P
in
)
2栅极电压（V
GG
)
3漏极电压（V
DD
)
4 RF输出（P
OUT
)
5射频接地（CASE ）
等效电路
2
3
1
4
5
RA30H4452M
2010年6月25日
5/8
查看更多RA30H4452M-101PDF信息
推荐型号
RV4153N
REF02NTBC
RC0805JR-072K2L
RDXA-R2140-T1950A
R532Z
RN5RZ48LA-TL
RF6100-4PCBA
RM204C
R1210N391D-TL
RN5RL28AA-T2
RN73C2A6K19BTDF
R3810
REG101UA-A/3K
REC2.2-483.3SRH1SMD
RTL8130
RC0603FR-079K76
RHFACT02K1
RSZ-0706
R1221N25AE-TR
RLZ2V2A
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RA30H4452M-101
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市晶美隆科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885393495 复制

电话：0755-82865294/82517859
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
RA30H4452M-101
MITSUBI
24+
3950
模块
原装进口现货价格优惠长期供货
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
RA30H4452M-101
MITSUBISHI
19+
15000
H2S
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
上海齐创科技有限公司（上海青岛北京）
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2394092314 复制 点击这里给我发消息 QQ：792179102 复制 点击这里给我发消息 QQ：841523240 复制

电话：021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务
联系人：李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票
地址：上海公司：上海市静安区海宁路1399号金城大厦 北京公司：海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼 青岛公司：城阳区正阳路205号海都国际A座805
RA30H4452M-101
MITSUBISHI
25+热销
11800新到
原装
【现货库存】全新原装热卖
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
RA30H4452M-101
MITSUBISHI/三菱
2024
205
MOUDLE
上海原装现货，专营模块
深圳双信达智能科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：195847376 复制 点击这里给我发消息 QQ：583757894 复制

电话：0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人：销售部
地址：广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
RA30H4452M-101
MITSUBISHI/三菱
25+
RA30H4452M（100%三菱原装正品假一赔十）
优势
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
RA30H4452M-101
-
22+
32570
NA
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
RA30H4452M-101
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9985
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市豪迈兴电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1758033668 复制 点击这里给我发消息 QQ：957150379 复制 点击这里给我发消息 QQ：1729079884 复制

电话：0755-28227524/89202071/82704952/13430681361
联系人：陈先生/李小姐/李先生【只售原装假一罚百】豪迈兴你值得信赖的供应商！
地址：深圳市福田区华强北新亚洲二期N1B166,深圳市福田区华强北振兴路华匀大厦1栋315室 香港九龙湾临兴街21号美罗中心二期1908室
RA30H4452M-101
N/A
2346+
128369
MODule
假一罚百！公司原装现货 绝无虚假 特价热卖！真实库存！
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
RA30H4452M-101
-
22+
32570
NA
全新原装正品/质量有保证
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
RA30H4452M-101
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8550
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多RA30H4452M-101供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！