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三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA30H4452M
框图
符合RoHS指令，
440-520MHz 30W 12.5V移动无线电
描述
该RA30H4452M是一个30瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于440目给移动无线电
520 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围4V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在4.5V （典型值）和5V （最大） 。在
V
GG
= 5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>30W,
η
T
>40 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 440-520MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
66 ×21× 9.8毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
2
3
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H2S
符合RoHS标准
RA30H4452M - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA30H4452M-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA30H4452M
三菱电机
1/7
2006年8月1日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA30H4452M
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<5V
V
DD
<12.5V ，P
in
=0mW
f=440-520MHz,
Z
G
=Z
L
=50
等级
17
6
100
45
-30到+110
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
以上的参数被独立地保证
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
民
440
30
典型值
最大
520
单位
兆赫
W
%
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
40
-25
3:1
1
谐波
dBc的
—
mA
—
—
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
P
OUT
<40W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
= 50毫瓦，P
OUT
= 30W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
无寄生振荡
没有退化或破坏
所有的参数，条件，评分和限制如有变更，恕不另行通知
RA30H4452M
三菱电机
2/7
2006年8月1日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA30H4452M
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率，总有效率
和输入VSWR与频率的关系
总有效率
η
T
(%)
P
OUT
@V
GG
=5V
100
80
η
T
@ P
OUT
= 30W （V
GG
CONTROL ）
60
40
ρ
in
@ P
OUT
= 30W （V
GG
CONTROL ）
450
470
490
510
530
20
0
频率f（ MHz）的
输出功率P
OUT
(W)
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
50
输入VSWR
ρ
in
40
30
20
10
0
430
30
20
10
0
0
20
40
60
η
T
60
40
20
0
100
f=440MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
80
输入功率P
in
（ mW）的
输出功率和总有效率
与输入功率
50
100
总有效率
η
T
(%)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率P
OUT
(W)
40
30
η
T
20
10
0
0
20
40
60
f=480MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
输出功率和总有效率
与输入功率
100
50
P
OUT
40
30
20
10
0
0
20
40
60
η
T
80
60
40
f=520MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
P
OUT
80
60
40
20
0
100
20
0
100
80
80
输入功率P
in
（ mW）的
输入功率P
in
（ mW）的
总有效率
η
T
(%)
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
P
OUT
100
80
η
T
f=440MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
50
40
30
20
10
0
0
2
4
520MHz
100
80
η
T
60
40
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
60
40
20
0
20
0
6
8
10 12 14 16 18
4.5
5
5.5
6
漏极电压V
DD
(V)
栅极电压V
GG
(V)
输出功率和总有效率
与栅极电压
60
总有效率
η
T
(%)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率P
OUT
(W)
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
栅极电压V
GG
(V)
RA30H4452M
η
T
f=480MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
输出功率和总有效率
与栅极电压
60
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
栅极电压V
GG
(V)
η
T
f=520MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
P
OUT
100
80
60
40
20
0
100
P
OUT
80
60
40
20
0
三菱电机
3/7
2006年8月1日
总有效率
η
T
(%)
总有效率
η
T
(%)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率和总有效率
与漏极电压
70
440MHz
P
OUT
480MHz
60
输出功率和总有效率
与栅极电压
60
总有效率
η
T
(%)
总有效率
η
T
(%)
60
输出功率P
OUT
(W)
输出功率和总有效率
与输入功率
100
50
P
OUT
80
40
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA30H4452M
外形绘图
(mm)
66.0 ±0.5
3.0 ±0.3
7.25 ±0.8
60.0 ±0.5
51.5 ±0.5
2-R2 ±0.5
21.0 ±0.5
9.5 ±0.5
5
1
2
3
4
14.0 ±1
2.0 ±0.5
0.45 ±0.15
12.0 ±1
16.5 ±1
43.5 ±1
55.5 ±1
3.1 +0.6/-0.4
0.09 ±0.02
7.5 ±0.5
(50.4)
2.3 ±0.3
4.0 ±0.3
(9.88)
17.0 ±0.5
1 RF输入（P
in
)
2栅极电压（V
GG
)
3漏极电压（V
DD
)
4 RF输出（P
OUT
)
5射频接地（CASE ）
RA30H4452M
三菱电机
4/7
2006年8月1日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA30H4452M
测试框图
动力
计
1
2
DUT
3
4
5
SPECTRUM
分析仪
信号
发电机
衰减器
PRE-
扩音器
衰减器
定向
耦合器
Z
G
=50
Z
L
=50
定向
耦合器
衰减器
动力
计
C1
C2
C1，C2 ：为4700pF ， 22μF的并联
-
+
直流电源
电源V
GG
+
-
直流电源
电源V
DD
1 RF输入（P
in
)
2栅极电压（V
GG
)
3漏极电压（V
DD
)
4 RF输出（P
OUT
)
5射频接地（CASE ）
等效电路
2
3
1
4
5
RA30H4452M
三菱电机
5/7
2006年8月1日
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA30H4452M
框图
符合RoHS指令，
440-520MHz 30W 12.5V移动无线电
描述
该RA30H4452M是一个30瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于440目给移动无线电
520 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围4V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在4.5V （典型值）和5V （最大） 。在
V
GG
= 5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>30W,
η
T
>40 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 440-520MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
66 ×21× 9.8毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
2
3
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H2S
符合RoHS标准
RA30H4452M - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA30H4452M-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA30H4452M
2010年6月25日
1/8
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA30H4452M
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
f=440-520MHz,
Z
G
=Z
L
=50
条件
V
GG
<5V
V
DD
<12.5V ，P
in
=0mW
等级
17
6
100
45
-30到+110
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
以上的参数被独立地保证
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
民
440
30
典型值
-
-
-
-
-
1
最大
520
-
-
-25
3:1
-
单位
兆赫
W
%
dBc的
—
mA
—
—
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
P
OUT
<40W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
= 50毫瓦，P
OUT
= 30W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
40
-
-
-
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
无寄生振荡
没有退化或破坏
所有的参数，条件，评分和限制如有变更，恕不另行通知
RA30H4452M
2010年6月25日
2/8
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA30H4452M
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率，总有效率
和输入VSWR与频率的关系
总有效率
η
T
(%)
P
OUT
@V
GG
=5V
100
80
η
T
@ P
OUT
= 30W （V
GG
CONTROL ）
60
40
ρ
in
@ P
OUT
= 30W （V
GG
CONTROL ）
450
470
490
510
530
20
0
频率f（ MHz）的
输出功率P
OUT
(W)
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
50
输入VSWR
ρ
in
40
30
20
10
0
430
30
20
10
0
0
20
40
60
η
T
60
40
20
0
100
f=440MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
80
输入功率P
in
（ mW）的
输出功率和总有效率
与输入功率
50
100
总有效率
η
T
(%)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率P
OUT
(W)
40
30
η
T
20
10
0
0
20
40
60
f=480MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
输出功率和总有效率
与输入功率
100
50
P
OUT
40
30
20
10
0
0
20
40
60
η
T
80
60
40
f=520MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
P
OUT
80
60
40
20
0
100
20
0
100
80
80
输入功率P
in
（ mW）的
输入功率P
in
（ mW）的
总有效率
η
T
(%)
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
P
OUT
100
80
η
T
f=440MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
50
40
30
20
10
0
0
2
4
520MHz
100
80
η
T
60
40
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
60
40
20
0
20
0
6
8
10 12 14 16 18
4.5
5
5.5
6
漏极电压V
DD
(V)
栅极电压V
GG
(V)
输出功率和总有效率
与栅极电压
60
总有效率
η
T
(%)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率P
OUT
(W)
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
栅极电压V
GG
(V)
RA30H4452M
η
T
f=480MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
输出功率和总有效率
与栅极电压
60
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
栅极电压V
GG
(V)
2010年6月25日
η
T
f=520MHz,
V
DD
=12.5V,
P
in
=50mW
P
OUT
100
80
60
40
20
0
100
P
OUT
80
60
40
20
0
3/8
总有效率
η
T
(%)
总有效率
η
T
(%)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率P
OUT
(W)
输出功率和总有效率
与漏极电压
70
440MHz
P
OUT
480MHz
60
输出功率和总有效率
与栅极电压
60
总有效率
η
T
(%)
总有效率
η
T
(%)
60
输出功率P
OUT
(W)
输出功率和总有效率
与输入功率
100
50
P
OUT
80
40
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA30H4452M
外形绘图
(mm)
66.0 ±0.5
3.0 ±0.3
7.25 ±0.8
60.0 ±0.5
51.5 ±0.5
2-R2 ±0.5
21.0 ±0.5
9.5 ±0.5
5
1
2
3
4
14.0 ±1
2.0 ±0.5
0.45 ±0.15
12.0 ±1
16.5 ±1
43.5 ±1
55.5 ±1
3.1 +0.6/-0.4
0.09 ±0.02
7.5 ±0.5
(50.4)
2.3 ±0.3
4.0 ±0.3
(9.88)
17.0 ±0.5
1 RF输入（P
in
)
2栅极电压（V
GG
)
3漏极电压（V
DD
)
4 RF输出（P
OUT
)
5射频接地（CASE ）
RA30H4452M
2010年6月25日
4/8
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA30H4452M
测试框图
动力
计
1
2
DUT
3
4
5
SPECTRUM
分析仪
信号
发电机
衰减器
PRE-
扩音器
衰减器
定向
耦合器
Z
G
=50
Z
L
=50
定向
耦合器
衰减器
动力
计
C1
C2
C1，C2 ：为4700pF ， 22μF的并联
-
+
直流电源
电源V
GG
+
-
直流电源
电源V
DD
1 RF输入（P
in
)
2栅极电压（V
GG
)
3漏极电压（V
DD
)
4 RF输出（P
OUT
)
5射频接地（CASE ）
等效电路
2
3
1
4
5
RA30H4452M
2010年6月25日
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