三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA30H3340M
330-400MHz 30W 12.5V移动无线电
框图
描述
该RA30H3340M是一个30瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于330-到移动无线电
400 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围4V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在4.5V （典型值）和5V （最大） 。在
V
GG
= 5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率与
输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>30W,
η
T
>40 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 330-400MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
66 ×21× 9.8毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
2
3
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
订货信息：
订单号
RA30H3340M-E01
RA30H3340M-01
（日本 - 包装无干燥器）
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA30H3340M
三菱电机
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2002年12月2日
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