三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA30H1317M
135-175MHz 30W 12.5V移动无线电
框图
2
3
描述
该RA30H1317M是一个30瓦的射频MOSFET放大器模块
为12.5伏工作于135-至175 -MHz的移动无线电
范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入漏极
与RF输入信号衰减高达60分贝。输出功率
和漏电流增加的栅极电压增加。有
周围3.5V （最低），输出功率和漏栅电压
目前的大幅增加。额定输出功率
可用在4V （典型值）和5V （最大） 。在V
GG
=5V,
典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率与
输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>30W,
η
T
>40 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 135-175MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
模块尺寸： 66 ×21× 9.88毫米
线性操作有可能通过设置静态漏电流
与栅极电压和控制输出功率与
输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
订货信息：
订单号
RA30H1317M-E01
RA30H1317M-01
（日本 - 包装无干燥器）
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA30H1317M
三菱电机
1/9
2002年12月23日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA30H 1317M
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
参数
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<5V
V
DD
<12.5V ，P
in
=0mW
f=135-175MHz,
Z
G
=Z
L
=50
等级
17
6
100
45
-30到+110
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
P
OUT
<40W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
= 50毫瓦，P
OUT
= 30W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
1
无寄生振荡
没有退化或
破坏
条件
民
135
30
40
典型值
最大
175
单位
兆赫
W
%
-25
3:1
dBc的
—
mA
—
—
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA30H1317M
三菱电机
2/9
2002年12月23日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA30H 1317M
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
典型性能数据
输出功率，总有效率，
输入VSWR与频率
60
输出功率Po （ W）
50
40
30
20
10
0
130
ETA
Po
@V
输出功率，效率
随输入功率
50
输出功率Po （ W）
Po
120
总有效率
埃塔（ ％ ）
100
80
60
40
In
100
80
ETA
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
输入功率Pin （MW ）
freq.=135MHz
VDD = 12.5V ， VGG = 5V
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
60
40
20
0
100
VDD = 12.5V ，引脚= 50mW的
PO = 30W （ VGG ：形容词）
（ VGG = 5V宝措施）
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
20
0
180
140
150
160
170
频率f（ MHz）的
输出功率，效率
随输入功率
50
输出功率Po （ W）
Po
输出功率，效率
随输入功率
100
输出功率Po （ W）
总有效率
埃塔（ ％ ）
80
60
40
50
Po
100
80
60
ETA
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
输入功率Pin （MW ）
freq.=155MHz
VDD = 12.5V ， VGG = 5V
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
输入功率Pin （MW ）
freq.=175MHz
VDD = 12.5V ， VGG = 5V
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
ETA
40
20
0
100
20
0
100
输出功率，效率
VS.漏极供电电压
60
输出功率Po （ W）
50
40
30
ETA
f=135/155/175MHz
VGG = 5V ，引脚= 50mW的
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
输出功率，效率
VS. GATE电源电压
120
100
输出功率Po （ W）
总有效率
埃塔（ ％ ）
60
50
40
30
20
10
0
2
2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5
GATE电压（V
GG
)
6
ETA
f=135MHz
VDD = 12.5V ，引脚= 50mW的
ZG = ZL = 50欧姆， TV = + 25degC
120
Po
80
60
40
：为135MHz
： 155MHz的
- - - - - ： 175MHz的
80
60
40
20
0
20
10
0
0
2
4
6
8
10
12
漏极电压（V
DD
)
20
0
输出功率，效率
VS. GATE电源电压
60
输出功率Po （ W）
50
40
30
ETA
输出功率，效率
VS. GATE电源电压
120
输出功率Po （ W）
60
总有效率
埃塔（ ％ ）
50
40
ETA
Po
100
80
60
40
20
0
80
60
40
20
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5 5.5
6
GATE电压（V
GG
)
30
20
10
0
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
GATE电压（V
GG
)
RA30H1317M
三菱电机
3/9
总有效率
埃塔（ ％ ）
f=155MHz
VDD = 12.5V ，引脚= 50mW的
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
f=175MHz
VDD = 12.5V ，引脚= 50mW的
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
120
Po
100
TOTL效率
埃塔（ ％ ）
Po
100
总有效率
埃塔（ ％ ）
总有效率
埃塔（ ％ ）
2002年12月23日
三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA30H1317M
135-175MHz 30W 12.5V移动无线电
框图
2
3
描述
该RA30H1317M是一个30瓦的射频MOSFET放大器模块
为12.5伏工作于135-至175 -MHz的移动无线电
范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入漏极
与RF输入信号衰减高达60分贝。输出功率
和漏电流增加的栅极电压增加。有
周围3.5V （最低），输出功率和漏栅电压
目前的大幅增加。额定输出功率
可用在4V （典型值）和5V （最大） 。在V
GG
=5V,
典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率与
输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>30W,
η
T
>40 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 135-175MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
模块尺寸： 66 ×21× 9.88毫米
线性操作有可能通过设置静态漏电流
与栅极电压和控制输出功率与
输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
订货信息：
订单号
RA30H1317M-E01
RA30H1317M-01
（日本 - 包装无干燥器）
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA30H1317M
三菱电机
1/9
2002年12月23日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA30H 1317M
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
参数
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<5V
V
DD
<12.5V ，P
in
=0mW
f=135-175MHz,
Z
G
=Z
L
=50
等级
17
6
100
45
-30到+110
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
P
OUT
<40W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
= 50毫瓦，P
OUT
= 30W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
1
无寄生振荡
没有退化或
破坏
条件
民
135
30
40
典型值
最大
175
单位
兆赫
W
%
-25
3:1
dBc的
—
mA
—
—
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA30H1317M
三菱电机
2/9
2002年12月23日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA30H 1317M
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
典型性能数据
输出功率，总有效率，
输入VSWR与频率
60
输出功率Po （ W）
50
40
30
20
10
0
130
ETA
Po
@V
输出功率，效率
随输入功率
50
输出功率Po （ W）
Po
120
总有效率
埃塔（ ％ ）
100
80
60
40
In
100
80
ETA
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
输入功率Pin （MW ）
freq.=135MHz
VDD = 12.5V ， VGG = 5V
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
60
40
20
0
100
VDD = 12.5V ，引脚= 50mW的
PO = 30W （ VGG ：形容词）
（ VGG = 5V宝措施）
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
20
0
180
140
150
160
170
频率f（ MHz）的
输出功率，效率
随输入功率
50
输出功率Po （ W）
Po
输出功率，效率
随输入功率
100
输出功率Po （ W）
总有效率
埃塔（ ％ ）
80
60
40
50
Po
100
80
60
ETA
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
输入功率Pin （MW ）
freq.=155MHz
VDD = 12.5V ， VGG = 5V
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
输入功率Pin （MW ）
freq.=175MHz
VDD = 12.5V ， VGG = 5V
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
ETA
40
20
0
100
20
0
100
输出功率，效率
VS.漏极供电电压
60
输出功率Po （ W）
50
40
30
ETA
f=135/155/175MHz
VGG = 5V ，引脚= 50mW的
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
输出功率，效率
VS. GATE电源电压
120
100
输出功率Po （ W）
总有效率
埃塔（ ％ ）
60
50
40
30
20
10
0
2
2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5
GATE电压（V
GG
)
6
ETA
f=135MHz
VDD = 12.5V ，引脚= 50mW的
ZG = ZL = 50欧姆， TV = + 25degC
120
Po
80
60
40
：为135MHz
： 155MHz的
- - - - - ： 175MHz的
80
60
40
20
0
20
10
0
0
2
4
6
8
10
12
漏极电压（V
DD
)
20
0
输出功率，效率
VS. GATE电源电压
60
输出功率Po （ W）
50
40
30
ETA
输出功率，效率
VS. GATE电源电压
120
输出功率Po （ W）
60
总有效率
埃塔（ ％ ）
50
40
ETA
Po
100
80
60
40
20
0
80
60
40
20
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5 5.5
6
GATE电压（V
GG
)
30
20
10
0
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
GATE电压（V
GG
)
RA30H1317M
三菱电机
3/9
总有效率
埃塔（ ％ ）
f=155MHz
VDD = 12.5V ，引脚= 50mW的
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
f=175MHz
VDD = 12.5V ，引脚= 50mW的
ZG = ZL = 50欧姆，TC = + 25deg.C
120
Po
100
TOTL效率
埃塔（ ％ ）
Po
100
总有效率
埃塔（ ％ ）
总有效率
埃塔（ ％ ）
2002年12月23日
QQ：2881677436 复制
