三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA30H1317M
框图
2
3
符合RoHS指令，
135-175MHz 30W 12.5V 2级放大器。对于移动电
描述
该RA30H1317M是一个30瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于135-到移动无线电
175 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围3.5V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在4V （典型值）和5V （最大） 。在V
GG
=5V,
典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>30W,
η
T
>40 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 135-175MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
模块尺寸： 66 ×21× 9.88毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H2S
符合RoHS标准
RA30H1317M - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA30H1317M-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA30H1317M
三菱电机
1/8
2006年1月24日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA30H1317M
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<5V
V
DD
<12.5V ，P
in
=0mW
f=135-175MHz,
Z
G
=Z
L
=50
等级
17
6
100
45
-30到+110
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
民
135
30
典型值
最大
175
单位
兆赫
W
%
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
40
-25
3:1
1
谐波
dBc的
—
mA
—
—
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
P
OUT
<40W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
= 50毫瓦，P
OUT
= 30W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
无寄生振荡
没有退化或破坏
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA30H1317M
三菱电机
2/8
24Jan 2006年
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA30H1317M
框图
2
3
符合RoHS指令，
135-175MHz 30W 12.5V 2级放大器。对于移动电
描述
该RA30H1317M是一个30瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于135-到移动无线电
175 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。
周围3.5V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在4V （典型值）和5V （最大） 。在V
GG
=5V,
典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>30W,
η
T
>40 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 135-175MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
模块尺寸： 66 ×21× 9.88毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H2S
符合RoHS标准
RA30H1317M - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA30H1317M-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA30H1317M
2010年6月24日
1/9
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA30H1317M
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
f=135-175MHz,
Z
G
=Z
L
=50
条件
V
GG
<5V
V
DD
<12.5V ，P
in
=0mW
等级
17
6
100
45
-30到+110
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
民
135
30
典型值
-
-
-
-
-
1
最大
175
-
-
-35
3:1
-
单位
兆赫
W
%
dBc的
—
mA
—
—
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
40
-
-
-
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
P
OUT
<30W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
= 50毫瓦，P
OUT
= 30W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
无寄生振荡
超过-60dBc
没有退化或破坏
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA30H1317M
2010年6月24日
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