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三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA07M4452M
框图
2
3
440-520MHz 7W 7.2V , 2级放大器。用于便携式无线电
描述
该RA07M4452M是一个7瓦的射频MOSFET放大器模块
7.2伏的工作在440目 520 MHz的便携式收音机
范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压(V
GG
= 0V)时,只有很小的漏电流流入漏极
与RF输入信号衰减高达60分贝。输出功率
和漏电流增加的栅极电压增加。有
周围2.5V (最低),输出功率和漏栅电压
目前的大幅增加。额定输出功率
在3V (典型值)和3.5V (最大)变为可用。在
V
GG
= 3.5V ,典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制,但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率与
输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=7.2V, V
GG
=0V)
P
OUT
>7W @ V
DD
=7.2V, V
GG
= 3.5V ,P
in
=50mW
η
T
>40 %@ P
OUT
= 6.5W (V
GG
控制) ,V
DD
= 7.2V ,P
in
=50mW
宽带频率范围: 440-520MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA(典型值),在V
GG
=3.5V
模块尺寸: 30 ×10× 5.4毫米
线性操作有可能通过设置静态漏电流
与栅极电压和控制输出功率与
输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入(P
in
)
栅极电压(V
GG
) ,功率控制
漏极电压(V
DD
) ,电池
RF输出(P
OUT
)
射频接地(CASE )
封装代码: H46S
订货信息:
订单号
RA07M4452M-E01
RA07M4452M-01
(日本 - 包装无干燥器)
供货形式
防静电托盘,
25模块/托盘
RA07M4452M
三菱电机
1/9
2003年4月25日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA07M4452M
等级
9.2
4
70
10
-30至+90
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
最大额定值
(T
= + 25 ℃,除非另有规定)
符号
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例( OP )
T
英镑
参数
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<3.5V
V
DD
<7.2V ,P
in
=0mW
f=440-520MHz,
Z
G
=Z
L
=50
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
= + 25 ° C,Z
G
=Z
L
= 50Ω ,除非另有规定)
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
频带
输出功率
总有效率
2
nd
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 4.0-9.2V ,P
in
= 25-70mW ,P
OUT
<8W (V
GG
控制) ,
负载电压驻波比= 4 :1的
V
DD
= 9.2V ,P
in
= 50毫瓦,P
OUT
= 7W (V
GG
控制) ,
负载电压驻波比= 20 :1的
P
OUT
= 6.5W (V
GG
控制) ,
V
DD
=7.2V,
P
in
=50mW
1
无寄生振荡
没有退化或
破坏
V
DD
=7.2V,V
GG
= 3.5V ,P
in
=50mW
条件
440
7
40
典型值
最大
520
单位
兆赫
W
%
-25
4:1
dBc的
mA
所有参数,条件,收视率,并限制如有变更,恕不另行通知。
RA07M4452M
三菱电机
2/9
2003年4月25日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA07M4452M
rd
典型性能
(T
= + 25 ° C,Z
G
=Z
L
= 50Ω ,除非另有规定)
输出功率,总有效率,
和输入VSWR与频率的关系
10
9
OUT
(W)
2
nd
, 3次谐波与频率的关系
100
-20
-30
总有效率
η
T
(%)
谐波( DBC)
-40
-50
-60
V
DD
=7.2V
P
in
=50mW
ρ
in
(-)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
430
P
OUT
@V
GG
=3.5V
90
80
70
60
输出功率P
输入VSWR
η
T
@P
OUT
=6.5W
V
DD
=7.2V
P
in
=50mW
50
40
30
20
10
0
530
2
nd
@P
OUT
=6.5W
ρ
in
@P
OUT
=6.5W
3
@P
OUT
=6.5W
-70
430
rd
450
470
490
510
频率f( MHz)的
450
470
490
频率f( MHz)的
510
530
输出功率,功率增益和
漏极电流与输入功率
50
OUT
( dBm的)
输出功率,功率增益和
漏极电流与输入功率
10
8
漏电流
I
DD
(A)
6
4
输出功率P
OUT
( dBm的)
功率增益的Gp (分贝)
50
40
30
20
I
DD
10
0
-10
-5
0
5
10
输入功率P
in
( dBm的)
15
20
2
0
f=480MHz,
V
DD
=7.2V,
V
GG
=3.5V
P
OUT
Gp
40
功率增益的Gp (分贝)
30
20
f=440MHz,
V
DD
=7.2V,
V
GG
=3.5V
Gp
10
8
6
4
漏电流
8
f=480MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
=50mW
P
OUT
输出功率P
I
DD
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
( dBm的)
2
0
输出功率,功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率P
OUT
( dBm的)
功率增益的Gp (分贝)
40
30
Gp
f=520MHz,
V
DD
=7.2V,
V
GG
=3.5V
P
OUT
10
8
6
漏电流
I
DD
(A)
20
I
DD
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
( dBm的)
4
2
0
输出功率和漏电流
与漏极电压
16
OUT
(W)
输出功率和漏电流
与漏极电压
8
OUT
(W)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2
3
4
5
6
7
8
漏极电压V
DD
(V)
9
10
I
DD
14
12
10
8
6
4
2
0
2
DD
(A)
P
OUT
P
OUT
输出功率P
漏电流I
输出功率P
4
I
D D
2
4
2
0
3
4
5
6
7
8
漏极电压V
D
(V)
D
9
10
0
RA07M4452M
三菱电机
3/9
漏电流I
DD
(A)
f=440MHz,
V
GG
=3.5V,
P
I N
=50mW
6
6
I
DD
(A)
2003年4月25日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA07M4452M
典型性能
(T
= + 25 ° C,Z
G
=Z
L
= 50Ω ,除非另有规定)
输出功率和漏电流
与漏极电压
16
OUT
(W)
14
12
10
8
6
4
2
0
2
f=520MHz,
V
GG
=3.5V,
P
I N
=50mW
P
OUT
8
输出功率P
I
D D
4
2
0
3
4
5
6
7
8
漏极电压V
D D
(V)
9
10
输出功率和漏电流
与栅极电压
12
OUT
(W)
漏电流I
DD
(A)
6
输出功率和漏电流
与栅极电压
6
5
DD
(A)
OUT
(W)
12
10
8
6
4
2
0
1
1.5
2
2.5
3
栅极电压V
GG
(V)
3.5
4
f=480MHz,
V
DD
=7.2V,
P
in
=50mW
6
5
P
OUT
10
8
6
4
2
0
1
P
OUT
输出功率P
漏电流I
3
2
1
0
I
DD
3
2
1
0
1.5
2
2.5
3
栅极电压V(V )
GG
3.5
4
输出功率和漏电流
与栅极电压
12
OUT
(W)
6
f=520MHz,
V
DD
=7.2V,
P
I N
=50mW
P
OUT
10
8
6
4
2
0
1
5
4
I
D D
3
2
1
0
DD
(A)
输出功率P
1.5
2
2.5
3
栅极电压V(V )
GG
3.5
4
RA07M4452M
三菱电机
4/9
漏电流I
漏电流I
I
D D
输出功率P
4
4
DD
(A)
f=440MHz,
V
DD
=7.2V,
P
I N
=50mW
2003年4月25日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA07M4452M
外形绘图
(mm)
30.0
±0.2
(1.7)
(4.4)
26.6
±0.2
21.2
±0.2
2-R1.5
±0.1
3.0
±0.2
10.0
±0.2
6.0
±0.2
6.0
±0.2
0.45
±0.15
1
6.0
±1
2
3
4
6.1
±1
13.7
±1
18.8
±1
23.9
±1
3.5
±0.2
(5.4)
2.3
±0.4
1.5
±0.2
3.0
±0.2
1 RF输入(P
in
)
2栅极电压(V
GG
)
3漏极电压(V
DD
)
4 RF输出(P
OUT
)
5射频接地(CASE )
RA07M4452M
三菱电机
5/9
7.4
±0.2
5
2003年4月25日
三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA07M4452M
框图
2
3
440-520MHz 7W 7.2V , 2级放大器。用于便携式无线电
描述
该RA07M4452M是一个7瓦的射频MOSFET放大器模块
7.2伏的工作在440目 520 MHz的便携式收音机
范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压(V
GG
= 0V)时,只有很小的漏电流流入漏极
与RF输入信号衰减高达60分贝。输出功率
和漏电流增加的栅极电压增加。有
周围2.5V (最低),输出功率和漏栅电压
目前的大幅增加。额定输出功率
在3V (典型值)和3.5V (最大)变为可用。在
V
GG
= 3.5V ,典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制,但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率与
输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=7.2V, V
GG
=0V)
P
OUT
>7W @ V
DD
=7.2V, V
GG
= 3.5V ,P
in
=50mW
η
T
>40 %@ P
OUT
= 6.5W (V
GG
控制) ,V
DD
= 7.2V ,P
in
=50mW
宽带频率范围: 440-520MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA(典型值),在V
GG
=3.5V
模块尺寸: 30 ×10× 5.4毫米
线性操作有可能通过设置静态漏电流
与栅极电压和控制输出功率与
输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入(P
in
)
栅极电压(V
GG
) ,功率控制
漏极电压(V
DD
) ,电池
RF输出(P
OUT
)
射频接地(CASE )
封装代码: H46S
订货信息:
订单号
RA07M4452M-E01
RA07M4452M-01
(日本 - 包装无干燥器)
供货形式
防静电托盘,
25模块/托盘
RA07M4452M
三菱电机
1/9
2003年4月25日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA07M4452M
等级
9.2
4
70
10
-30至+90
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
最大额定值
(T
= + 25 ℃,除非另有规定)
符号
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例( OP )
T
英镑
参数
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<3.5V
V
DD
<7.2V ,P
in
=0mW
f=440-520MHz,
Z
G
=Z
L
=50
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
= + 25 ° C,Z
G
=Z
L
= 50Ω ,除非另有规定)
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
频带
输出功率
总有效率
2
nd
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 4.0-9.2V ,P
in
= 25-70mW ,P
OUT
<8W (V
GG
控制) ,
负载电压驻波比= 4 :1的
V
DD
= 9.2V ,P
in
= 50毫瓦,P
OUT
= 7W (V
GG
控制) ,
负载电压驻波比= 20 :1的
P
OUT
= 6.5W (V
GG
控制) ,
V
DD
=7.2V,
P
in
=50mW
1
无寄生振荡
没有退化或
破坏
V
DD
=7.2V,V
GG
= 3.5V ,P
in
=50mW
条件
440
7
40
典型值
最大
520
单位
兆赫
W
%
-25
4:1
dBc的
mA
所有参数,条件,收视率,并限制如有变更,恕不另行通知。
RA07M4452M
三菱电机
2/9
2003年4月25日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA07M4452M
rd
典型性能
(T
= + 25 ° C,Z
G
=Z
L
= 50Ω ,除非另有规定)
输出功率,总有效率,
和输入VSWR与频率的关系
10
9
OUT
(W)
2
nd
, 3次谐波与频率的关系
100
-20
-30
总有效率
η
T
(%)
谐波( DBC)
-40
-50
-60
V
DD
=7.2V
P
in
=50mW
ρ
in
(-)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
430
P
OUT
@V
GG
=3.5V
90
80
70
60
输出功率P
输入VSWR
η
T
@P
OUT
=6.5W
V
DD
=7.2V
P
in
=50mW
50
40
30
20
10
0
530
2
nd
@P
OUT
=6.5W
ρ
in
@P
OUT
=6.5W
3
@P
OUT
=6.5W
-70
430
rd
450
470
490
510
频率f( MHz)的
450
470
490
频率f( MHz)的
510
530
输出功率,功率增益和
漏极电流与输入功率
50
OUT
( dBm的)
输出功率,功率增益和
漏极电流与输入功率
10
8
漏电流
I
DD
(A)
6
4
输出功率P
OUT
( dBm的)
功率增益的Gp (分贝)
50
40
30
20
I
DD
10
0
-10
-5
0
5
10
输入功率P
in
( dBm的)
15
20
2
0
f=480MHz,
V
DD
=7.2V,
V
GG
=3.5V
P
OUT
Gp
40
功率增益的Gp (分贝)
30
20
f=440MHz,
V
DD
=7.2V,
V
GG
=3.5V
Gp
10
8
6
4
漏电流
8
f=480MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
=50mW
P
OUT
输出功率P
I
DD
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
( dBm的)
2
0
输出功率,功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率P
OUT
( dBm的)
功率增益的Gp (分贝)
40
30
Gp
f=520MHz,
V
DD
=7.2V,
V
GG
=3.5V
P
OUT
10
8
6
漏电流
I
DD
(A)
20
I
DD
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
( dBm的)
4
2
0
输出功率和漏电流
与漏极电压
16
OUT
(W)
输出功率和漏电流
与漏极电压
8
OUT
(W)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2
3
4
5
6
7
8
漏极电压V
DD
(V)
9
10
I
DD
14
12
10
8
6
4
2
0
2
DD
(A)
P
OUT
P
OUT
输出功率P
漏电流I
输出功率P
4
I
D D
2
4
2
0
3
4
5
6
7
8
漏极电压V
D
(V)
D
9
10
0
RA07M4452M
三菱电机
3/9
漏电流I
DD
(A)
f=440MHz,
V
GG
=3.5V,
P
I N
=50mW
6
6
I
DD
(A)
2003年4月25日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA07M4452M
典型性能
(T
= + 25 ° C,Z
G
=Z
L
= 50Ω ,除非另有规定)
输出功率和漏电流
与漏极电压
16
OUT
(W)
14
12
10
8
6
4
2
0
2
f=520MHz,
V
GG
=3.5V,
P
I N
=50mW
P
OUT
8
输出功率P
I
D D
4
2
0
3
4
5
6
7
8
漏极电压V
D D
(V)
9
10
输出功率和漏电流
与栅极电压
12
OUT
(W)
漏电流I
DD
(A)
6
输出功率和漏电流
与栅极电压
6
5
DD
(A)
OUT
(W)
12
10
8
6
4
2
0
1
1.5
2
2.5
3
栅极电压V
GG
(V)
3.5
4
f=480MHz,
V
DD
=7.2V,
P
in
=50mW
6
5
P
OUT
10
8
6
4
2
0
1
P
OUT
输出功率P
漏电流I
3
2
1
0
I
DD
3
2
1
0
1.5
2
2.5
3
栅极电压V(V )
GG
3.5
4
输出功率和漏电流
与栅极电压
12
OUT
(W)
6
f=520MHz,
V
DD
=7.2V,
P
I N
=50mW
P
OUT
10
8
6
4
2
0
1
5
4
I
D D
3
2
1
0
DD
(A)
输出功率P
1.5
2
2.5
3
栅极电压V(V )
GG
3.5
4
RA07M4452M
三菱电机
4/9
漏电流I
漏电流I
I
D D
输出功率P
4
4
DD
(A)
f=440MHz,
V
DD
=7.2V,
P
I N
=50mW
2003年4月25日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA07M4452M
外形绘图
(mm)
30.0
±0.2
(1.7)
(4.4)
26.6
±0.2
21.2
±0.2
2-R1.5
±0.1
3.0
±0.2
10.0
±0.2
6.0
±0.2
6.0
±0.2
0.45
±0.15
1
6.0
±1
2
3
4
6.1
±1
13.7
±1
18.8
±1
23.9
±1
3.5
±0.2
(5.4)
2.3
±0.4
1.5
±0.2
3.0
±0.2
1 RF输入(P
in
)
2栅极电压(V
GG
)
3漏极电压(V
DD
)
4 RF输出(P
OUT
)
5射频接地(CASE )
RA07M4452M
三菱电机
5/9
7.4
±0.2
5
2003年4月25日
三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA07M4452M
框图
2
3
符合RoHS指令,
440-520MHz 7W 7.2V , 2级放大器。用于便携式无线电
描述
该RA07M4452M是一个7瓦的射频MOSFET放大器
模块7.2伏的工作在440目便携式收音机
520 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压(V
GG
= 0V)时,只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加,作为栅电压的增加。
周围2.5V (最低) ,输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
在3V (典型值)和3.5V (最大)变为可用。在
V
GG
= 3.5V ,典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制,但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=7.2V, V
GG
=0V)
P
OUT
>7W @ V
DD
=7.2V, V
GG
= 3.5V ,P
in
=50mW
η
T
>40 %@ P
OUT
= 6.5W (V
GG
控制) ,V
DD
= 7.2V ,P
in
=50mW
宽带频率范围: 440-520MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA(典型值),在V
GG
=3.5V
模块尺寸: 30 ×10× 5.4毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入(P
in
)
栅极电压(V
GG
) ,功率控制
漏极电压(V
DD
) ,电池
RF输出(P
OUT
)
射频接地(CASE )
封装代码: H46S
符合RoHS标准
RA07M4452M - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往,它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中,电子部件的玻璃,以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息:
订单号
RA07M4452M-101
供货形式
防静电托盘,
25模块/托盘
RA07M4452M
三菱电机
1/8
2006年1月24日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA07M4452M
等级
9.2
4
70
10
-30至+90
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
最大额定值
(T
= + 25 ℃,除非另有规定)
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例( OP )
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<3.5V
V
DD
<7.2V ,P
in
=0mW
f=440-520MHz,
Z
G
=Z
L
=50
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
= + 25 ° C,Z
G
=Z
L
= 50Ω ,除非另有规定)
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
V
DD
=7.2V,V
GG
= 3.5V ,P
in
=50mW
P
OUT
= 6.5W (V
GG
控制) ,
V
DD
=7.2V,
P
in
=50mW
440
7
40
典型值
最大
520
单位
兆赫
W
%
谐波
-25
4:1
1
dBc的
mA
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 4.0-9.2V ,P
in
= 25-70mW ,P
OUT
<8W (V
GG
控制) ,
负载电压驻波比= 4 :1的
V
DD
= 9.2V ,P
in
= 50毫瓦,P
OUT
= 7W (V
GG
控制) ,
负载电压驻波比= 20 :1的
无寄生振荡
没有退化或破坏
所有参数,条件,收视率,并限制如有变更,恕不另行通知。
RA07M4452M
三菱电机
2/8
2006年1月24日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA07M4452M
典型性能
(T
= + 25 ° C,Z
G
=Z
L
= 50Ω ,除非另有规定)
输出功率,总有效率,
和输入VSWR与频率的关系
10
9
输出功率P
OUT
(W)
输入VSWR
ρ
in
(-)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
430
450
470
490
510
频率f( MHz)的
ρ
in
@P
OUT
=6.5W
η
T
@P
OUT
=6.5W
V
DD
=7.2V
P
in
=50mW
P
OUT
@V
GG
=3.5V
2
nd
, 3
rd
谐波与频率的关系
100
90
总有效率
η
T
(%)
80
70
60
50
40
30
20
10
谐波( DBC)
-30
-40
-50
-60
-70
430
-20
V
DD
=7.2V
P
in
=50mW
2
nd
@P
OUT
=6.5W
3
rd
@P
OUT
=6.5W
0
530
450
470
490
频率f( MHz)的
510
530
输出功率,功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率P
OUT
( dBm的)
功率增益的Gp (分贝)
40
30
20
I
DD
f=440MHz,
V
DD
=7.2V,
V
GG
=3.5V
Gp
P
OUT
输出功率,功率增益和
漏极电流与输入功率
10
输出功率P
OUT
( dBm的)
功率增益的Gp (分贝)
8
漏电流
I
DD
(A)
6
4
2
0
50
40
30
20
I
DD
f=480MHz,
V
DD
=7.2V,
V
GG
=3.5V
P
OUT
Gp
10
8
6
4
2
0
-10
-5
0
5
10
输入功率P
in
( dBm的)
15
20
漏电流
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
( dBm的)
10
0
输出功率,功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率P
OUT
( dBm的)
功率增益的Gp (分贝)
40
30
20
I
DD
Gp
f=520MHz,
V
DD
=7.2V,
V
GG
=3.5V
10
P
OUT
8
6
4
2
0
漏电流
I
DD
(A)
10
0
-10
-5
0
5
10
输入功率P
in
( dBm的)
15
20
输出功率和漏电流
与漏极电压
16
输出功率P
OUT
(W)
14
12
10
8
6
4
2
0
2
3
4
5
6
7
8
漏极电压V
DD
(V)
9
10
0
I
DD
f=440MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
=50mW
P
OUT
输出功率和漏电流
与漏极电压
8
输出功率P
OUT
(W)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2
3
4
5
6
7
8
漏极电压V
DD
(V)
9
10
0
2
I
DD
f=480MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
=50mW
8
漏电流I
D
(A)
D
P
OUT
4
4
2
RA07M4452M
三菱电机
3/8
漏电流I
D
(A)
D
6
6
I
DD
(A)
2006年1月24日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA07M4452M
典型性能
(T
= + 25 ° C,Z
G
=Z
L
= 50Ω ,除非另有规定)
输出功率和漏电流
与漏极电压
16
输出功率P
OUT
(W)
14
12
10
8
I
DD
f=520MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
=50mW
P
OUT
8
4
6
4
2
0
2
3
4
5
6
7
8
漏极电压V
DD
(V)
9
10
0
2
输出功率和漏电流
与栅极电压
12
输出功率P
OUT
(W)
10
8
6
4
2
0
1
1.5
2
2.5
3
栅极电压V
GG
(V)
3.5
4
f=440MHz,
V
DD
=7.2V,
P
in
=50mW
P
OUT
漏电流I
DD
(A)
6
输出功率和漏电流
与栅极电压
6
输出功率P
OUT
(W)
5
漏电流I
DD
(A)
4
12
10
8
6
4
2
0
1
1.5
2
2.5
3
栅极电压V
GG
(V)
3.5
4
f=480MHz,
V
DD
=7.2V,
P
in
=50mW
6
5
P
OUT
4
I
DD
I
DD
3
2
1
0
3
2
1
0
输出功率和漏电流
与栅极电压
12
输出功率P
OUT
(W)
10
8
6
4
2
0
1
1.5
2
2.5
3
栅极电压V
GG
(V)
3.5
4
f=520MHz,
V
DD
=7.2V,
P
in
=50mW
P
OUT
6
5
4
I
DD
3
2
1
0
RA07M4452M
三菱电机
4/8
漏电流I
DD
(A)
漏电流I
DD
(A)
2006年1月24日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA07M4452M
外形绘图
(mm)
30.0
±0.2
(1.7)
(4.4)
26.6
±0.2
21.2
±0.2
2-R1.5
±0.1
3.0
±0.2
10.0
±0.2
6.0
±0.2
6.0
±0.2
0.45
±0.15
1
2
3
4
6.0
±1
6.1
±1
13.7
±1
18.8
±1
23.9
±1
3.5
±0.2
(5.4)
2.3
±0.4
0.05 +0.04/-0
(19.2)
1.5
±0.2
3.0
±0.2
1 RF输入(P
in
)
2栅极电压(V
GG
)
3漏极电压(V
DD
)
4 RF输出(P
OUT
)
5射频接地(CASE )
RA07M4452M
三菱电机
5/8
7.4
±0.2
5
2006年1月24日
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RA07M4452M
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    -
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    终端采购配单精选

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联系人:李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票
地址:上海公司:上海市静安区海宁路1399号金城大厦 北京公司:海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼 青岛公司:城阳区正阳路205号海都国际A座805
RA07M4452M
MITSUBI
25+热销
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SMD
中国区代理全新原装进口特价
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电话:755-83349415/83229300
联系人:侯先生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
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MITSUBIS
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联系人:销售部
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RA07M4452M
MITSUBISHI/三菱
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电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
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Mitsubishi
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H46S
射频放大模块
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MITSUBISHI
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联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
RA07M4452M
MITSUBISHI/三菱
25+
H46S
原装现货假一赔十
普通
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MITSUBISHI/三菱
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电话:0755-82865294/82517859
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MITSUBISHI
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