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硅射频功率半导体

静电敏感器件

观察处理注意事项

RA06H8285M

框图

符合RoHS标准

,820-851MHz

6W 12.5V ， 3级放大器。对于移动电

描述

该RA06H8285M是一个6瓦的射频MOSFET放大器模块

为12.5伏工作于820-至851 -MHz的移动无线电

范围内。

电池可以直接连接到的漏电

增强型MOSFET晶体管。如果没有门

电压（V

= 0V）时，只有很小的漏电流流入

漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出

功率和漏电流增加，作为栅电压的增加。

周围4V （最低），输出功率栅极电压和

基本上漏电流增大。额定输出功率

可用在4.5V （典型值）和5V （最大）。在

= 5V ，典型栅极电流为1毫安。

这个模块是专为非线性调频调制，但可能

还通过将漏极静态用于线性调制

电流与栅极电压和控制输出功率

与输入功率。

特点

增强型MOSFET晶体管

@ V

=12.5V, V

=0V)

OUT

>6W,

>35 ％@ V

=12.5V, V

= 5V ，P

=1mW

宽带频率范围： 820-851MHz

低功耗控制电流I

= 1mA（典型值），在V

=5V

模块尺寸： 60.5 ×14× 6.4毫米

线性操作可以通过设置静态漏

电流与栅极电压和控制输出功率

与输入功率

RF输入（P

)

栅极电压（V

），功率控制

漏极电压（V

），电池

RF输出（P

OUT

)

射频接地（CASE ）

封装代码： H11S

符合RoHS标准

RA06H8285M - 101是符合RoHS标准的产品。

符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。

本产品包括铅在电子部件的玻璃和

铅在电子陶瓷部件。

如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。

1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及

日光灯管。

2.Lead电子陶瓷部件。

订货信息：

订单号

RA06H8285M-101

供货形式

防静电托盘，

20个模块/托盘

RA06H8285M

2010年6月22日

1/9

静电敏感器件

观察处理注意事项

硅射频功率半导体

符合RoHS标准

RA06H8285M

等级

-30到+110

-40到+110

单位

°C

最大额定值

例

= + 25 ℃，除非另有规定）

符号参数

OUT

案例（ OP ）

英镑

漏极电压

栅极电压

输入功率

输出功率

操作外壳温度范围

存储温度范围

f=820-851MHz,

=50

条件

<5V

<12.5V ，P

=0W

上述参数是独立保证。

电气特性

例

= + 25 ° C，Z

= 50Ω ，除非另有规定）

符号参数

OUT

—

频带

输出功率

总有效率

条件

=12.5V, V

=5V

OUT

=6W(V

CONTROL ）

=12.5V

=1mW

= 10.0-15.2V ，P

=0.5-2mW,

OUT

<8W （V

控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的

= 15.2V ，P

= 1mW的，P

OUT

= 6W （V

控制），

负载电压驻波比= 20 ：1的

民

820

典型值

最大

851

-30

4:1

单位

兆赫

dBc的

—

谐波

输入VSWR

栅电流

稳定性

负载VSWR容差

无寄生振荡

没有退化或破坏

所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。

RA06H8285M

2010年6月22日

2/9

静电敏感器件

观察处理注意事项

硅射频功率半导体

符合RoHS标准

RA06H8285M

典型性能

例

= + 25 ° C，Z

= 50Ω ，除非另有规定）

输出功率，总有效率，

和输入VSWR与频率的关系

输出功率P

OUT

(W)

输入VSWR

(-)

820

OUT

=6W

=12.5V

= 1米W

OUT

=5V

, 3

谐波与频率的关系

140

120

总有效率

(%)

100

860

谐波（ DBC）

-30

-20

=12.5V

= 1米W

-40

OUT

=6W

OUT

=6W

谐波：

<-60dBc

OUT

=6W

-50

830

840

850

频率f（ MHz）的

-60

820

830

840

850

频率f（ MHz）的

860

输出功率，功率增益和

漏极电流与输入功率

输出功率P

OUT

（ dBm的）

输出功率，功率增益和

漏极电流与输入功率

输出功率P

OUT

（ dBm的）

漏电流I

(A)

功率增益的Gp （分贝）

OUT

功率增益的Gp （分贝）

OUT

f=820MHz

=12.5V

=5V

f=836MHz

=12.5V

=5V

-20

-15

-10

-5

-20

-15

输入功率P

（ dBm的）

-10

-5

输入功率P

（ dBm的）

输出功率，功率增益和

漏极电流与输入功率

输出功率P

OUT

（ dBm的）

f=851MHz

=12.5V

=5V

功率增益的Gp （分贝）

-20

-15

-10

-5

输入功率P

（ dBm的）

OUT

RA06H8285M

漏电流I

(A)

3/9

漏电流

(A)

2010年6月22日

静电敏感器件

观察处理注意事项

硅射频功率半导体

符合RoHS标准

RA06H8285M

典型性能

例

= + 25 ° C，Z

= 50Ω ，除非另有规定）

输出功率和漏电流

与漏极电压

输出功率P

OUT

(W)

f=820MHz

=5V

= 1米W

OUT

输出功率和漏电流

与漏极电压

输出功率P

OUT

(W)

f=836MHz

=5V

= 1米W

OUT

漏电流I

(A)

漏极电压V

(V)

漏极电压V

(V)

输出功率和漏电流

与漏极电压

输出功率P

OUT

(W)

f=851MHz

=5V

= 1米W

OUT

漏极电压V

(V)

输出功率和漏电流

与栅极电压

输出功率P

OUT

(W)

3.5

4.5

栅极电压V

(V)

5.5

f=820MHz

=12.5V

= 1米W

OUT

漏电流I

(A)

输出功率和漏电流

与栅极电压

输出功率P

OUT

(W)

漏电流I

(A)

f=836MHz

=12.5V

= 1米W

OUT

3.5

4.5

栅极电压V

(V)

5.5

漏电流I

(A)

输出功率和漏电流

与栅极电压

输出功率P

OUT

(W)

3.5

4.5

栅极电压V

(V)

5.5

f=851MHz

=12.5V

= 1米W

OUT

漏电流I

(A)

RA06H8285M

2010年6月22日

4/9

漏电流I

(A)

静电敏感器件

观察处理注意事项

硅射频功率半导体

符合RoHS标准

RA06H8285M

外形绘图

(mm)

60.5±1

57.5±0.5

50.4±1

2-R1.6±0.2

14±0.5

6±1

8.3±1

21.3±1

0.45

43.3±1

51.3±1

3.3 +0.8/-0.4

区域[ A]

面积的扩大图[ A]

0.09±0.02

(49.5)

0.09±0.02

2.3±0.3

1 RF输入（P

)

2栅极电压（V

)

3漏极电压（V

)

4 RF输出（P

OUT

)

5射频接地（CASE ）

RA06H8285M

(6.4)

11±0.5

2010年6月22日

5/9

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