三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA05H8693M
框图
符合RoHS标准， 866-928MHz 5W 14V ， 3级放大器。
描述
该RA05H8693M是5瓦特射频MOSFET放大器模块
该操作在866至928MHz的范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。的输出功率和
漏电流增加为栅极电压增加。
周围3.5V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在3.8V （典型值）， 4V （最大值） 。
在V
GG
= 5V ，典型栅极电流为1毫安。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=14V, V
GG
=0V)
P
OUT
>5W ，我
T
<1.4A @ V
DD
=14V, V
GG
= 5V ，P
in
=1mW
I
T
<1.4A @ V
DD
= 14V ，P
OUT
=3W(V
GG
控制） ，磷
in
=1mW
宽带频率范围： 866-928MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
模块尺寸： 60.5 ×14× 6.4毫米
2
3
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H11S
符合RoHS标准
RA05H8693M - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA05H8693M-101
供货形式
防静电托盘，
20个模块/托盘
RA05H8693M
三菱电机
1/8
2007年3月2日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS标准
RA05H8693M
等级
17
6
4
7
-30到+110
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<5V
V
DD
<14V ，P
in
=0mW
F = 866-928MHz ，V
GG
<5V
Z
G
=Z
L
=50
同上
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
I
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总电流
2
nd
条件
V
DD
=14V, V
GG
= 5V ，P
in
=1mW
V
DD
= 14V ，P
OUT
=3W(V
GG
CONTROL ）
P
in
=1mW
民
866
5
典型值
最大
928
1.4
-25
3:1
单位
兆赫
W
A
dBc的
—
mA
—
—
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
1
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=0.5-2mW,
P
OUT
<5W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
= 1mW的，P
OUT
= 5W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
无寄生振荡
没有退化或破坏
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA05H8693M
三菱电机
2/8
2007年3月2日
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA05H8693M
框图
符合RoHS标准， 866-928MHz 5W 14V ， 3级放大器。
描述
该RA05H8693M是5瓦特射频MOSFET放大器模块
该操作在866至928MHz的范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。的输出功率和
漏电流增加为栅极电压增加。
周围3.5V （最低） ，输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在3.8V （典型值）， 4V （最大值） 。
在V
GG
= 5V ，典型栅极电流为1毫安。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=14V, V
GG
=0V)
P
OUT
>5W ，我
T
<1.4A @ V
DD
=14V, V
GG
= 5V ，P
in
=1mW
I
T
<1.4A @ V
DD
= 14V ，P
OUT
=3W(V
GG
控制） ，磷
in
=1mW
宽带频率范围： 866-928MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
模块尺寸： 60.5 ×14× 6.4毫米
2
3
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H11S
符合RoHS标准
RA05H8693M - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA05H8693M-101
供货形式
防静电托盘，
20个模块/托盘
RA05H8693M
2010年6月22日
1/9
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA05H8693M
等级
17
6
4
7
-30到+110
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
F = 866-928MHz ，V
GG
<5V
Z
G
=Z
L
=50
条件
V
GG
<5V
V
DD
<14V ，P
in
=0mW
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
I
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总电流
2
nd
条件
V
DD
=14V, V
GG
= 5V ，P
in
=1mW
V
DD
= 14V ，P
OUT
=3W(V
GG
CONTROL ）
P
in
=1mW
民
866
5
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典型值
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1
最大
928
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1.4
-25
3:1
-
单位
兆赫
W
A
dBc的
—
mA
—
—
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=0.5-2mW,
P
OUT
<5W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
= 1mW的，P
OUT
= 5W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
无寄生振荡
没有退化或破坏
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA05H8693M
2010年6月22日
2/9
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