硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA02M8087MD
框图
2
3
4
符合RoHS标准， 806-869MHz 34dBm 7.2V ， 2级放大器。用于便携式无线电
描述
该RA02M8087MD是34 dBm的输出RF MOSFET
放大器模块为7.2伏运行于便携式收音机
806至869 MHz范围内。
1
5
6
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=7.2V, V
GG
=0V)
P
OUT
>34dBm @ V
DD
= 7.2V ，P
in
=14.5dBm
Idq1 = 20mA下（ Vgg1adjust ） ， Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
η
T
>30%
@ V
DD
= 7.2V ，P
OUT
= 34dBm （引脚进行调整。 ）
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整） ， Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
IMD3<-26dBc @ V
DD
= 7.2V ，P
OUT
（平均值） = 31dBm的（引脚进行调整。 ）
在1KHz的两个分离音测试
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整） ， Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
宽带频率范围： 806-869MHz
低功耗调整。目前我
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=3.15V
模块尺寸： 30 ×10× 5.4毫米
1 RF输入（P
in
)
2第一阶段的门偏置直流电源端子（ VGG1 ）
3最后阶段的门偏置直流电源端子（ Vgg2 ）
4漏极电压（V
DD
） ，电池
5 RF输出（P
OUT
)
6射频接地（CASE ）
封装代码： H46S
符合RoHS
RA02M8087MD - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA02M8087MD-101
供货形式
防静电托盘，
50个模块/托盘
RA02M8087MD
2010年6月28日
1/9
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS
RA02M8087MD
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG1
V
GG2
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
F = 806-869MHz ， Vgg<3.15V
Z
G
=Z
L
=50
条件
V
GG
<3.15V
V
DD
<7.2V ，P
in
=0mW
V
DD
<7.2V ，P
in
=0mW
等级
9.2
3.15
3.15
100
5
-30至+90
-40到+110
单位
V
V
V
mW
W
°
C
°
C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
IMD3
IMD5
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
V
DD
=7.2V,P
in
（单载波） = + 16dBm时，
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整。 ）
Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
V
DD
=7.2V,P
OUT
（单载波） = 34dBm （ ，引脚调整。 ）
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整。 ）
Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
民
806
34
30
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
1
-
-
最大
869
-
-
-30
5.8:1
-
-26
-30
单位
兆赫
DBM
%
dBc的
—
mA
dBc的
dBc的
谐波
输入VSWR
栅电流
3互调
失真
5互调
失真
th
rd
V
DD
=7.2V,P
OUT
（平均值） = 31dBm的（引脚进行调整。 ）
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整。 ）
Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
在1KHz的两个分离音测试
V
DD
=7.2V,P
OUT
（单载波） = 34dBm （引脚进行调整。 ）
跨规定的频率范围
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整。 ）
Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
Vdd=6.12/7.2/9.2V,
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整）
Idq2 = 300mA（对Vgg2调整）
宝（单载波） = 15-34dBm （引脚控制）
负载VSWR = 2 ： 1 （全期） ， ZG = 50Ω
VDD = 9.2V ，P
OUT
（单载波） = 34dBm （引脚进行调整。 ）
负载VSWR = 2 ： 1 （全期） ， ZG = 50Ω ，
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整。 @ VDD = 7.2V ） ，
Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 @ VDD = 7.2V ）
-
-
GV
增益变化
0
-
4
dB
—
稳定性
无寄生振荡
—
—
负载VSWR容差
没有退化或破坏
—
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA02M8087MD
2010年6月28日
2/9
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS
RA02M8087MD
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
RA02M8087MD
艾菲与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=806MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
50
45
艾菲（％ ）的Gp （ dB）的
40
35
30
25
20
15
10
5
0
10
15
20
25
30
35
40
宝（单载波） （ DBM）
Gp
IMD3,IMD5(dBc)
EFFI
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
15
20
25
30
35
40
宝（ 2TONE胶结） （ DBM）
RA02M8087MD
IMD3 ， IMD5与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=824MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
0
Gp
IMD3,IMD5(dBc)
EFFI
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
10
15
20
25
30
35
40
15
20
25
30
35
40
宝（单嘉莉R） （ DBM）
宝（ 2TONE胶结） （ DBM）
RA02M8087MD
IMD3 ， IMD5与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=851MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
0
Gp
IMD3,IMD5(dBc)
EFFI
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
10
15
20
25
30
35
40
15
20
25
30
35
40
宝（单嘉莉R） （ DBM）
宝（ 2TONE胶结） （ DBM）
RA02M8087MD
IMD3 ， IMD5与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=869MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
0
Gp
IMD3,IMD5(dBc)
EFFI
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
10
15
20
25
30
35
40
15
20
25
30
35
40
宝（单嘉莉R） （ DBM）
宝（ 2TONE胶结） （ DBM）
IMD3 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD5 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD3 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD5 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD3 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD5 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD3 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD5 （ Delta频率= 1KHz时）
RA02M8087MD
IMD3 ， IMD5与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=806MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
RA02M8087MD
艾菲与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=824MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
50
45
艾菲（％ ）的Gp （ dB）的
40
35
30
25
20
15
10
5
0
RA02M8087MD
艾菲与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=851MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
50
45
艾菲（％ ）的Gp （ dB）的
40
35
30
25
20
15
10
5
0
RA02M8087MD
艾菲与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=869MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
50
45
艾菲（％ ）的Gp （ dB）的
40
35
30
25
20
15
10
5
0
RA02M8087MD
2010年6月28日
3/9
三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA02M8087MD
框图
2
3
4
符合RoHS标准， 806-869MHz 34dBm 7.2V ， 2级放大器。用于便携式无线电
描述
该RA02M8087MD是34 dBm的输出RF MOSFET
放大器模块为7.2伏运行于便携式收音机
806至869 MHz范围内。
1
5
6
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=7.2V, V
GG
=0V)
P
OUT
>34dBm @ V
DD
= 7.2V ，P
in
=16dBm
Idq1 = 20mA下（ Vgg1adjust ） ， Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
@ V
DD
= 7.2V ，P
OUT
= 34dBm （引脚进行调整。 ）
η
T
>30%
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整） ， Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
IMD3<-26dBc @ V
DD
= 7.2V ，P
OUT
（平均值） = 31dBm的（引脚进行调整。 ）
在1KHz的两个分离音测试
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整） ， Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
宽带频率范围： 806-869MHz
低功耗调整。目前我
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=3.5V
模块尺寸： 30 ×10× 5.4毫米
1 RF输入（P
in
)
2第一阶段的门偏置直流电源端子（ VGG1 ）
3最后阶段的门偏置直流电源端子（ Vgg2 ）
4漏极电压（V
DD
） ，电池
5 RF输出（P
OUT
)
6射频接地（CASE ）
封装代码： H46S
符合RoHS
RA02M8087MD - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA02M8087MD-101
供货形式
防静电托盘，
25模块/托盘
RA02M8087MD
三菱电机
1/7
2007年1月31日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS
RA02M8087MD
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG1
V
GG2
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<3.5V
V
DD
<7.2V ，P
in
=0mW
V
DD
<7.2V ，P
in
=0mW
f=806-869MHz,
Z
G
=Z
L
=50
等级
9.2
4
4
100
5
-30至+90
-40到+110
单位
V
V
V
mW
W
°C
°C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
IMD3
IMD5
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
V
DD
=7.2V,P
in
（单载波） = + 16dBm时，
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整。 ）
Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
V
DD
=7.2V,P
OUT
（单载波） = 34dBm （ ，引脚调整。 ）
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整。 ）
Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
民
806
34
30
典型值
最大
869
单位
兆赫
DBM
%
谐波
-30
5.8:1
1
dBc的
—
mA
输入VSWR
栅电流
3互调
失真
5互调
失真
th
rd
V
DD
=7.2V,P
OUT
（平均值） = 31dBm的（引脚进行调整。 ）
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整。 ）
Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
在1KHz的两个分离音测试
V
DD
=7.2V,P
OUT
（单载波） = 34dBm （引脚进行调整。 ）
跨规定的频率范围
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整。 ）
Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 ）
Vdd=6.0/7.2/9.2V,
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整）
Idq2 = 300mA（对Vgg2调整）
宝（单载波） = 15-34dBm （引脚控制）
负载VSWR = 2 ： 1 （全期） ， ZG = 50Ω
VDD = 9.2V ，P
OUT
（单载波） = 34dBm （引脚进行调整。 ）
负载VSWR = 2 ： 1 （全期） ， ZG = 50Ω ，
Idq1 = 20mA下（ VGG1调整。 @ VDD = 7.2V ） ，
Idq2 = 300mA（对Vgg2调整。 @ VDD = 7.2V ）
-26
-30
dBc的
dBc的
GV
增益变化
0
4
dB
—
稳定性
无寄生振荡
—
—
负载VSWR容差
没有退化或破坏
—
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA02M8087MD
三菱电机
2/7
2007年1月31日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS
RA02M8087MD
RA02M8087MD
IMD3 ， IMD5与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=806MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
RA02M8087MD
艾菲与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=806MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
50
45
艾菲（％ ）的Gp （ dB）的
40
35
30
25
20
15
10
5
0
10
15
20
25
30
35
40
宝（单嘉莉R） （ DBM）
Gp
IMD3,IMD5(dBc)
EFFI
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
15
20
25
30
35
40
宝（ 2TONE平均值） （ DBM）
RA02M8087MD
IMD3 ， IMD5与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=824MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
0
Gp
IMD3,IMD5(dBc)
EFFI
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
10
15
20
25
30
35
40
15
20
25
30
35
40
宝（单嘉莉R） （ DBM）
宝（ 2TONE平均值） （ DBM）
RA02M8087MD
IMD3 ， IMD5与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=851MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
0
Gp
IMD3,IMD5(dBc)
EFFI
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
10
15
20
25
30
35
40
15
20
25
30
35
40
宝（单嘉莉R） （ DBM）
宝（ 2TONE平均值） （ DBM）
RA02M8087MD
IMD3 ， IMD5与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=869MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
0
Gp
IMD3,IMD5(dBc)
EFFI
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
10
15
20
25
30
35
40
15
20
25
30
35
40
宝（单嘉莉R） （ DBM）
宝（ 2TONE平均值） （ DBM）
IMD3 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD5 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD3 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD5 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD3 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD5 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD3 （ Delta频率= 1KHz时）
IMD5 （ Delta频率= 1KHz时）
RA02M8087MD
艾菲与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=824MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
50
45
艾菲（％ ）的Gp （ dB）的
40
35
30
25
20
15
10
5
0
RA02M8087MD
艾菲与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=851MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
50
45
艾菲（％ ）的Gp （ dB）的
40
35
30
25
20
15
10
5
0
RA02M8087MD
艾菲与宝
T C = + 25deg.C ， VDD = 7.2V
f=869MHz,
IDQ月1日模拟调试= 20mA下
IDQ决赛阶段= 300毫安
50
45
艾菲（％ ）的Gp （ dB）的
40
35
30
25
20
15
10
5
0
RA02M8087MD
三菱电机
3/7
2007年1月31日
QQ：2880707522 复制
