三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA01L9595M
框图
2
3
符合RoHS标准， 952-954MHz 1.4W 3.3V ， 2级放大器。对于RFID读/写
描述
该RA01L9595M是一个1.4瓦的射频MOSFET放大器模块。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。
的输出功率和漏电流增加的栅极电压
增加。与周围0.5V （最低）时，输出的栅极电压
功率和漏电流大幅增加。标称
输出功率为1.5V （典型值）和2.0V变为可用
（最大值） 。在V
GG
= 2.0V ，典型栅极电流为1mA 。
1
4
5
1
2
3
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频地
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=3.3V, V
GG
=0V)
P
OUT
>1.4W,
η
T
>35 ％@ V
DD
=3.3V, V
GG
= 2.0V ，P
in
=30mW
频率范围： 952-954MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=2.0V
模块尺寸： 9.1 X 9.2 X 1.8毫米
4
5
封装代码： H58
符合RoHS标准
RA01L8693MA -101是一种符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA01L9595M -101
供货形式
防静电托盘，
25模块/托盘
RA01L9595M
三菱电机
1/14
6
th
2009年2月
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS
RA01L9595M
最大额定值
(T
例
= + 25deg.C 。除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
F = 952-954MHz ，V
GG
<2.0V
Z
G
=Z
L
=50ohm
条件
V
GG
<2.0V ，Z
G
=Z
L
=50ohm
V
DD
<3.3V ，P
in
= 0mW ，Z
G
=Z
L
=50ohm
等级
6
3
50
3
-30至+90
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
=+25
°C
, Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
P
OUT
(2)
η
T
(2)
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
民
952
1.4
典型值
最大
954
单位
兆赫
W
%
谐波
V
DD
=3.3V
V
GG
=2.0V
P
iN
=30mW
V
DD
=5.0V, V
GG
= 2.0V ，P
iN
=30mW
V
DD
=5.0V
P
iN
=30mW,P
OUT
= 2W （V
GG
CONTROL ）
V
DD
=2.5/3.3/6.0V, V
GG
=0.5-2.0V,
P
IN
= 20-50mW ，
Zg=50ohm,
Po<2.5W
负载电压驻波比= 4 ：1的
35
-30
4.4:1
2
32
dBc的
—
W
%
输入VSWR
输出功率
总有效率
—
稳定性
无寄生振荡
—
—
负载VSWR容差
V
DD
= 6.0V ，P
iN
=30mW,
P
OUT
= 2W （V
GG
控制） ，
zg的= 50欧姆，负载电压驻波比= 20 ：1的
没有退化或破坏
—
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA01L9595M
三菱电机
2/14
6
th
2009年2月
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
符合RoHS
RA01L9595M
典型性能
(V
DD = 3.3V ， VGG = 2V ，噘= 1W ，调制方式： BPSK ，TA = 25deg.C ）
输出功率与频率
CF=952.2MHz
DataRate：40Kbps
40
30
20
10
输出（ dBm的）
0
CF=953.8MHz,
DataRate：40Kbps
40
30
20
10
输出（ dBm的）
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
951.6
-10
-20
-30
-40
-50
951.8
952
952.2
频率（MHz ）
952.4
952.6
952.8
-60
953.2
953.4
953.6
953.8
频率（MHz ）
954
954.2
954.4
CF=952.3MHz,
DataRate：80Kbps
40
30
20
10
输出（ dBm的）
0
CF=953.7MHz
DataRate：80Kbps
40
30
20
10
输出（ dBm的）
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
951.7
-10
-20
-30
-40
-50
951.9
952.1
952.3
频率（MHz ）
952.5
952.7
952.9
-60
953.1
953.3
953.5
953.7
频率（MHz ）
953.9
954.1
954.3
CF=952.5MHz,
DataRate：160Kbps
40
30
20
10
输出（ dBm的）
0
CF=953.5MHz
DataRate：160Kbps
40
30
20
10
输出（ dBm的）
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
951.7
-10
-20
-30
-40
-50
-60
952.7
951.9
952.1
952.3
952.5
频率（MHz ）
952.7
952.9
953.1
953.3
952.9
953.1
953.3
953.5
频率（MHz ）
953.7
953.9
954.1
954.3
RA01L9595M
三菱电机
5/14
6
th
2009年2月
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA01L9595M
框图
2
3
符合RoHS标准， 952-954MHz 1.4W 3.3V ， 2级放大器。对于RFID读/写
描述
该RA01L9595M是一个1.4瓦的射频MOSFET放大器模块。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。
的输出功率和漏电流增加的栅极电压
增加。与周围0.5V （最低）时，输出的栅极电压
功率和漏电流大幅增加。标称
输出功率为1.5V （典型值）和2.0V变为可用
（最大值） 。在V
GG
= 2.0V ，典型栅极电流为1mA 。
1
4
5
1
2
3
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频地
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=3.3V, V
GG
=0V)
P
OUT
>1.4W,
η
T
>35 ％@ V
DD
=3.3V, V
GG
= 2.0V ，P
in
=30mW
频率范围： 952-954MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=2.0V
模块尺寸： 9.1 X 9.2 X 1.8毫米
4
5
封装代码： H58
符合RoHS标准
RA01L9595M -101是一种符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA01L9595M -101
供货形式
防静电托盘，
168模块/托盘
RA01L9595M
2010年6月22日
1/13
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS
RA01L9595M
最大额定值
(T
例
= + 25deg.C 。除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
F = 952-954MHz ，V
GG
<2.0V
Z
G
=Z
L
=50ohm
条件
V
GG
<2.0V ，Z
G
=Z
L
=50ohm
V
DD
<3.3V ，P
in
= 0mW ，Z
G
=Z
L
=50ohm
等级
6
3
50
4
-30至+90
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
=+25
°C
, Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
in
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
民
952
1.4
典型值
-
-
-
-
-
最大
954
-
-
-30
4.4:1
单位
兆赫
W
%
dBc的
—
—
谐波
V
DD
=3.3V
V
GG
=2.0V
P
iN
=30mW
V
DD
=2.5/3.3/6.0V, V
GG
=0.5-2.0V,
35
-
-
输入VSWR
稳定性
P
IN
= 20-50mW ，
Zg=50ohm,
Po<2.5W
无寄生振荡
负载电压驻波比= 4 ：1的
没有退化或破坏
—
—
负载VSWR容差
V
DD
= 6.0V ，P
iN
=30mW,
P
OUT
= 2W （V
GG
控制） ，
zg的= 50欧姆，负载电压驻波比= 20 ：1的
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA01L9595M
2010年6月22日
2/13
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS
RA01L9595M
典型性能
(V
DD = 3.3V ， VGG = 2V ，噘= 1W ，调制方式： BPSK ，TA = 25deg.C ）
输出功率与频率
CF=952.2MHz
DataRate：40Kbps
40
30
20
10
输出（ dBm的）
CF=953.8MHz,
DataRate：40Kbps
40
30
20
10
输出（ dBm的）
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
951.6
-10
-20
-30
-40
-50
951.8
952
952.2
频率（MHz ）
952.4
952.6
952.8
-60
953.2
953.4
953.6
953.8
频率（MHz ）
954
954.2
954.4
CF=952.3MHz,
DataRate：80Kbps
40
30
20
10
输出（ dBm的）
CF=953.7MHz
DataRate：80Kbps
40
30
20
10
输出（ dBm的）
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
951.7
-10
-20
-30
-40
-50
951.9
952.1
952.3
频率（MHz ）
952.5
952.7
952.9
-60
953.1
953.3
953.5
953.7
频率（MHz ）
953.9
954.1
954.3
CF=952.5MHz,
DataRate：160Kbps
40
30
20
10
输出（ dBm的）
CF=953.5MHz
DataRate：160Kbps
40
30
20
10
输出（ dBm的）
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
951.7
-10
-20
-30
-40
-50
-60
952.7
951.9
952.1
952.3
952.5
频率（MHz ）
952.7
952.9
953.1
953.3
952.9
953.1
953.3
953.5
频率（MHz ）
953.7
953.9
954.1
954.3
RA01L9595M
2010年6月22日
5/13
QQ：2881677436 复制
