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数据表
10V驱动N沟道MOSFET
R8008ANX
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TO-220FM
10.0
φ
3.2
4.5
2.8
■特点
1）低导通电阻。
2 ）低输入电容。
3 ）高ESD 。
15.0
12.0
8.0
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
14.0
2.5
1.3
1.2
0.8
2.54
(1) (2) (3)
2.54
0.75
2.6
应用
开关
包装规格
TYPE
R8008ANX
包
CODE
基本订购单位（件）
体积
-
500
内部电路
1
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
(1)
(2)
(3)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
符号
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
雪崩电流
雪崩能量
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
*2 L
500H ，V
DD
= 50V ，R
G
=25, T
ch
=25°C
1
体二极管
范围
800
30
8
32
8
32
4
4.2
50
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
V
DSS
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
*3
I
DP
I
S
I
SP
*1
*3
*1
I
AS
*2
E
AS
*2
P
D
*4
T
ch
T
英镑
* 3仅受最大通道温度允许的。
*4 T
C
=25°C
热阻
参数
渠道情况
符号
R
TH（ CH-C ）
范围
2.5
单位
C
/ W
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2011.10 - Rev.A的
R8008ANX
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
　
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
*
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
分钟。
-
800
-
3.0
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.79
-
1080
480
32
32
50
85
30
39
8.7
23
马克斯。
100
-
100
5.0
1.03
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
nA
V
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=30V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=800V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
= 4.0A ，V
GS
=10V
V
DS
= 10V ，我
D
=4.0A
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
400V ，我
D
=4.0A
V
GS
=10V
R
L
=100
R
G
=10
V
DD
400V
I
D
=8.0A
V
GS
=10V
数据表
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.5
条件
单位
V I
S
= 8.0A ，V
GS
=0V
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2011.10 - Rev.A的
R8008ANX
ⅵELECTRICAL
特性曲线
(Ta=25C)
图1典型的输出特性（ Ⅰ ）
2
T
a
=25°C
脉冲
　
数据表
图2典型的输出特性（ Ⅱ ）
8
T
a
=25°C
脉冲
V
GS
=10.0V
6
V
GS
=10.0V
漏电流：我
D
[A]
V
GS
=8.0V
V
GS
=7.0V
1
V
GS
=6.5V
V
GS
=6.0V
漏电流：我
D
[A]
V
GS
=8.0V
4
V
GS
=7.0V
V
GS
=6.5V
V
GS
=6.0V
V
GS
=5.5V
0
2
V
GS
=5.5V
V
GS
=5.0V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
漏源电压： V
DS
[V]
0
2
4
6
8
10
漏源电压： V
DS
[V]
图3典型的传输特性
10
V
DS
=10V
脉冲
6
图4栅极阈值电压与通道温度
V
DS
=10V
I
D
=1mA
脉冲
栅极阈值电压： V
GS （ TH）
[V]
4
5
6
7
8
5
1
漏Currnt ：我
D
[A]
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
0.1
4
0.01
3
0.001
2
3
栅源电压： V
GS
[V]
2
-50
0
50
100
150
通道温度：T已
ch
[℃]
图5静态漏源通态电阻与漏电流
10
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
图6静态漏源导通电阻与通道温度
2.5
静态漏源通态电阻值：R
DS （ ON）
[Ω]
V
GS
=10V
脉冲
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[Ω]
V
GS
=10V
脉冲
2
1.5
I
D
=8A
1
1
I
D
=4A
0.5
0.1
0.01
0
0.1
1
10
-50
0
50
100
150
漏电流：我
D
[A]
通道温度：T已
ch
[℃]
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R8008ANX
　
数据表
图7正向转移导纳主场迎战漏电流
10
V
DS
=10V
脉冲
10
图8源电流和源极 - 漏极电压
V
GS
=0V
脉冲
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
正向转移导纳
Y
fs
[S]
1
源电流：我
s
[A]
1
10
1
0.1
0.01
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
0.1
0.001
0.001
0.01
0.01
0.1
漏电流：我
D
[A]
0
0.5
1
1.5
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
图9静态漏源通态电阻与栅源电压
3
T
a
=25°C
脉冲
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[Ω]
2
I
D
=8.0A
1
I
D
=4.0A
0
0
5
10
15
20
栅源电压： V
GS
[V]
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2011.10 - Rev.A的
R8008ANX
测量电路
　
数据表
脉冲宽度
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
V
DS
50%
10%
10%
90%
t
D（上）
t
on
t
r
90%
50%
10%
90%
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
V
G
V
GS
I
D
R
L
I
G（常量）。
D.U.T.
V
DD
V
DS
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
收费
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
V
GS
I
AS
L
V
DS
V
（ BR ） DSS
D.U.T.
R
G
I
AS
V
DD
E
AS
=
1
2
L I
AS
2
V
DD
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
- V
DD
图3-1雪崩测量电路
3-2雪崩波形
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