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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第494页 > R6020FNX
数据表
10V驱动N沟道MOSFET
R6020FNX
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TO-220FM
10.0
φ
3.2
4.5
2.8
2）低导通电阻。
3 ）开关速度快。
4 ）栅源电压
　
V
GSS
保证下为± 30V 。
5 ）驱动电路可以很简单。
6 ）并行使用非常简单。
14.0
2.5
■特点
1 ）快速反向恢复时间（t
rr
)
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
15.0
12.0
8.0
1.3
1.2
0.8
2.54
(1) (2) (3)
2.54
0.75
2.6
●应用
开关
Inner
电路
Packaging
特定网络阳离子
TYPE
R6020FNX
包
基本订购单位（件）
体积
500
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
(1)
(2)
1
(3)
1
体二极管
“绝对
最大额定值
（大
½
25°C)
参数
符号
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
连续
脉冲
连续
脉冲
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
I
AS
E
AS
P
D
T
ch
T
英镑
*3
*1
*3
*1
*2
*2
范围
600
30
20
80
20
80
10
26.7
50
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
雪崩电流
雪崩能量
功率耗散（ TC = 25°C ）
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2升≒ 500H ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25 ，开始总胆固醇= 25°C
* 3仅受最高温度允许的。
热阻
参数
渠道情况
符号
R
TH（ CH-C ）
范围
2.5
单位
C
/ W
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2011.10 - Rev.A的
R6020FNX
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
　
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
*
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
分钟。
-
600
-
3.0
-
7.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.19
-
2040
1660
70
50
70
170
40
65
15
25
马克斯。
100
-
100
5.0
0.25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
nA
V
uA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±30V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
= 10A ，V
GS
=10V
I
D
= 10A ，V
DS
=10V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 10A ，V
DD
300V
V
GS
=10V
R
L
=30
R
G
=10
I
D
=20A
V
DD
300V
V
GS
=10V
数据表
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）
参数
正向电压
反向恢复时间
*脉冲
符号
V
SD
*
t
rr
*
分钟。
-
75
典型值。
-
105
马克斯。
1.5
135
单位
V
ns
条件
I
S
= 20A ，V
GS
=0V
I
S
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
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R6020FNX
ⅵELECTRICAL
特性曲线
(Ta=25C)
图1典型的输出特性（ Ⅰ ）
5
T
a
=25℃
脉冲
4
V
GS
=10.0V
V
GS
=8.0V
V
GS
=7.0V
漏电流：我
D
[A]
3
V
GS
=6.0V
　
数据表
图2典型的输出特性（ Ⅱ ）
30
T
a
=25℃
脉冲
25
V
GS
=10.0V
V
GS
=8.0V
V
GS
=7.0V
漏电流：我
D
[A]
V
GS
=6.5V
20
V
GS
=6.5V
15
2
V
GS
=5.5V
10
V
GS
=6.0V
5
V
GS
=5.0V
0
V
GS
=5.5V
1
V
GS
=5.0V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
漏源电压： V
DS
[V]
0
2
4
6
8
10
漏源电压： V
DS
[V]
图3典型的传输特性
100
V
DS
=10V
脉冲
10
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
6
图4栅极阈值电压与通道温度
V
DS
=10V
I
D
=1mA
脉冲
栅极阈值电压： V
GS （ TH）
[V]
5
漏Currnt ：我
D
[A]
1
4
0.1
3
0.01
0.001
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0
栅源电压： V
GS
[V]
2
-50
0
50
100
150
通道温度：T已
ch
[℃]
图5静态漏源通态电阻与漏电流
1
图6静态漏源导通电阻与通道温度
0.6
静态漏源通态电阻值：R
DS （ ON）
[Ω]
V
GS
=10V
脉冲
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[Ω]
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
V
GS
=10V
脉冲
0.5
0.4
I
D
=20A
0.3
I
D
=10A
0.2
0.1
0.1
0.01
0
0.1
1
漏电流：我
D
[A]
10
100
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
通道温度：T已
ch
[℃]
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R6020FNX
　
数据表
图7正向转移导纳主场迎战漏电流
100
V
DS
=10V
脉冲
100
图8源电流和源极 - 漏极电压
V
GS
=0V
脉冲
正向转移导纳
Y
fs
[S]
10
源电流：我
S
[A]
10
1
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
0.1
1
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
0.1
0.01
0.01
0.01
0.1
1
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
漏电流：我
D
[A]
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
图9静态漏源通态电阻与栅源电压
1.0
0.9
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[Ω]
0.8
1000
切换时间： T [ NS ]
0.7
0.6
0.5
I
D
=10A
0.4
0.3
10
0.2
0.1
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
栅源电压： V
GS
[V]
1
0.01
I
D
=20A
T
a
=25℃
脉冲
10000
图10开关特性
V
DD
≒300V
V
GS
=10V
R
G
=10Ω
T
a
=25℃
脉冲
t
D（关闭）
100
t
f
t
D（上）
t
r
0.1
1
漏电流：我
D
[A]
10
100
图11动态输入特性
12
T
a
=25℃
V
DD
=300V
I
D
=20A
脉冲
电容： C [ pF的]
100000
图12典型的电容与漏源电压
10
栅源电压： V
GS
[V]
10000
T
a
=25℃
f=1MHz
V
GS
=0V
8
1000
C
国际空间站
6
100
C
OSS
4
10
2
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
总栅极电荷：Q
g
[ NC ]
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
漏源电压： V
DS
[V]
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R6020FNX
　
数据表
图13归瞬态热阻VS脉冲宽度
10
归瞬态热阻： R（T ）
T
a
=25℃
单脉冲
1
RTH
（ CH -A ）
=45.7℃/W
RTH
（ CH -A ）
（吨） = R（T） × Rth的
（ CH -A ）
漏电流：我
D
[ A ]
10
100
图14最大安全工作区
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
(V
GS
= 10V)
P
W
= 100μs
0.1
1
P
W
为1ms
0.01
0.1
P
W
= 10ms的
T
a
=25℃
单脉冲
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度： PW （ S）
漏源电压： V
DS
[ V ]
图15反向恢复时间与源电流
1000
T
a
=25℃
V
GS
=0V
di/dt=100A/μs
脉冲
反向恢复时间：吨
rr
[ NS ]
100
10
0
1
10
100
源电流：我
S
[A]
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R2228
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