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数据表
10V驱动N沟道MOSFET
R6018ANJ
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
LPTS
10.1
4.5
1.3
■特点
1）低导通电阻。
2 ）高速开关。
3 ）范围内的SOA 。
4 ）驱动电路可以很简单。
5 ）并行使用非常简单。
13.1
9.0
3.0
1.0
1.24
0.78
(3)
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
5.08
(1)
(2)
2.7
应用
开关
包装规格
TYPE
R6018ANJ
包
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TL
1000
内部电路
1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
雪崩电流
雪崩能量
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
*2 L
500H ，V
DD
= 50V ，R
G
=25, T
ch
=25C
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
(1)
(2)
1.2
2.54
0.4
(3)
1
体二极管
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*3
I
DP
*1
I
S
I
SP
I
AS
E
AS
P
D
T
ch
T
英镑
*3
*1
*2
*2
*4
范围
600
30
18
72
18
72
9
21.6
100
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
连续
脉冲
连续
脉冲
* 3仅受最高温度允许的。
*4 T
C
=25C
热阻
参数
渠道情况
符号
R
TH（ CH-C ）
范围
1.25
单位
C
/ W
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2011.10 - Rev.A的
R6018ANJ
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
　
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
*
R
DS （ ON）
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
分钟。
-
600
-
2.5
-
6.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.21
-
2050
1400
60
37
85
155
65
55
10
22
马克斯。
100
-
100
4.5
0.27
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
nA
V
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=30V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
= 9A ，V
GS
=10V
V
DS
= 10V ，我
D
=9A
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
300V ，我
D
=9A
V
GS
=10V
R
L
=33.3
R
G
=10
V
DD
300V
I
D
=18A
V
GS
=10V
数据表
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.5
条件
单位
V I
S
= 18A ，V
GS
=0V
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2011.10 - Rev.A的
R6018ANJ
ⅵELECTRICAL
特性曲线
　
数据表
40
图1 ：典型的输出特性（ Ⅰ ）
V =9.0V V
GS
=8.0V
V
GS
=10V
GS
T
a
= 25℃
脉冲
图2 ：典型的输出特性（ Ⅰ ）
20
T
a
= 25℃
脉冲
漏电流：我
D
(A)
15
V
GS
=10V
漏电流：我
D
(A)
V
GS
=8.0V
V
GS
=7.0V
V
GS
=6.5V
V
GS
=6.0V
10
V
GS
=5.5V
10
100
图3典型的传输特性
V
DS
= 10V
脉冲
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
漏电流：我
D
(A)
V
GS
=7.0V
V
GS
=6.5V
30
1
20
V
GS
=6.0V
0.1
10
V
GS
=5.0V
V
GS
= 4.5V
5
V
GS
=5.0V
V
GS
= 4.5V
0.01
0
0
10
20
30
40
50
漏源电压： V
DS
(V)
0
0
1
2
3
4
5
漏源电压： V
DS
(V)
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
栅源电压： V
GS
(V)
图4栅极阈值电压
与通道温度
栅极阈值电压： V
GS （ TH）
(V)
6
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS （ ON）
(Ω)
5
4
3
2
1
0
-50
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
10
图5静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
0.6
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS （ ON）
(Ω)
V
GS
= 10V
脉冲
0.5
0.4
0.3
图6静态漏源导通状态
电阻与栅源
T
a
=25℃
脉冲
1
I
D
=18A
0.2
I
D
=9A
0.1
0
0.1
0.01
0
50
100
150
0.1
1
10
100
通道温度：T已
ch
(℃)
漏电流：我
D
(A)
0
5
10
15
栅源电压： V
GS
(V)
图7静态漏源导通状态
电阻与通道温度
0.6
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS （ ON）
(Ω)
0.5
0.4
I
D
=18A
0.3
I
D
= 9A
0.2
0.1
0
-50
正向转移导纳：
| YFS | （ S）
V
GS
= 10V
脉冲
100
图8正向转移导纳
与漏电流
100
V
DS
= 10V
脉冲
源电流：我
S
(A)
10
10
图9源电流和源极 - 漏极
电压
V
GS
= 0V
脉冲
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
1
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
1
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
漏电流：我
D
(A)
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
0
50
100
150
通道温度：T已
ch
(℃)
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R6018ANJ
　
数据表
图10典型的电容与
漏源电压
10000
栅源电压： V
GS
(V)
15
图11动态输入特性
10000
T
a
= 25℃
V
DD
= 300V
I
D
= 18A
R
G
= 10Ω
脉冲
反向恢复时间：吨
rr
（纳秒）
图12反向恢复时间 -
源出电流
电容：C （PF ）
1000
C
国际空间站
10
1000
100
C
OSS
10
T
a
= 25℃
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
1
0.1
1
10
100
1000
漏源电压： V
DS
(V)
C
RSS
5
100
T
a
= 25℃
的di / dt = 100A / μs的
V
GS
= 0V
脉冲
10
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
总栅极电荷：Q
g
（ NC ）
源电流：我
S
(A)
图13开关特性
10000
t
f
切换时间： T（ NS ）
1000
t
D（关闭）
100
TA = 25 ℃
V
DD
= 300V
V
GS
= 10V
R
G
= 10Ω
脉冲
10
t
r
1
0.01
0.1
1
10
100
漏电流：我
D
(A)
t
D（上）
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R6018ANJ
测量电路
　
数据表
脉冲宽度
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
V
DS
V
GS
V
DS
50%
10%
10%
90%
50%
10%
90%
R
G
V
DD
t
D（上）
t
on
90%
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
V
G
V
GS
I
D
R
L
I
G（常量）。
R
G
D.U.T.
V
DD
V
DS
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
收费
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
V
GS
I
AS
L
V
DS
V
（ BR ） DSS
I
AS
V
DD
E
AS
=
1
2
L I
AS
2
D.U.T.
R
G
V
DD
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
- V
DD
图3-1雪崩测量电路
3-2雪崩波形
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