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10V驱动N沟道MOSFET
R6015ANJ
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
LPTS
10.1
4.5
1.3
特点
1）低导通电阻。
2 ）开关速度快。
3 ）栅极 - 源极电压（V
GSS
）保证是
±30V.
4 ）驱动电路可以很简单。
5 ）并行使用非常简单。
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
7.25
13.1
3.0
1.0
1.24
9.0
0.78
5.08
2.7
(1) (2) (3)
每根导线具有相同的尺寸
应用
开关
LPTL
8.9
4.8
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
LPTS
LPTL
1000
TL
TLL
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
(1) (2) (3)
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
雪崩电流
雪崩能量
总功率耗散（TC = 25℃）
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
L 500μH ，V
DD
=50V,
R
G
=25,
开始，总胆固醇= 25°C
3
只允许最高温度限制
内部电路
范围
600
±30
单位
V
V
A
A
A
A
(1)
(2)
(3)
1
体二极管
1
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
S
I
SP
I
AS
E
AS
P
D
总胆固醇
TSTG
3
1
3
1
2
2
±15
±60
15
60
7.5
15.0
100
150
55
to
+150
A
mJ
W
°C
°C
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
热阻
参数
渠道情况
符号
RTH （ CH -C ）
范围
1.25
单位
° C / W
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2009.04 - Rev.A的
1.2
2.54
0.4
R6015ANJ
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅源漏
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
脉冲
数据表
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
| Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
600
2.5
4.5
典型值。
0.23
1700
1120
80
50
50
150
60
50
8
20
马克斯。
±100
100
4.5
0.3
单位
nA
V
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±30V,
V
DS
=0V
I
D
=1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=600V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1mA
I
D
=7.5A,
V
GS
=10V
I
D
=7.5A,
V
DS
=10V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=7.5A,
V
DD
300V
V
GS
=10V
R
L
=40
R
G
=10
V
DD
300V
I
D
=15A
V
GS
=10V
R
L
=20
/ R
G
=10
体二极管的特性
（源极 - 漏极） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
单位
V
条件
I
S
= 15A ，V
GS
=0V
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R6015ANJ
电气特性曲线
100
40
10V
8.0V
漏电流：我
D
(A)
漏电流：我
D
(A)
10
30
6.5V
20
6.0V
10
5.0V
V
GS
= 4.5V
7.0V
20
数据表
TA = 25℃
脉冲
漏电流：我
D
(A)
TA = 25℃
脉冲
10V
15
8.0V
7.0V
1
P
W
=100us
操作在此
面积有限
由R
DS （ ON）
TC = 25°C
单脉冲
1
10
P
W
=1ms
P
W
= 10ms的
直流操作
10
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
V
GS
= 4.5V
0.1
5
0.01
0.1
0
100
1000
0
10
20
30
40
50
漏源电压： V
DS
(V)
图2 ：典型的输出特性（
Ⅰ
)
0
0
1
2
3
4
5
漏源电压： V
DS
(V)
图3 ：典型的输出特性（
Ⅱ
)
漏源电压： V
DS
( V )
图1最高安全工作的Aera
100
栅极阈值电压： V
GS （ TH）
(V)
5
4
3
2
1
漏电流：我
D
(A)
10
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = -25C
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS （ ON）
()
V
DS
= 10V
脉冲
6
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
10
V
GS
= 10V
脉冲
1
1
0.1
0.1
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = -25C
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
0
-50
0
50
100
150
0.01
0.001
栅源电压： V
GS
(V)
图4典型的传输特性
通道温度：T已
ch
(°C)
图5栅极阈值电压
与通道温度
漏电流：我
D
(A)
图6静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
0.6
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS （ ON）
()
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
5
10
I
D
=15A
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-50
I
D
= 7.5A
正向转移导纳：
| YFS | （ S）
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS （上
) ()
Ta=25°C
脉冲
0.6
V
GS
= 10V
脉冲
100
V
DS
= 10V
脉冲
10
I
D
= 15A
1
0.1
I
D
=7.5A
0.01
TA
TA
TA
TA
-25°C
25°C
75°C
125°C
15
0
50
100
150
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
栅源电压： V
GS
(V)
图7静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
通道温度：T已
ch
(°C)
图8静态漏源导通状态
电阻与通道温度
漏电流：我
D
(A)
图9正向转移导纳
与漏电流
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R6015ANJ
数据表
100
反向漏电流：我
DR
(A)
电容：C （PF ）
10
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = -25C
1000
C
OS s
100
C
RSS
C
为s
1
栅源电压： V
GS
(V)
1000
V
GS
= 0V
脉冲
10000
15
TA = 25℃
V
DD
= 300V
I
D
= 15A
R
G
= 10
10脉冲
5
0.1
10
TA = 25℃
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0
0.5
1
1.5
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
图10反向漏电流随
水稻源极 - 漏极电压
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
总栅极电荷：Q
g
（ NC ）
图12动态输入特性
漏源电压： V
DS
(V)
图11典型的电容与
漏源电压
1000
反向恢复时间：吨
rr
（纳秒）
10000
t
f
切换时间： T（ NS ）
1000
t
D（关闭）
100
TA = 25℃
V
DD
= 300V
V
GS
= 10V
R
G
= 10
脉冲
100
10
0.1
1
TA = 25℃
的di / dt = 100A / μs的
V
GS
= 0V
脉冲
10
100
10
t
r
1
0.01
0.1
1
10
100
t
D（上）
反向漏电流：我
DR
(A)
图13反向恢复时间
vs.Reverse漏电流
漏电流：我
D
(A)
图14开关
　
特征
10
NORMARIZED瞬态热
1
电阻： R（T ）
TA = 25°C
单脉冲： 1台
RTH
（
CH -A
）（
t
）
=
½（
t
）
= Rth的
（
CH -A
）
RTH
（
CH -A
）
= 49.7 ° C / W
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度： Pw的（ S）
图15归瞬态热电阻与脉冲宽度
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测量电路
数据表
图1开关时间测量电路
图2的开关波形
I
G
（常数）。
图3栅极电荷测量电路
图4栅极电荷波形
Fig.5
雪崩测量电路
Fig.6
雪崩波形
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