10V驱动N沟道MOSFET
R5205CND
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
CPT3
6.5
5.1
2.3
0.5
1.5
0.75
0.65
(1)Gate
(2)Drain
(3)Source
0.9
(1)
2.3
(2)
(3)
2.3
0.8Min.
缩写符号： R5205C
应用
开关
包装规格
TYPE
R5205CND
包
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TL
2500
内部电路
2
1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
符号
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
雪崩电流
雪崩能量
总功率耗散（TC = 25℃）
通道温度
储存温度范围
* 1仅受最高温度允许的。
* 2 Pw10s职务Cycle1 ％
* 3升500H ，V
DD
= 50V ， RG = 25起动总胆固醇= 25C
范围
525
30
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
(1)
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
(2)
(3)
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
S
I
SP
I
AS
E
AS
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
*2
*1
*2
*3
*3
1
体二极管
2
ESD保护二极管
5
20
5
20
2.5
1.6
40
150
-55到+150
热阻
参数
渠道情况
*仅受最高温度允许的。
符号
RTH （ CH-C ）
*
范围
3.13
单位
C
/ W
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2010.12 - Rev.A的
2.5
■特点
1 ）低电阻。
2 ）高速开关。
5.5
0.9
1.5
0.5
1.0
9.5
R5205CND
栅源电压： V
GS
(V)
TA = 25℃
V
DD
= 250V
I
D
= 5A
R
G
= 10
脉冲
数据表
反向恢复时间：吨
rr
（纳秒）
1000
10000
t
f
TA = 25℃
V
DD
= 250V
V
GS
= 10V
R
G
= 10
脉冲
15
切换时间： T（ NS ）
1000
10
100
100
t
D（关闭）
5
0
0
5
10
15
10
0.1
1
TA = 25℃
的di / dt = 100A /
μs
V
GS
= 0V
脉冲
10
100
10
t
r
t
D（上）
1
0.01
0.1
1
10
总栅极电荷：Q
g
（ NC ）
图10动态输入特性
反向漏电流：我
DR
(A)
图11反向恢复时间
vs.Reverse漏电流
漏电流：我
D
(A)
图12开关
特征
NORMARIZED瞬态热
电阻： R（T ）
10
1
TA = 25°C
单脉冲： 1台
第r （ CH-A ）（ t）的=
½t)
× Rth的（章-a）的
(
RTH （ CH- A）= 133.2 ° C / W
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度： Pw的（ S）
图13归瞬态热电阻与脉冲宽度
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