【R5021ANX晶体管10V驱动N沟道MOSFETR5021ANX结构硅N沟道MOSFET尺寸（单位】,IC型号R5021ANX,R5021ANX PDF资料,R5021ANX经销商,ic,电子元器件-51电子网

R5021ANX

晶体管

10V驱动N沟道MOSFET

R5021ANX

结构

硅N沟道MOSFET

尺寸

（单位：毫米）

TO-220FM

10.0

3.2

4.5

2.8

特点

1）低导通电阻。

2 ）开关速度快。

3 ）栅极 - 源极电压（V

GSS

)

保证为30V 。

4 ）驱动电路可以很简单。

5 ）并行使用非常简单。

15.0

12.0

8.0

2.5

1.3

1.2

14.0

0.8

(1)Base

(2)Collector

(3)Emitter

2.54

(1) (2) (3)

2.54

0.75

2.6

应用

开关

包装规格

包

TYPE

CODE

基本订购单位（件）

R5021ANX

体积

500

内部电路

绝对最大额定值

（ TA = 25℃ ）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

雪崩电流

雪崩能量

总功率耗散（TC = 25℃）

通道温度

储存温度范围

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

L 500μH ，V

=50V,

=25Ω,

开始，总胆固醇= 25°C

只允许最高温度限制

符号

DSS

GSS

连续

脉冲

连续

脉冲

总胆固醇

TSTG

范围

500

±30

±21

±84

10.5

29.6

150

+150

单位

°C

(1)

（ 1 ）门

（ 2 ）排水

（ 3 ）资料来源

(2)

(3)

体二极管

1/5

R5021ANX

晶体管

热阻

参数

渠道情况

符号

RTH （ CH -C ）

范围

2.5

单位

° C / W

电气特性

（ TA = 25℃ ）

参数

栅源漏

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

脉冲

符号

GSS

（ BR ） DSS

DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

| Y

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

分钟。

500

2.5

典型值。

0.16

2300

1000

200

马克斯。

±100

100

4.5

0.21

单位

μA

条件

=±30V,

=0V

=1mA,

=0V

=500V,

=0V

=10V,

=1mA

=10.5A,

=10V

=10.5A,

=10V

=25V

=0V

f=1MHz

=10.5A,

250V

=10V

=23.8Ω

=10Ω

250V

=21A

=10V

=11.9Ω

/ R

=10Ω

体二极管的特性

（源极 - 漏极）（TA = 25℃ ）

参数

正向电压

脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.5

单位

条件

= 21A ，V

=0V

2/5

R5021ANX

晶体管

电气特性曲线

100

操作在此

区域由限定

DS （ ON）

= 100us的

漏电流：我

(A)

为1ms

= 10ms的

直流操作

0.1

TA = 25°C

单脉冲

0.01

0.1

100

1000

漏源电压： VDS （ V）

图1最高安全工作的Aera

漏源电压： VDS （ V）

图2 ：典型的输出特性（

)

6.0V

5.5V

TA = 25℃

脉冲

10V

8.0V

7.0V

6.5V

漏电流：我

(A)

7.0V

6.5V

6.0V

TA = 25℃

脉冲

10V

8.0V

漏电流：我

(A)

5.5V

5.0V

= 4.5V

漏源电压： V

(V)

图3 ：典型的输出特性（

)

5.0V

= 4.5V

100

栅极阈值电压： V

GS （ TH）

(V)

= 10V

脉冲

漏电流：我

(A)

TA = 125℃

TA = 75℃

TA = 25℃

TA = -25C

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS （ ON）

( )

-50

= 10V

= 1毫安

= 10V

脉冲

TA = 125℃

TA = 75℃

TA = 25℃

TA = -25C

0.1

0.01

0.001

0.0

1.5

3.0

4.5

6.0

100

150

0.01

0.1

100

栅源电压： V

(V)

图4典型的传输特性

通道温度：T已

建华

(°C)

图5栅极阈值电压

与通道温度

漏电流：我

(A)

图6静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

0.6

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS （上

) ( )

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS （ ON）

( )

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

= 21.0A

= 10.5A

Ta=25°C

脉冲

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

= 10.5A

0.1

-50

= 10V

脉冲

正向转移导纳：

| YFS | （ S）

100

= 10V

脉冲

= 21.0A

TA = -25C

TA = 25℃

TA = 75℃

TA = 125℃

0.1

100

150

0.01

0.1

100

栅源电压： V

(V)

图7静态漏源导通状态

电阻与栅源电压

通道温度：T已

(°C)

图8静态漏源导通状态

电阻与通道温度

漏电流：我

(A)

图9正向转移导纳

与漏电流

3/5

R5021ANX

晶体管

100

反向漏电流：我

(A)

= 0V

脉冲

电容：C （PF ）

10000

栅源电压： V

(V)

为s

1000

TA = 25℃

= 250V

= 21A

= 10

脉冲

TA = 125℃

TA = 75℃

TA = 25℃

TA = -25C

100

RS s

TA = 25℃

F = 1MHz的

= 0V

OS s

0.1

0.01

0.5

1.5

0.1

100

1000

总栅极电荷：Q

（ NC ）

图12动态输入特性

源极 - 漏极电压： V

(V)

图10反向漏电流随

水稻源极 - 漏极电压

漏源电压： V

(V)

图11典型的电容与

漏源电压

1000

反向恢复时间：吨

（纳秒）

10000

切换时间： T（ NS ）

1000

TA = 25℃

= 250V

= 10V

= 10

脉冲

100

TA = 25℃

的di / dt = 100A /

μs

= 0V

脉冲

0.1

100

反向漏电流：我

(A)

图13反向恢复时间

vs.Reverse漏电流

100

D（关闭）

D（上）

0.1

100

漏电流：我

(A)

图14开关特性

NORMARIZED瞬态热

电阻： R（T ）

TA = 25°C

单脉冲： 1台

RTH CH-A T = T× Rth的CH-A

RTH CH-A = 45.9 ° C / W

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

脉冲宽度： Pw的（ S）

图15归瞬态热电阻与脉冲宽度

4/5

R5021ANX

晶体管

开关特性测量电路

图1-1开关时间测量电路

图1-2的开关波形

（常数）。

图2-1栅极电荷测量电路

图2-2栅极电荷波形

图3-1雪崩测量电路

3-2雪崩波形

5/5

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