【10V驱动N沟道MOSFETR5013ANJ结构硅N沟道MOSFET尺寸（单位：毫米）LPTS10.】,IC型号R5013ANJ,R5013ANJ PDF资料,R5013ANJ经销商,ic,电子元器件-51电子网

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10V驱动N沟道MOSFET

R5013ANJ

结构

硅N沟道MOSFET

尺寸

（单位：毫米）

LPTS

10.1

4.5

1.3

特点

1）低导通电阻。

2 ）开关速度快。

3 ）栅极 - 源极电压（V

GSS

）保证是

±30V.

4 ）驱动电路可以很简单。

5 ）并行使用非常简单。

应用

开关

7.25

13.1

3.0

1.0

1.24

9.0

0.78

5.08

2.7

（ 1 ）门

（ 2 ）排水

（ 3 ）资料来源

(1) (2) (3)

每根导线具有相同的尺寸

LPTL

8.9

4.8

（ 1 ）门

（ 2 ）排水

（ 3 ）资料来源

(1) (2) (3)

每根导线具有相同的尺寸

包装规格

包

TYPE

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

LPTS

LPTL

1000

TL

TLL

内部电路

1

(1)

(2)

(3)

（ 1 ）门

（ 2 ）排水

（ 3 ）资料来源

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

雪崩电流

雪崩能量

总功率耗散（TC = 25℃）

通道温度

储存温度范围

1

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

2

L 500μH ，V

DD

=50V,

R

G

=25,

开始，总胆固醇= 25°C

3

只允许最高温度限制

1

体二极管

符号

V

DSS

V

GSS

连续

脉冲

连续

脉冲

I

D

I

DP

I

S

I

SP

I

AS

E

AS

P

D

总胆固醇

TSTG

3

1

3

1

2

2

范围

500

±30

±13

±52

13

52

6.5

11.3

100

150

55

to

+150

单位

V

V

A

A

A

A

A

mJ

W

°C

°C

热阻

参数

渠道情况

符号

RTH （ CH -C ）

范围

1.25

单位

° C / W

www.rohm.com

c

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1.2

2.54

0.4

1/5

2009.04 - Rev.A的

R5013ANJ

电气特性

(Ta=25°C)

参数

栅源漏

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

脉冲

数据表

符号

I

GSS

V

（ BR ） DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

| Y

fs

|

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

分钟。

500

2.5

4.0

典型值。

0.29

1300

500

40

30

32

90

30

35

8

15

马克斯。

±100

100

4.5

0.38

单位

nA

V

A

V

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

条件

V

GS

=±30V,

V

DS

=0V

I

D

=1mA,

V

GS

=0V

V

DS

=500V,

V

GS

=0V

V

DS

=10V,

I

D

=1mA

I

D

=6.5A,

V

GS

=10V

V

DS

=10V,

I

D

=6.5A

V

DS

=25V

V

GS

=0V

f=1MHz

V

DD

250V ，我

D

=6.5A

V

GS

=10V

R

L

=38.5

R

G

=10

V

DD

250V

I

D

=13A

V

GS

=10V

R

L

=19.2

/ R

G

=10

体二极管的特性

（源极 - 漏极）（ TA = 25 ° C）

参数

正向电压

脉冲

符号

V

SD

分钟。

典型值。

马克斯。

1.5

单位

V

条件

I

S

= 13A ，V

GS

=0V

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R5013ANJ

电气特性曲线

数据表

100

20

操作在此

面积有限

由R

DS （ ON）

P

W

=100us

漏电流：我

D

(A)

15

10V

6.5V

7.0V

8.0V

10

6.0V

漏电流：我

D

(A)

TA = 25℃

脉冲

8

TA = 25℃

脉冲

8.0V

10V

5.5V

漏电流：我

D

(A)

10

P

W

=1ms

1

直流操作

0.1

TC = 25°C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

100

1000

5.5V

10

6

4

2

0

7.0V

6.5V

6.0V

5.0V

5.0V

5

V

GS

= 4.5V

0

0

10

20

30

40

50

V

GS

= 4.5V

0

1

2

3

4

5

漏源电压： V

DS

( V )

图1最高安全工作的Aera

漏源电压： V

DS

(V)

图2典型的输出特性（ Ⅱ ）

漏源电压： V

DS

(V)

图3典型的输出特性（ Ⅱ ）

漏电流：我

D

(A)

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0

TA = 125℃

TA = 75℃

TA = 25℃

TA = -25C

5

4

3

2

1

0

-50

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS （ ON）

()

V

DS

= 10V

脉冲

栅极阈值电压： V

GS （ TH）

(V)

100

6

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

10

V

GS

= 10V

脉冲

1

TA = 125℃

TA = 75℃

TA = 25℃

TA = -25C

0.1

0.01

0.1

1

10

100

1.5

3.0

4.5

6.0

0

50

100

150

栅源电压： V

GS

(V)

图4典型的传输特性

通道温度：T已

ch

(°C)

图5栅极阈值电压

与通道温度

漏电流：我

D

(A)

图6静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS （ ON）

()

1

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS （ ON）

()

0.8

0.6

0.4

I

D

= 6.5A

0.2

0

0

5

10

15

I

D

= 13.0A

Ta=25°C

脉冲

1

0.8

0.6

I

D

= 13.0A

0.4

0.2

0

-50

I

D

= 6.5A

V

GS

= 10V

脉冲

正向转移导纳：

| YFS | （ S）

100

V

DS

= 10V

脉冲

10

1

TA = -25C

TA = 25℃

TA = 75℃

TA = 125℃

0.1

0

50

100

150

0.01

0.01

0.1

1

10

100

栅源电压： V

GS

(V)

图7静态漏源导通状态

电阻与栅源

通道温度：T已

ch

(°C)

图8静态漏源导通状态

电阻与通道

漏电流：我

D

(A)

图9正向转移导纳

与漏电流

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R5013ANJ

反向漏电流：我

DR

(A)

100

V

GS

= 0V

脉冲

10000

栅源电压： V

GS

(V)

15

TA = 25℃

V

DD

= 250V

I

D

= 13A

R

G

= 10

脉冲

数据表

电容：C （PF ）

10

1000

C

国际空间站

C

OSS

10

1

TA

TA

TA

TA

125°C

75°C

25°C

-25°C

100

C

RSS

5

0.1

10

TA = 25℃

F = 1MHz的

V

GS

= 0V

0.01

0.1

1

10

100

1000

0.01

0

0.5

1

1.5

1

0

0

10

20

30

40

50

漏源电压： V

DS

(V)

图11典型的电容与

漏源电压

源极 - 漏极电压： V

SD

(V)

图10反向漏电流随

水稻源极 - 漏极电压

总栅极电荷：Q

g

（ NC ）

图12动态输入特性

反向恢复时间：吨

rr

（纳秒）

1000

10000

t

f

1000

t

D（关闭）

100

100

TA = 25℃

的di / dt = 100A / μs的

V

GS

= 0V

脉冲

10

0.1

1

10

100

切换时间： T（ NS ）

TA = 25℃

V

DD

= 250V

V

GS

= 10V

R

G

= 10

脉冲

10

t

r

1

0.01

0.1

1

10

100

t

D（上）

反向漏电流：我

DR

(A)

图13反向恢复时间

vs.Reverse漏电流

漏电流：我

D

(A)

图14开关特性

NORMARIZED瞬态热

电阻： R（T ）

1

TA = 25°C

单脉冲： 1台

第r （ CH-A ）（ t）的=

½（t）×Rth（ch-a）

RTH （ CH- A）= 49.9 ° C / W

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

PULSE W ID ：密码（ S）

图15归瞬态热电阻与脉冲W ID

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开关特性测量电路

脉冲宽度

V

GS

I

D

R

L

D.U.T.

R

G

V

DD

V

DS

数据表

V

GS

V

DS

50%

10%

10%

90%

t

D（上）

t

on

t

r

90%

50%

10%

90%

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

图1-1开关时间测量电路

图1-2的开关波形

V

G

V

GS

I

D

R

L

I

G（常量）。

R

G

D.U.T.

V

DD

V

DS

Q

g

V

GS

Q

gs

Q

gd

收费

图2-1栅极电荷测量电路

图2-2栅极电荷波形

V

GS

I

AS

L

V

DS

V

D（ BR ） DSS

D.U.T.

R

G

I

AS

V

DD

E

AS

=

1

2

L I

AS

2

V

D（ BR ） DSS

V

D（ BR ） DSS

- V

DD

图3-1雪崩测量电路

3-2雪崩波形

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