数据表
10V驱动N沟道MOSFET
R4008AND
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
CPT3
(SC-63)
<SOT-428>
6.5
5.1
2.3
0.5
1.5
5.5
■特点
1）低导通电阻。
2 ）高速开关。
3 ）范围内的SOA 。
4 ）驱动电路可以很简单。
5 ）并行使用非常简单。
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
0.9 2.3
(1)
(2)
(3)
2.3
0.8Min.
0.65
0.5
1.0
应用
开关
包装规格
TYPE
R4008AND
包
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TL
2500
内部电路
1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
漏源电压
栅源电压
连续
漏电流
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*4
I
DP
I
S
I
SP
I
AS
E
AS
P
D
T
ch
T
英镑
*3
*3
*5
*4
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
(1)
(2)
(3)
范围
400
30
8
32
48
8
*1
*2
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
1
体二极管
源出电流
（体二极管）
雪崩电流
雪崩能量
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
32
*1
48
*2
4
4.3
20
150
55
to
150
* 2 Pw≤1s ，职务cycle≤1 ％的安全工作区的限制。 （V
DS
≤30V)
*3 L
500H ，V
DD
= 50V ，R
G
=25, T
ch
=25C
* 4只限于由最高温度允许的。
*5 T
C
=25C
热阻
参数
渠道情况
符号
R
TH（ CH-C ）
范围
6.25
单位
C
/ W
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2011.10 - Rev.A的
2.5
0.75
0.9
1.5
9.5
R4008AND
ⅵELECTRICAL
特性曲线
数据表
图1最高安全工作的Aera
100
在这一领域是有限的
由R
DS （ ON）
1
0.9
0.8
10
漏电流：我
D
[A]
P
W
=100us
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
10
100
1000
图2典型的输出特性（ Ⅱ ）
8
V
GS
=10.0V
V
GS
=8.0V
V
GS
=7.0V
V
GS
=6.5V
V
GS
=6.0V
7
V
GS
=5.0V
漏电流：我
D
[A]
6
5
4
3
2
1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
漏源电压： V
DS
[V]
0
图3典型的输出特性（ Ⅱ ）
V
GS
=10.0V
V
GS
=8.0V
V
GS
=7.0V
V
GS
=6.5V
漏电流：我
D
(A)
V
GS
=6.0V
1
P
W
=1ms
0.1
T
a
=25℃
脉冲
P
W
=10ms
T
a
=25℃
脉冲
V
GS
=4.5V
T
a
=25℃
脉冲
V
GS
=5.0V
V
GS
=4.5V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
漏源电压： V
DS
( V )
漏源电压： V
DS
[V]
图4典型的传输特性
栅极阈值电压： V
GS （ TH）
(V)
100
V
DS
= 10V
脉冲
漏电流：我
D
(A)
10
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
6
5
4
3
2
1
0
-50
图5栅极阈值电压
与通道温度
10
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS （ ON）
(Ω)
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
图6静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
V
GS
= 10V
脉冲
1
1
0.1
0.01
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
0.1
0.1
1
10
100
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
栅源电压： V
GS
(V)
0
50
100
150
通道温度：T已
ch
(℃)
漏电流：我
D
(A)
图7静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
3.0
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS （ ON）
(Ω)
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS （ ON）
(Ω)
2.5
2.0
1.5
I
D
= 8.0A
1.0
0.5
0.0
0
5
10
15
栅源电压： V
GS
(V)
I
D
= 4.0A
T
a
=25℃
脉冲
3
2.5
2
1.5
1
图8静态漏源导通状态
电阻与通道温度
100
正向转移导纳：
| YFS | （ S）
V
GS
= 10V
脉冲
图9正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 10V
脉冲
10
I
D
= 8.0A
1
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
I
D
= 4.0A
0.5
0
-50
0.1
0
50
100
150
0.01
0.01
0.1
1
10
100
通道温度：T已
ch
(℃)
漏电流：我
D
(A)
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2011.10 - Rev.A的
R4008AND
数据表
图10反向漏电流随
水稻源极 - 漏极电压
100
V
GS
= 0V
脉冲
电容：C （PF ）
10
1000
10000
图11典型的电容与
漏源电压
15
栅源电压： V
GS
(V)
图12动态输入特性
源电流：我
S
(A)
C
国际空间站
10
TA = 25℃
V
DD
= 200V
I
D
= 8A
R
G
= 10Ω
脉冲
1
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
100
C
OSS
10
5
0.1
TA = 25 ℃
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
0.1
1
10
C
RSS
0.01
0
0.5
1
1.5
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
1
100
1000
漏源电压： V
DS
(V)
0
0
5
10
15
20
总栅极电荷：Q
g
（ NC ）
图13反向恢复时间
vs.Source电流
1000
反向恢复时间：吨
rr
（纳秒）
TA = 25 ℃
的di / dt = 100A / μs的
V
GS
= 0V
脉冲
10000
图14开关特性
1000
切换时间： T [ NS ]
t
f
t
D（关闭）
t
r
10
t
D（上）
V
DD
200V
V
GS
=10V
R
G
=10W
T
a
=25℃
脉冲
100
100
10
0.1
1
10
源电流：我
S
(A)
100
1
0.01
0.1
1
10
漏电流：我
D
[A]
图15归瞬态热电阻与脉冲宽度
10
NORMARIZED瞬态热
电阻： R（T ）
TA = 25°
单脉冲
第r （ CH-A ）（吨）= R（ t）的×的Rth （声道-a）的
RTH （ CH-A ） = 79.2 ℃ / W
0.1
1
0.01
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度： Pw的（ S）
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