【R30A THRU 30M快速矽整流器特点低正向电压高电流能力低漏电流高浪涌能力低成本绝对最大额定值】,IC型号R30D,R30D PDF资料,R30D经销商,ic,电子元器件-51电子网

R30A THRU 30M

快速矽整流器

特点

低正向电压

高电流能力

低漏电流

高浪涌能力

低成本

绝对最大额定值和特性

25评分

C环境温度，除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电

感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％。

R30A

最大的经常峰值反向电压*

最大RMS电压*

最大直流阻断电压*

最大正向平均整流电流

0.375 “ ，9.5 mm引线长度在T

= 60 C

峰值正向浪涌电流

8.3ms单半正弦波

最大正向电压在3A峰值

最大直流反向电流，额定直流

阻断电压

满载最大反向电流，

全周期平均， 0.375 “ （9.5 mm）引线长度

在T

= 55 C

典型结电容（注1 ）

最大反向恢复时间（注2 ）

工作和存储温度范围

150

R30B

100

R30D

200

140

200

R30G

400

280

400

150

1.3

R30J

600

420

600

R30K

800

560

800

R30M

1000

700

1000

单位

150

-65到+175

250

500

注意事项：

1.测得1 MHz和应用的24 V反向电压

2.反向恢复测试条件：我

= 0.5A ，我

= 1A ，我

= 0.25A

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

升特国际控股有限公司， acompany

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 2002年11月11日

R30A THRU 30M

图1 ，反向恢复时间特性和试验电路图

无感

+0.5A

D.U.T

(-)

脉冲

发电机

（注2 ）

(+)

无感

示波器

（注1 ）

-0.25

(+)

25 VDC

（约）

(-)

-1.0A

1cm

设定时基。 FOR

50/100ns/cm

注：1 。上升时间= 7ns的最大值。输入阻抗= 1兆欧， 22pF的。

2.Rise时间= 10ns的最大值。源阻抗= 50Ω 。

正向浪涌电流，安培

（半正弦波）

图2 - 典型瞬时

正向特性

瞬时正向电流，

安培

FIG.3-峰值正向浪涌电流

250

200

=25

150

100

循环次数在60赫兹

100

1.0

=25

0.1

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

正向电压，伏

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图4 -FORWARD电流降额曲线

3.0

正向平均整流

当前，安培

图5 - 典型结电容

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

单相

半波60赫兹

电阻或

感性负载

0.375"引线长度

100

=25

电容，PF

100

125 150

175

100

环境温度下，

反向电压，伏

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