初步
R2J20605ANP
集成的驱动程序 - MOS场效应管(的DrMOS )
REJ03G1821-0300
Rev.3.00
2010年2月26日
描述
该R2J20605ANP多芯片模块包括一个高侧MOS场效应管,低边MOS场效应管和MOS - FET驱动器
在一个QFN封装。导通和截止MOS场效应管是由内置的驱动优化的功率的定时,从而使该
设备适用于大电流降压转换器。该芯片还集成了高边自举开关,消除了
需要一个外部的SBD用于此目的。
集成的驱动器和两个高侧和低侧的功率MOS场效应管,新的设备也符合
包装标准"integrated驱动器 - MOS场效应管(的DrMOS ) "提出由英特尔公司。
特点
内置功率MOS FET适用于笔记本电脑,台式机,服务器应用程序
内置驱动电路,功率MOS FET匹配
低侧MOS场效应管具有内置的SBD ,更低损耗和减小振铃
内置三态输入功能,可支持多个PWM控制器
VIN工作电压范围: 27 V最大
高频操作( 1MHz以上)可能
大的平均输出电流(最大40 A)
实现低功耗
可控驱动程序:远程开/关
低端MOS FET禁用功能DCM操作
内置式热警告
内置的自举开关
小型封装: QFN56 ( 8毫米
8 mm
0.95 mm)
终端无铅/无卤
概要
VCIN
BOOT
GH
VIN
56
Reg5V
司机
PAD
高边MOS
PAD
1
14
15
DISBL #
MOS FET驱动器
LSDBL #
低端MOS垫
PWM
43
THWN CGND
GL
保护地
28
VSWH
42
29
(底视图)
QFN56封装8毫米
×
8 mm
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R2J20605ANP
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框图
驱动芯片
VCIN
Reg5V
BOOT
GH
THWN
DISBL #
THWN
UVL
BOOT
SW
VIN
HIGH SIDE
MOS FET
Reg5V
20
μA
监
CGND
Reg5V
电平转换器
25 k
150 k
LSDBL #
Reg5V
VSWH
PWM
输入逻辑
( TTL电平)
( 3态)
交叠
保护。
&放大器;逻辑
Reg5V
LOW SIDE
MOS FET
20
μA
保护地
CGND
GL
注:为DISBL #引脚1真值表。
DISBL #输入
\u003e\u003e 1 & QUOT ;
"OPEN"
& QUOT ; H & QUOT ;
驱动芯片状态
关机( GL , GH = "L" )
关机( GL , GH = "L" )
启用( GL , GH = "Active" )
2.真值表的LSDBL #引脚。
LSDBL #输入
\u003e\u003e 1 & QUOT ;
"OPEN"
& QUOT ; H & QUOT ;
\u003e\u003e 1 & QUOT ;
"Active"
"Active"
GL状态
从UVL块3的输出信号
UVL输出
逻辑电平
& QUOT ; H & QUOT ;
对于关闭
\u003e\u003e 1 & QUOT ;
VL
VH
VCIN
活跃
从THWN块4.输出信号
& QUOT ; H & QUOT ;
热警告
逻辑电平
\u003e\u003e 1 & QUOT ;
正常
操作
热
警告
T
IC
(°C)
TwarnL TwarnH
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管脚配置
LSDBL #
2
CGND
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
VIN
CGND
1
56
55
BOOT
VCIN
VIN
VIN
GH
NC
NC
15
16
17
18
19
PWM
DISBL #
Reg5V
THWN
GL
CGND
VSWH
VIN
CGND
54
53
52
51
50
49
48
VIN
VSWH
保护地
20
21
22
23
24
25
26
27
VSWH
47
46
45
44
43
保护地
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
VSWH
保护地
保护地
VSWH
( TOP VIEW )
注:所有模具垫( 3片计)应焊接到PCB上。
引脚说明
引脚名称
CGND
LSDBL #
NC
VCIN
BOOT
GH
VIN
VSWH
保护地
GL
THWN
Reg5V
DISBL #
PWM
PIN号
1 , 6 , 51 ,垫
2
3, 8
4
5
7
9 20,垫
21 , 40 50,垫
22至39
52
53
54
55
56
描述
控制信号接地
低侧栅极关闭
无连接
控制输入电压
自举电压引脚
高侧栅极信号
输入电压
相输出/开关量输出
电源地
低侧栅极信号
热警告
+ 5V逻辑电源输出
信号关闭
PWM驱动逻辑输入
备注
应连接到外部PGND
当断言"L"信号,低侧栅极关闭
驱动VCC输入
为了提供+ 5V通过内部启动SW
引脚监视
引脚监视
当DISBL #是"L"禁用
5 V输入逻辑
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VSWH
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绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
功耗
平均输出电流
输入电压
开关节点电压
启动电压
电源电压
PWM电压
符号
Pt(25)
Pt(110)
IOUT
输入电压(DC)的
VIN (AC)的
VSWH (DC)的
VSWH (AC)的
VBOOT (DC)的
VBOOT (AC)的
VCIN
VPWM
等级
25
8
40
-0.3至+27
30
27
30
32
36
-0.3至+27
-0.3到+5.5 @UVL关闭
-0.3到+0.3 @UVL ON
-0.3 Reg5V + 0.3
-0.3 VCIN + 0.3
-0.3 +6
-20至+0.1
01.0
-40到+150
-55到+150
单位
W
A
V
V
V
V
V
记
1
2
2, 4, 6
2
2, 4, 6
2
2, 4, 6
2
2, 4
2, 5
2, 7, 8
2
7
3
3
其他I / O电压
Reg5V电压
Reg5V电流
THWN电流
工作结温
储存温度
注:1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
Vdisble , Vlsdbl ,
Vthwn
Vreg5V
Ireg5V
Ithwn
TJ- OPR
TSTG
V
V
mA
mA
°C
°C
角(25)表示25℃下的印刷电路板的温度,和Pt( 110 )表示110℃。
额定电压是相对于上CGND和GND引脚的电压。
为额定电流, (+)表示流入到芯片和( - )表示流出。
该评级是当UVL (欠压锁定)是无效的(正常工作模式) 。
该评级是当UVL (欠压锁定)是有效的(锁定模式) 。
表示"AC"规格值的100 ns内限制。
此评级是当外部电源用施加到Reg5V销。
Reg5V + 0.3 V < 6 V
安全工作区
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
平均输出电流( A)
VOUT = 1.3 V
VIN = 12 V
VCIN = Reg5V = 5 V
L = 0.45
μH
FSW = 600千赫
0
25
50
75
100
125
PCB温度( ℃)
150
175
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推荐运行条件
项
输入电压
电源电压
符号
VIN
VCIN
等级
4.5 22
4.5 5.5
or
8-22个
单位
V
V
记
当VCIN的用法= 4.5 V至5.5 V ,
VCIN应连接到Reg5V
(请参阅"Pin Connection" )
电气特性
( TA = 25℃ , VCIN = 12 V , VSWH = 0 V ,除非另有说明)
项
供应
VCIN启动阈值
VCIN关断阈值
UVLO迟滞
VCIN工作电流
VCIN禁用电流
PWM
输入
PWM上升阈值
PWM下降阈值
PWM输入电阻
三态关闭窗口
关机拖延时间
5V
调节器
DISBL #
输入
LSDBL #
输入
热
警告
输出电压
线路调整
负载调整率
关断阈值
启用阈值
输入电流
低端激活阈值
低端关断阈值
输入电流
警告温度
温度迟滞
THWN导通电阻
THWN漏电流
符号
V
H
V
L
dUVL
I
CIN
I
CIN- DISBL
V
H- PWM
V
L- PWM
R
IN- PWM
V
IN- SD
t
HOLD -OFF
*
VREG
VREG线
VREG负荷
V
DISBL
V
ENBL
I
DISBL
V
LSDBLH
V
LSDBLL
I
LSDBL
T
THWN
*
T
HYS
*
I
泄漏
1
1
1
民
7.0
6.6
—
—
—
3.0
0.9
10
V
L- PWM
—
4.95
–10
–10
0.9
1.9
10
1.9
0.9
–56
95
—
0.2
—
典型值
7.4
7.0
0.4
52
—
3.4
1.2
20
—
100
5.2
0
0
1.2
2.4
20
2.4
1.2
–28
115
15
0.5
0.001
最大
7.8
7.4
—
—
2.5
3.8
1.5
40
V
H- PWM
—
5.45
10
10
1.5
2.9
40
2.9
1.5
–14
135
—
1.0
1.0
单位
V
V
V
mA
mA
V
V
k
V
ns
V
mV
mV
V
V
A
V
V
A
°C
°C
k
A
测试条件
V
H
– V
L
f
PWM
= 1 MHz时,
Ton_pwm = 120纳秒
DISBL # = 0 V , PWM = 0 V ,
LSDBL # =打开
PWM = 1 V
VCIN = 12 V至16 V
IREG = 0 10 mA的
DISBL # = 1 V
LSDBL # = 1 V
驱动IC的温度
THWN = 0.2 V
THWN = 5 V
R
THWN
*
1
注意:
1.参考值设计。不是100 %生产测试。
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