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R2J20602NP
集成的驱动程序 - MOS场效应管(的DrMOS )
REJ03G1480-0300
Rev.3.00
2008年6月30日
描述
该R2J20602NP多芯片模块包括一个高侧MOS场效应管,低边MOS场效应管,和在MOS- FET驱动器
单个QFN封装。导通和截止MOS场效应管是由内置的驱动优化的功率的定时,从而使该
设备适用于大电流降压转换器。该芯片还集成了高边自举肖特基势垒
二极管(SBD) ,省去了外部的SBD用于此目的。
集成的驱动器和两个高侧和低侧的功率MOS场效应管,新的设备也符合
包装标准“集成驱动器 - MOS FET (的DrMOS ) ”提出,由英特尔公司。
特点
内置功率MOS FET适用于12 V输入和低输出电压的应用
内置驱动电路,功率MOS FET匹配
内置三态输入功能,可支持多个PWM控制器
VIN工作电压范围: 16 V最大
高频操作( 1MHz以上)可能
大的平均输出电流(最大40 A)
实现低功耗(约4.4瓦,为1 MHz , 25 A)
可控驱动程序:远程开/关
内置肖特基二极管的引导
低侧驱动电压,可以独立地设定
小型封装: QFN56 ( 8毫米
×
8 mm
×
0.95 mm)
终端无铅
概要
VCIN
BOOT
GH
VIN
56
司机
TAB
Reg5V
VSWH
低端MOS标签
PWM
43
28
高边MOS
TAB
1
14
15
DISBL #
MOS FET驱动器
CGND VLDRV
GL
保护地
42
29
(底视图)
QFN56封装8毫米
×
8 mm
REJ03G1480-0300 Rev.3.00 2008年6月30日
第14页1
R2J20602NP
框图
VCIN
Reg5V
BOOT
GH
驱动芯片
UVL
DISBL #
2
A
CGND
5 V将军
SBD
VIN
高边
MOS FET
电平转换器
VSWH
VCIN
PWM
输入逻辑
( TTL电平)
( 3态)
交叠
保护
低端
MOS FET
保护地
CGND
VLDRV
GL
注:为DISBL #引脚1真值表。
DISBL #输入
“L”
Open
“H”
驱动芯片状态
关机( GL , GH = “L” )
关机( GL , GH = “L” )
启用( GL , GH = “激活” )
从UVL块2的输出信号
& QUOT ; H & QUOT ;
UVL输出
逻辑电平
\u003e\u003e 1 & QUOT ;
VL
VH
VCIN
激活
对于关闭
REJ03G1480-0300 Rev.3.00 2008年6月30日
第14页2
R2J20602NP
管脚配置
VLDRV
3
CGND
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
2
VIN
VIN
CGND
1
56
55
BOOT
VCIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
GH
NC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
PWM
DISBL #
Reg5V
NC
GL
CGND
VSWH
VSWH
VSWH
VSWH
VSWH
VSWH
VSWH
VSWH
VIN
VIN
VIN
VIN
VSWH
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
VIN
CGND
54
53
52
51
50
49
48
VSWH
47
46
45
44
43
VSWH
VSWH
( TOP VIEW )
注:所有模具垫( 3片计)应焊接到PCB上。
引脚说明
引脚名称
CGND
NC
VLDRV
VCIN
BOOT
GH
VIN
VSWH
保护地
GL
Reg5V
DISBL #
PWM
PIN号
1 , 6 , 51 ,标签
2, 53
3
4
5
7
820 ,选项卡
21 , 40 50,标签
22至39
52
54
55
56
描述
控制信号接地
无连接
低侧栅极电压
控制输入电压( + 12V输入)
自举电压引脚
高边栅极信号
输入电压
相输出/开关量输出
电源地
低侧栅极信号
+ 5V逻辑电源输出
信号关闭
PWM驱动逻辑输入
引脚监视
残疾人当DISBL #为“L”
备注
应连接到外部PGND
5 V至12 V的栅极驱动电压低侧
栅极驱动器
驱动VCC输入
为了提供+ 5V通过内部SBD
引脚监视
REJ03G1480-0300 Rev.3.00 2008年6月30日
第14页3
VSWH
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
R2J20602NP
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
功耗
平均输出电流
输入电压
电源电压
低边驱动电压
开关节点电压
启动电压
DISBL #电压
PWM电压
Reg5V电流
工作结温
储存温度
注:1 。
2.
3.
4.
5.
6.
符号
Pt(25)
Pt(110)
IOUT
VIN (DC)的
输入电压(AC)的
VCIN (DC)的
VCIN (AC)的
VLDRV (DC)的
VLDRV (AC)的
VSWH (DC)的
VSWH (AC)的
VBOOT (直流)
VBOOT (交流)
Vdisble
VPWM
Ireg5V
TJ- OPR
TSTG
等级
25
8
40
-0.3至+16
20
-0.3至+16
20
-0.3至+16
20
16
20
22
25
-0.3 VCIN
-0.3到+5.5
-0.3到+0.3
-10至+0.1
-40到+150
-55到+150
单位
W
W
A
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
1
1
2
2, 6
2
2, 6
2
2, 6
2
2, 6
2
2, 6
2
2, 4
2, 5
3
角(25)表示25℃下的印刷电路板的温度,和Pt( 110 )表示110℃。
额定电压是相对于上CGND和GND引脚的电压。
为额定电流, (+)表示流入到芯片和( - )表示流出。
该评级是当UVL (欠压锁定)是无效的(正常工作模式) 。
该评级是当UVL (欠压锁定)是有效的(锁定模式) 。
表示该规范值“AC”是100 ns内限制。
安全工作区
45
40
条件
VOUT = 1.3 V
VIN = 12 V
VLDRV = 5 V
VCIN = 12 V
L = 0.45
H
f
PWM
= 1兆赫
平均输出电流( A)
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
PCB温度( ℃)
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R2J20602NP
电气特性
( TA = 25℃ , VCIN = 12 V , VLDRV = 5 V , VSWH = 0 V ,除非另有说明)
供应
VCIN启动阈值
VCIN关断阈值
UVLO迟滞
VCIN偏置电流
VLDRV偏置电流
PWM
输入
PWM上升阈值
PWM下降阈值
PWM输入电阻
三态关闭窗口
关机拖延时间
输出电压
线路调整
负载调整率
关断阈值
启用阈值
输入电流
注意:
符号
V
H
V
L
dUVL
I
CIN
I
LDRV
V
H- PWM
V
L- PWM
R
IN- PWM
V
IN- SD
t
HOLD -OFF
VREG
VREG线
VREG负荷
V
DISBL
V
ENBL
I
DISBL
7.0
6.6
10.5
35.5
3.7
0.9
12.5
V
L- PWM
4.95
–10
–10
0.9
1.9
0.5
典型值
7.4
7.0
0.4 *
1
14.0
44.0
4.0
1.2
25
240 *
1
5.2
0
0
1.2
2.4
2.0
最大
7.8
7.4
18.5
52.5
4.3
1.5
37.5
V
H- PWM
5.45
10
10
1.5
2.9
5.0
单位
V
V
V
mA
mA
V
V
k
V
ns
V
mV
mV
V
V
A
测试条件
V
H
– V
L
f
PWM
= 1 MHz时,
t
ON- PWM
= 125纳秒
f
PWM
= 1 MHz时,
t
ON- PWM
= 125纳秒
4V–1V
I
PWM
(V
PWM
= 4 V) - 我
PWM
(V
PWM
= 1 V)
5V
调节器
DISBL #
输入
VCIN = 12 V至16 V
IREG = 0 10 mA的
DISBL # = 1 V
1.参考值设计。不是100 %生产测试。
REJ03G1480-0300 Rev.3.00 2008年6月30日
第14页5
为了我们的客户,
旧公司名称在产品目录等资料
4月1日
st
2010年, NEC电子公司合并,瑞萨科技
公司和瑞萨
电子公司
接手两者的所有业务
公司。
因此,尽管老公司的名称仍然是这个文件中,它是一种有效的
瑞萨
电子文档。我们感谢您的理解。
瑞萨电子网站:
http://www.renesas.com
4月1日
st
, 2010
瑞萨电子公司
由...发出:
瑞萨电子公司
( http://www.renesas.com )
任何发送查询
http://www.renesas.com/inquiry 。
通告
1.
本文档中包含的所有信息为发出该文件的日期。这样的信息,但是,是
如有更改,恕不另行通知。购买或使用本文中列出的任何瑞萨电子的产品,请前
确认与瑞萨电子销售办事处最新的产品信息。另外,请大家定期和仔细注意
另外,不同的信息由瑞萨电子披露,例如,通过我们的网站上披露。
瑞萨电子不承担侵权的专利,版权或其他知识产权的任何法律责任
第三方通过或从使用瑞萨电子的产品或本文档中描述的技术信息而引起。
没有许可证,明示,暗示或其他,是任何专利,版权或其他知识产权授予兹
瑞萨电子或其他人。
你不应该改变,修改,复制或以其他方式侵占瑞萨电子产品,不论是全部或部分转载。
仅被提供的电路,软件和本文件中的相关信息的描述来说明的操作
半导体产品和应用实例。你是全权负责这些电路,软件的结合,
而在你的设备的设计资料。瑞萨电电子不承担任何损失承担任何责任
你还是从使用这些电路,软件以及相关信息而产生的第三方。
当出口本文档中描述的产品或技术,你应该遵守适用的出口管制
法律,法规,并按照这些法律和法规规定的程序。你不应该使用瑞萨
电子产品或本文档中用于与军事应用或使用的任何用途中描述的技术
军队,包括但不限于大规模杀伤性武器的发展。瑞萨电子产品
技术可能不被用于或结合到任何产品或系统的制造,使用或禁止出售
根据任何适用的国内或外国的法律或法规。
瑞萨电子已经在准备本文档中包含的信息,使用合理的照顾,但瑞萨电子
不保证该信息没有错误。瑞萨电子承担因此任何损失承担任何责任
招致你从此处包含的信息中的错误或疏漏造成。
瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为: “标准” , “高品质” ,而
“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级,
如下所示。在特定的使用它之前,你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级
应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序
瑞萨电子的书面同意。此外,您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序
它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子,不得以任何方式
从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任
应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面
瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ,除非另有
在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定
电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频
设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。
“高品质” :运输设备(汽车,火车,船舶等) ;交通控制系统;防灾系统;反
犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。
“具体” :
飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或
生命支持系统(如人工生命支持设备或系统) ,外科手术植入,或保健
介入治疗(如切除等) ,并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。
您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内,
特别是相对于最大额定值,工作电源电压范围,移动电源电压范围时,热辐射
特点,安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或
由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。
本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性,半导体产品有
具体特点,如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外,
瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施,
防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性,并伤害或损坏
瑞萨电子产品,如安全性设计的硬件和软件,包括但不限于冗余,火
控制和故障的预防,对于老化降解或任何其他适当的措施,适当的治疗。因为
单独微机软件的评价是非常困难的,请评价最终产品或系统的安全性
由你制造的。
请联系瑞萨电子销售办事处联系,以环境问题,如环境
每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用
该规范的受控物质列入或使用,包括但不限于欧盟RoHS法规
指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任
适用法律和法规。
本文不得转载或复制,以任何形式,全部或部分,瑞萨没有事先书面同意
电子产品。
如果需要了解关于本资料的任何问题,请联系瑞萨电子销售办事处
文档或瑞萨电子的产品,或者如果您有任何疑问。
“标准” :
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
(注1 ) “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-
资子公司。
(注2 ) “瑞萨电子的产品(S ) ”,是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。
R2J20602NP
集成的驱动程序 - MOS场效应管(的DrMOS )
REJ03G1480-0500
Rev.5.00
2010年3月12日
描述
该R2J20602NP多芯片模块包括一个高侧MOS场效应管,低边MOS场效应管,和在MOS- FET驱动器
单个QFN封装。导通和截止MOS场效应管是由内置的驱动优化的功率的定时,从而使该
设备适用于大电流降压转换器。该芯片还集成了高边自举肖特基势垒
二极管(SBD) ,省去了外部的SBD用于此目的。
集成的驱动器和两个高侧和低侧的功率MOS场效应管,新的设备也符合
包装标准“集成驱动器 - MOS FET (的DrMOS ) ”提出,由英特尔公司。
特点
内置功率MOS FET适用于12 V输入和低输出电压的应用
内置驱动电路,功率MOS FET匹配
内置三态输入功能,可支持多个PWM控制器
VIN工作电压范围: 16 V最大
高频操作( 1MHz以上)可能
大的平均输出电流(最大40 A)
实现低功耗(约4.4瓦,为1 MHz , 25 A)
可控驱动程序:远程开/关
内置肖特基二极管的引导
低侧驱动电压,可以独立地设定
小型封装: QFN56 ( 8毫米
8 mm
0.95 mm)
终端无铅/无卤
概要
VCIN
BOOT
GH
VIN
56
司机
TAB
Reg5V
VSWH
低端MOS标签
PWM
43
28
高边MOS
TAB
1
14
15
DISBL #
MOS FET驱动器
CGND VLDRV
GL
保护地
42
29
(底视图)
QFN56封装8毫米
×
8 mm
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第14页1
R2J20602NP
框图
VCIN
Reg5V
BOOT
GH
驱动芯片
UVL
DISBL #
2
A
CGND
5 V将军
SBD
VIN
高边
MOS FET
电平转换器
VSWH
VCIN
PWM
输入逻辑
( TTL电平)
( 3态)
交叠
保护
低端
MOS FET
保护地
CGND
VLDRV
GL
注:为DISBL #引脚1真值表。
DISBL #输入
“L”
Open
“H”
驱动芯片状态
关机( GL , GH = “L” )
关机( GL , GH = “L” )
启用( GL , GH = “激活” )
从UVL块2的输出信号
& QUOT ; H & QUOT ;
UVL输出
逻辑电平
\u003e\u003e 1 & QUOT ;
VL
VH
VCIN
激活
对于关闭
REJ03G1480-0500 Rev.5.00 2010年3月12日
第14页2
R2J20602NP
管脚配置
VLDRV
3
CGND
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
2
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VSWH
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
CGND
1
56
55
BOOT
VCIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
GH
NC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
PWM
DISBL #
Reg5V
NC
GL
CGND
VSWH
VSWH
VSWH
VSWH
VSWH
VSWH
VSWH
VSWH
VIN
CGND
54
53
52
51
50
49
48
VSWH
47
46
45
44
43
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
VSWH
VSWH
( TOP VIEW )
注:所有模具垫( 3片计)应焊接到PCB上。
引脚说明
引脚名称
CGND
NC
VLDRV
VCIN
BOOT
GH
VIN
VSWH
保护地
GL
Reg5V
DISBL #
PWM
PIN号
1 , 6 , 51 ,标签
2, 53
3
4
5
7
820 ,选项卡
21 , 40 50,标签
22至39
52
54
55
56
描述
控制信号接地
无连接
低侧栅极电压
控制输入电压( + 12V输入)
自举电压引脚
高边栅极信号
输入电压
相输出/开关量输出
电源地
低侧栅极信号
+ 5V逻辑电源输出
信号关闭
PWM驱动逻辑输入
备注
应连接到外部PGND
5 V至12 V的栅极驱动电压低侧
栅极驱动器
驱动VCC输入
为了提供+ 5V通过内部SBD
引脚监视
引脚监视
残疾人当DISBL #为“L”
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
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    R2J20602NP
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    -
    -
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    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    R2J20602NP
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    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    R2J20602NP
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    终端采购配单精选

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电话:010-86227918、86227478、86227918、86227478
联系人:销售部(可以开17%增票)
地址:★★★★★北京市海淀区上地十街辉煌国际大厦4号楼B座16室
R2J20602NP
2500
RENESAS
N/A
▊代理渠道!原装货▊
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电话:13428921985
联系人:张小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦三栋三单元608
R2J20602NP
RENESAS/瑞萨
22+
27000
QFN
一级代理,全新原装正品,公司现货!
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电话:0551-63668656
联系人:刘小聪
地址:经济开发区宿松路9166号办公楼5-517
R2J20602NP
RENESAS/瑞萨
22+
18000
QFN
只做进口原装现货
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电话:0755-83200050
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦二栋五楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
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电话:13823781864
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区赛格科技园二栋西1013
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RENESAS/瑞萨
22+
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QFN
利源芯只做原装正品,力挺实单
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联系人:李经理
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