初步
R1WV6416R系列
64MB先进LPSRAM （ 4M字X 16位/ 800万字X 8位）
REJ03C0368-0001
初步
Rev.0.01
2008.03.24
描述
该R1WV6416R系列是由组织为4,194,304字一个家庭的低电压64兆位静态RAM的
16位，瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT技术制造。
该R1WV6416R系列是适用于存储应用中一个简单的接口，电池的使用
和备用电池是重要的设计目标。
12毫米X 20毫米有：在R1WV6416R系列采用48引脚薄型小尺寸封装[ TSOP （ I）提供
0.5毫米引脚间距] ， 52针微型薄型小尺寸封装[
TSOP （ II ） ： 10.79毫米X 10.49毫米与引脚间距
为0.4mm ]和48球细间距球栅阵列[F -BGA ]包。它提供了对压实的最佳解决方案
安装区，以及印刷电路板的布线图案的灵活性。
特点
单2.7 3.6V电源
小的待机电流： 8 μA （ 3.0V ，典型值）
没有时钟，没有刷新
所有的输入和输出为TTL兼容。
由CS1 ＃ ， CS2 ， LB ＃和瑞银易扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
OE ＃防止数据争用I / O总线上
订购信息
型号
R1WV6416RSA-5S%
R1WV6416RSA-7S%
R1WV6416RSD-5S%
R1WV6416RSD-7S%
R1WV6416RBG-5S%
R1WV6416RBG-7S%
存取时间
55纳秒
*1
70纳秒
55纳秒
*1
70纳秒
55纳秒
*1
70纳秒
包
12毫米X 20毫米48引脚塑料TSOP （ I）
（正常弯曲型） （ 48P3R ）
350万52引脚塑料
μ- TSOP
(II)
（正常弯曲型） （ 52PTG ）
F- BGA 0.75毫米间距48球
注1 。 55ns份可输入时序限制朝向上SRAM顾客的条件下得到支持
系统。请联系我们的销售办公室在您所在的地区，如研讯为55ns部分。
％ - 温度版本;见下面的表
温度范围
0 ~ +70 °C
-40 ~ +85 °C
%
R
I
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R1WV6416R系列
初步
管脚配置
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
CS1#
WE＃
NC
NC
VCC
CS2
A21
A20
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
A16
BYTE ＃
UB ＃
VSS
磅＃
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
NC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
NC
A0
1
A
B
C
D
E
F
G
H
磅＃
DQ15
2
OE ＃
UB ＃
3
A0
A3
A5
A17
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CS1#
DQ1
DQ3
DQ4
DQ6
WE＃
A11
6
CS2
DQ0
DQ2
VCC
VSS
DQ5
DQ7
A20
DQ13 DQ14
VSS
VCC
DQ10
DQ8
A18
DQ12
DQ11
DQ9
A19
A8
52-pin
μTSOP
(II)
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
A21
A14
A12
A9
48引脚F- BGA （ TOP VIEW ）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE＃
CS2
A21
UB ＃
磅＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
A16
BYTE ＃
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CS1#
A0
48引脚TSOP （ I）
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
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引脚说明
引脚名称
VCC
VSS
A0到A21
A- 1 A21
DQ0到DQ15
CS1#
CS2
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
BYTE ＃
NC
电源
地
地址输入（字模式）
地址输入（字节模式）
数据输入/输出
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节使能
高字节使能
字节的控制方式使
无连接
功能
注：字节＃引脚被支承为48引脚的TSOP （I）和52引脚μTSOP （II）的包。
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框图
A
0
A
1
地址
卜FF器
ROW
解码器
存储阵列
2M字X16位
or
4M字×8位
DQ
卜FF器
DQ0
DQ1
A
21
数据
SENSE /写放大器
选择器
DQ7
DQ8
DQ9
DQ
列解码器
时钟
卜FF器
CS2
CS1#
磅＃
UB ＃
BYTE ＃
WE＃
OE ＃
发电机
DQ15
/ A
-1
X8 / x16
控制
VCC
VSS
32MB SRAM ＃ 1
32MB SRAM ＃ 2
注：字节＃引脚被支承为48引脚的TSOP （I）和52引脚μTSOP （II）的包。
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R1WV6416R系列
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手术床
CS1#
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BYTE ＃
X
X
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
磅＃
X
X
H
L
L
H
H
L
L
L
L
L
L
UB ＃
X
X
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
WE＃
X
X
X
L
H
L
H
L
H
H
L
H
H
OE ＃
X
X
X
X
L
X
L
X
L
H
X
L
H
DQ0~7
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DQ8~14
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DQ15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
高-Z
A-1
A-1
A-1
手术
待用
待用
待用
写低字节
读低字节
写在高位字节
读高字节
字写
字读
输出禁用
字节写
字节读
输出禁用
注1 。 H： V
IH
L： V
IL
X： V
IH
或V
IL
2. BYTE ＃引脚被支承为48引脚的TSOP （I）和52引脚μTSOP （Ⅱ）的软件包。
3.当使用BYTE ＃ = “ L” ，请指定LB ＃ = UB ＃ = “ L” 。
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于Vss的
任何引脚相对于VSS端，电压
功耗
工作温度
存储温度范围
下偏置存储温度范围
符号
VCC
V
T
P
T
TOPR
*3
TSTG
Tbias
*3
版本。
我版本。
版本。
我版本。
价值
-0.5到+4.6
-0.5
*1
到Vcc + 0.3
*2
0.7
0至+70
-40至+85
-65到150
0至+70
-40至+85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
°C
注1： -2.0V的情况下， AC（脉冲宽度
≤30ns)
2.最大电压为+ 4.6V 。
3，环境温度范围取决于R / I-版本。请参阅第1页上的表。
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QQ：2881677436 复制
