R1W V3216R系列
32MB superSRAM （ 2M wordx16bit ）
REJ03C0215-0100Z
Rev.1.00
2004.4.13
描述
该R1WV3216R系列是由16位组织为2097152字的低电压32兆位静态RAM中，
瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT技术制造。
该R1WV3216R系列是适用于存储应用中一个简单的接口，电池的工作和
备用电池是重要的设计目标。
该R1WV3216R系列是由堆叠的微封装技术制成， 16Mbit的superSRAMs两个芯片
被组装在一个封装中。
该R1WV3216R系列封装在一个52pin微型薄型小尺寸封装器件[
TSOP / 10.79毫米X
10.49毫米与销间距0.4毫米杂志或48balls精细间距球栅阵列并[f -BGA / 7.5mmx8.5mm与球间距
为0.75mm和6×8阵列。它给出了安装区域的压实的最佳解决方案的布线以及灵活性
印刷电路板的图案。
特点
单2.7-3.6V电源
小待机电流： 4
A（ 3.0V ，典型值）。
数据保持电源电压= 2.0V
没有时钟，没有刷新
所有输入和输出为TTL兼容。
通过CS1 ＃ ， CS2 ， LB ＃和瑞银易扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
OE＃防止数据冲突的I / O总线上
工艺技术： 0.15um CMOS
Rev.1.00
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R1W V3216R系列
订购信息
型号
R1WV3216RSD-7S%
R1WV3216RSD-8S%
R1WV3216RBG-7S%
R1WV3216RBG-8S%
存取时间
70纳秒
85纳秒
70纳秒
7.5mmx8.5mm F- BGA 0.75毫米间距48ball
85纳秒
％ - 温度版本;见下面的表
%
R
W
I
温度范围
0 ~ +70 C
-20 ~ +85 C
-40 ~ +85 C
包
350万52引脚塑料μ - TSOP （ II ）
（正常弯曲型） （ 52PTG ）
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R1W V3216R系列
手术台
CS1#
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BYTE ＃
X
X
H
H
H
X
H
H
H
H
L
L
磅＃
X
X
H
L
L
X
H
H
L
L
L
L
UB ＃
X
X
H
H
H
X
L
L
L
L
L
L
WE＃
X
X
X
L
H
H
L
H
L
H
L
H
OE ＃
X
X
X
X
L
H
X
L
X
L
X
L
DQ0-7
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
DQ8-14
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
DQ15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
A-1
A-1
手术
支持
支持
支持
写低字节
读低字节
输出禁用
写在高位字节
从高字节读取
写
读
写
读
注意事项1. H： VIH L： VIL X： VIH或VIL
2. BYTE ＃引脚只有TSOP类型的支持。当应用BYTE ＃ = “ L” ，请指定LB ＃ = UB ＃ = “ L” 。
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于Vss的
任何引脚相端电压toVss
功耗
符号
VCC
V
T
P
T
版本。
价值
-0.5到+4.6
-0.5*
1
到Vcc + 0.3 *
2
0.7
0至+70
-20至+85
-40至+85
-65到+150
版本。
0至+70
-20至+85
-40至+85
单位
V
V
W
C
C
C
C
C
C
C
工作温度
TOPR
W版本。
我版本。
储存温度
TSTG
下偏置存储温度范围
Tbias
W版本。
我版本。
注1： -2.0V的情况下，交流（脉冲宽度
≤
30ns)
2 ：最大电压为+ 4.6V
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