R1W V3216R系列
32MB先进LPSRAM （ 2M wordx16bit ）
REJ03C0215-0300Z
Rev.3.00
2008.03.03
描述
该R1WV3216R系列是由16位组织为2097152字的低电压32兆位静态RAM中，
瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT技术制造。
该R1WV3216R系列是适用于存储应用中一个简单的接口，电池的工作和
备用电池是重要的设计目标。
该R1WV3216R系列是由堆叠的微封装技术制成， 16Mbit的高级两种芯片
LPSRAMs被组装在一个封装中。
该R1WV3216R系列封装在一个52pin微型薄型小尺寸封装器件[
TSOP / 10.79毫米X
10.49毫米与销间距0.4毫米杂志或48balls精细间距球栅阵列并[f -BGA / 7.5mmx8.5mm与球间距
为0.75mm和6×8阵列。它给出了安装区域的压实的最佳解决方案的布线以及灵活性
印刷电路板的图案。
特点
单2.7-3.6V电源
小待机电流： 4
A（ 3.0V ，典型值）。
数据保持电源电压= 2.0V
没有时钟，没有刷新
所有输入和输出为TTL兼容。
通过CS1 ＃ ， CS2 ， LB ＃和瑞银易扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
OE＃防止数据冲突的I / O总线上
工艺技术： 0.15um CMOS
REJ03C0215-0300Z Rev.3.00 2008.03.03
分页： 15 1
R1W V3216R系列
订购信息
型号
R1WV3216RSD-7S%
R1WV3216RSD-8S%
R1WV3216RBG-7S%
R1WV3216RBG-8S%
存取时间
70纳秒
85纳秒
70纳秒
7.5mmx8.5mm F- BGA 0.75毫米间距48ball
85纳秒
％ - 温度版本;见下面的表
%
R
I
温度范围
0 ~ +70 C
-40 ~ +85 C
包
350万52引脚塑料μ - TSOP （ II ）
（正常弯曲型） （ 52PTG ）
REJ03C0215-0300Z Rev.3.00 2008.03.03
分页： 15 2
R1W V3216R系列
管脚配置
52针μTSOP
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
CS1#
WE＃
NC
NC
VCC
CS2
NC
A20
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
A16
BYTE ＃
UB ＃
VSS
磅＃
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
NC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
NC
A0
48引脚FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
磅＃
2
OE ＃
3
A0
A3
A5
A17
VSS
or
NC
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CS1#
6
CS2
DQ0
DQ15
UB ＃
DQ13
DQ14
DQ1
DQ2
VSS
VCC
DQ10
DQ12
DQ3
VCC
VSS
DQ5
DQ11
DQ4
DQ9
A19
A8
A14
A12
A9
DQ6
DQ8
WE＃
A11
DQ7
A18
A20
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚名称
A0到A20
A- 1 A20
DQ 0到DQ15
CS1 ＃ &CS2
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
VCC
VSS
BYTE ＃
NC
注：字节模式支持仅52引脚μTSOP类型。
功能
地址输入（字模式）
地址输入（字节模式）
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节选择
高字节选择
电源
地
字节（ x8模式）使能输入
无连接
REJ03C0215-0300Z Rev.3.00 2008.03.03
第15 3
R1W V3216R系列
框图
感测放大器。
地址缓冲器
A0
存储阵列
解码器
感测放大器。
A20
CS2
CS1#
磅＃
UB ＃
BYTE ＃
WE＃
OE ＃
产量
卜FF器
1048576字
X 16位
OR
2097152字
X 8位
时钟
发电机
数据选择器
产量
卜FF器
DQ0
DQ7
DQ8
DQ15
/ A-1
数据选择器
数据输入
卜FF器
VCC
VSS
16Mb的先进LPSRAM ＃ 1
16Mb的先进LPSRAM ＃ 2
注： BYTE ＃引脚支持的只有52针的μTSOP类型。
REJ03C0215-0300Z Rev.3.00 2008.03.03
第15 4
数据输入
卜FF器
x8/x16
开关
电路
R1W V3216R系列
手术台
CS1#
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BYTE ＃
X
X
H
H
H
X
H
H
H
H
L
L
磅＃
X
X
H
L
L
X
H
H
L
L
L
L
UB ＃
X
X
H
H
H
X
L
L
L
L
L
L
WE＃
X
X
X
L
H
H
L
H
L
H
L
H
OE ＃
X
X
X
X
L
H
X
L
X
L
X
L
DQ0-7
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
DQ8-14
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
DQ15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
A-1
A-1
手术
支持
支持
支持
写低字节
读低字节
输出禁用
写在高位字节
从高字节读取
写
读
写
读
注意事项1. H： VIH L： VIL X： VIH或VIL
2. BYTE ＃引脚仅52引脚μTSOP类型支持。当应用BYTE ＃ = “ L” ，请指定LB ＃ = UB ＃ = “ L” 。
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于Vss的
任何引脚相端电压toVss
功耗
工作温度
储存温度
下偏置存储温度范围
符号
VCC
V
T
P
T
版本。 *
3
TOPR
我查看。 *
3
TSTG
版本。 *
3
Tbias
我查看。 *
3
价值
-0.5到+4.6
-0.5*
1
到Vcc + 0.3 *
2
0.7
0至+70
-40至+85
-65到+150
0至+70
-40至+85
单位
V
V
W
C
C
C
C
C
注1： -2.0V的情况下，交流（脉冲宽度
≤
30ns)
2 ：最大电压为+ 4.6V
3 ：使用温度范围
取决于R / I-版本。请参阅第2页上的表。
REJ03C0215-0300Z Rev.3.00 2008.03.03
第15个5
R1W V3216R系列
32MB superSRAM （ 2M wordx16bit ）
REJ03C0215-0100Z
Rev.1.00
2004.4.13
描述
该R1WV3216R系列是由16位组织为2097152字的低电压32兆位静态RAM中，
瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT技术制造。
该R1WV3216R系列是适用于存储应用中一个简单的接口，电池的工作和
备用电池是重要的设计目标。
该R1WV3216R系列是由堆叠的微封装技术制成， 16Mbit的superSRAMs两个芯片
被组装在一个封装中。
该R1WV3216R系列封装在一个52pin微型薄型小尺寸封装器件[
TSOP / 10.79毫米X
10.49毫米与销间距0.4毫米杂志或48balls精细间距球栅阵列并[f -BGA / 7.5mmx8.5mm与球间距
为0.75mm和6×8阵列。它给出了安装区域的压实的最佳解决方案的布线以及灵活性
印刷电路板的图案。
特点
单2.7-3.6V电源
小待机电流： 4
A（ 3.0V ，典型值）。
数据保持电源电压= 2.0V
没有时钟，没有刷新
所有输入和输出为TTL兼容。
通过CS1 ＃ ， CS2 ， LB ＃和瑞银易扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
OE＃防止数据冲突的I / O总线上
工艺技术： 0.15um CMOS
Rev.1.00
2004.4.13
第16页1
R1W V3216R系列
订购信息
型号
R1WV3216RSD-7S%
R1WV3216RSD-8S%
R1WV3216RBG-7S%
R1WV3216RBG-8S%
存取时间
70纳秒
85纳秒
70纳秒
7.5mmx8.5mm F- BGA 0.75毫米间距48ball
85纳秒
％ - 温度版本;见下面的表
%
R
W
I
温度范围
0 ~ +70 C
-20 ~ +85 C
-40 ~ +85 C
包
350万52引脚塑料μ - TSOP （ II ）
（正常弯曲型） （ 52PTG ）
Rev.1.00
2004.4.13
第16页2
R1W V3216R系列
手术台
CS1#
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BYTE ＃
X
X
H
H
H
X
H
H
H
H
L
L
磅＃
X
X
H
L
L
X
H
H
L
L
L
L
UB ＃
X
X
H
H
H
X
L
L
L
L
L
L
WE＃
X
X
X
L
H
H
L
H
L
H
L
H
OE ＃
X
X
X
X
L
H
X
L
X
L
X
L
DQ0-7
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
DQ8-14
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
DQ15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
A-1
A-1
手术
支持
支持
支持
写低字节
读低字节
输出禁用
写在高位字节
从高字节读取
写
读
写
读
注意事项1. H： VIH L： VIL X： VIH或VIL
2. BYTE ＃引脚只有TSOP类型的支持。当应用BYTE ＃ = “ L” ，请指定LB ＃ = UB ＃ = “ L” 。
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于Vss的
任何引脚相端电压toVss
功耗
符号
VCC
V
T
P
T
版本。
价值
-0.5到+4.6
-0.5*
1
到Vcc + 0.3 *
2
0.7
0至+70
-20至+85
-40至+85
-65到+150
版本。
0至+70
-20至+85
-40至+85
单位
V
V
W
C
C
C
C
C
C
C
工作温度
TOPR
W版本。
我版本。
储存温度
TSTG
下偏置存储温度范围
Tbias
W版本。
我版本。
注1： -2.0V的情况下，交流（脉冲宽度
≤
30ns)
2 ：最大电压为+ 4.6V
Rev.1.00
2004.4.13
第16页5
QQ：2881677436 复制
