【R1RW0408D系列4M高速SRAM （ 512千字×8-bit)REJ03C0111-0100Z】,IC型号R1RW0408DGE-2PR,R1RW0408DGE-2PR PDF资料,R1RW0408DGE-2PR经销商,ic,电子元器件-51电子网

R1RW0408D系列

4M高速SRAM （ 512千字

8-bit)

REJ03C0111-0100Z

1.00版

Mar.12.2004

描述

该R1RW0408D是4兆高速静态RAM举办512千字

8位。它实现了高

通过采用CMOS工艺（ 6晶体管存储单元）和高速电路的速度存取时间

设计技术。它最适合于需要高速，高密度的应用

存储器和宽位宽度配置，例如高速缓存和缓冲存储器中的系统。该R1RW0408D

打包在400密耳的36引脚SOJ为高密度的表面安装。

特点

单电源： 3.3 V

0.3 V

访问时间： 12纳秒（最大）

完全静态存储器

无需时钟或定时选通

平等的机会和周期时间

直接TTL兼容

所有输入和输出

工作电流：100 MA（最大）

TTL待机电流： 40毫安（最大值）

CMOS待机电流5mA （最大）

： 0.8毫安（最大值）（L-版本）

数据保持电流：0.4 MA（最大值）（L -版）

数据保持电压： 2 V （分钟）（L -版）

中心V

和V

类型引脚出

Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ，第12页1

R1RW0408D系列

订购信息

型号

R1RW0408DGE-2PR

R1RW0408DGE-2LR

存取时间

12纳秒

包

400万36引脚塑料SOJ （ 36P0K ）

管脚配置

36引脚SOJ

CS ＃

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

WE＃

（ TOP VIEW ）

A18

A17

A16

A15

OE ＃

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

A14

A13

A12

A11

A10

Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 12第2页

R1RW0408D系列

引脚说明

引脚名称

A0到A18

I / O1到I / O8

CS ＃

OE ＃

WE＃

功能

地址输入

数据输入/输出

芯片选择

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 12第3页

R1RW0408D系列

框图

（ LSB ）

A14

A13

A12

A11

A10

（MSB）

I/O1

I/O8

ROW

解码器

1024-row

32-column

16-block

8-bit

（ 4,194,304位）

列I / O

输入

数据

控制

列解码器

WE＃

CS ＃

A8 A9 A18 A16 A17 A0 A2 A4 A15

（ LSB ）

（MSB）

OE ＃

Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 12的第4页

R1RW0408D系列

手术床

CS ＃

OE ＃

WE＃

模式

待机

输出禁用

读

写

当前

, I

SB1

I / O

高-Z

OUT

参考文献。周期

读周期（ 1 ）至（ 3 ）

写周期（ 1）

写周期（ 2）

注： H： V

， L： V

×:

或V

绝对最大额定值

参数

电源电压相对于V

任何引脚相对于V电压

功耗

工作温度

储存温度

在偏置存储温度

符号

TOPR

TSTG

Tbias

价值

0.5

到4.6

0.5*

到V

+ 0.5*

单位

°C

1.0

0至+70

+125

+85

注意事项： 1， V

（分钟） =

2.0

V脉冲宽度（下拍摄）

≤

6纳秒。

2. V

（MAX） = V

+ 2.0V的脉冲宽度（过冲）

≤

6纳秒。

建议的直流工作条件

（大= 0至+ 70 ° C）

参数

电源电压

符号

输入电压

注：1 。

民

3.0

2.0

0.5*

典型值

3.3

最大

3.6

+ 0.5*

0.8

单位

（分钟） =

2.0

V脉冲宽度（下拍摄）

≤

6纳秒。

（MAX） = V

+ 2.0V的脉冲宽度（过冲）

≤

6纳秒。

与所有V电源电压

销必须在同一水平上。

与所有V电源电压

销必须在同一水平上。

Rev.1.00 ， Mar.12.2004 ， 12第5页

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