【R1Q4A3636B/R1Q4A3618B36兆位的SRAM DDRII2字突发REJ03C0343】,IC型号R1Q4A3636BBG-40R,R1Q4A3636BBG-40R PDF资料,R1Q4A3636BBG-40R经销商,ic,电子元器件-51电子网

R1Q4A3636B/R1Q4A3618B

36兆位的SRAM DDRII

2字突发

REJ03C0343-0003

初步

修订版0.03

Apr.11 ， 2008年

描述

该R1Q4A3636B是1,048,576字由36位中， R1Q4A3618B是2,097,152字由18位同步双

数据速率的静态RAM制造与使用全CMOS六晶体管存储器单元先进的CMOS技术。它

集成了独特的同步外围电路和突发计数器。由输入时钟控制所有输入寄存器

对（ K和/ K）和被锁存于K和/ K的正边缘。这些产品适合于应用程序的哪些

需要同步操作，高速，低电压，高密度和宽的位配置。这些产品是

包装在165引脚塑料FBGA封装。

特点

1.8 V

核心0.1 V电源（V

)

1.4 V到V

对于I / O电源（V

DDQ

)

DLL电路的宽输出数据有效窗口和未来频率缩放

流水线双倍数据速率操作

常见的数据输入/输出总线

两个-TICK爆低DDR交易规模

两个输入时钟（K和/ K ）用于精确DDR定时，只有时钟上升沿

精确的飞行时间和时钟歪斜匹配的时钟和数据两个输出时钟（C和/ C）一起交付给

接收设备

内部自定时写控制

用微秒重启时钟停止功能

用户可编程的输出阻抗

快时钟周期时间： 3.3 ns的（ 300兆赫） /4.0纳秒（ 250兆赫） / 5.0纳秒（ 200兆赫） /6.0纳秒（ 167兆赫）

为便于深度扩展简单的控制逻辑

JTAG边界扫描

初步：此设备的规格如有变更，恕不另行通知。请联系您就近

瑞萨科技公司销售部有关规范。

REJ03C0343-0003 Rev.0.03 Apr.11,2008

分页： 24 1

R1Q4A3636B/R1Q4A3618B

订购信息

产品型号

组织

周期

R1Q4A3636BBG-33R

3.3纳秒

1 - M个字

36-bit

R1Q4A3636BBG-40R

4.0纳秒

R1Q4A3636BBG-50R

5.0纳秒

R1Q4A3636BBG-60R

6.0纳秒

R1Q4A3618BBG-33R

3.3纳秒

2 - M个字

18-bit

R1Q4A3618BBG-40R

4.0纳秒

R1Q4A3618BBG-50R

5.0纳秒

R1Q4A3618BBG-60R

6.0纳秒

注意事项：

1.产品型号

(0:1)

R1 ：瑞萨记忆前缀

(2:3)

Q2 ： QDRII 2字突发SRAM

Q3 ： QDRII 4字突发SRAM

Q4 ： DDRII 2字突发SRAM

Q5 ： DDRII 4字突发SRAM

Q6 ： DDRII 2字突发SRAM

独立的I / O

(4)

答： V

=1.8V

(5:6)

36 ：密度= 36MB

72 ：密度= 72MB

(7:8)

36 ：组织= X36

18 ：组织= X18

09 ：组织= X9

时钟频率

300兆赫

250兆赫

200兆赫

167兆赫

300兆赫

250兆赫

200兆赫

167兆赫

包

塑料FBGA 165脚

PLBG0165FB-A

笔记

: 1

GENERATION

: 2

GENERATION

: 3

GENERATION

（ 10:11 ） BG

：封装类型= BGA

(12:13) 60

：周期时间= 6.0纳秒

：周期时间= 5.0纳秒

：周期时间= 4.0纳秒

：周期时间= 3.3纳秒

(14)

：温度范围为0 ℃，

70°C

：温度范围= -40°C

85°C

(15)

：无铅

： Tape&Reel

：无铅andTape&Reel

无

：标准（铅和托盘）

(16)

9 , A

：瑞萨内部使用

(9)

2.标记名称

标识名称（ 0:14 ） =型号（ 0:14 ）

------------铅

标识名称（ 0:16 ） =型号（ 0:14 ） + Bx的------------无铅

（例） R1Q4A3618BBG -60R

------------铅

R1Q4A3618BBG - 60RB0 ------------无铅

(x= 0

, A

)

REJ03C0343-0003 Rev.0.03 Apr.11 ， 2008年

分页： 24 2

R1Q4A3636B/R1Q4A3618B

管脚配置

R1Q4A3636B

系列

/ CQ

/ DOFF

TDO

DQ27

DQ29

DQ30

DQ31

REF

DQ33

DQ35

TCK

DQ18

DQ28

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DDQ

DQ32

DQ23

DQ24

DQ34

DQ25

DQ26

R- / W

DDQ

/BW2

/BW3

SA0

/BW1

/BW0

/ LD

DDQ

DQ17

DQ15

REF

DQ13

DQ12

DQ11

DQ9

TMS

DQ8

DQ7

DQ16

DQ6

DQ5

DQ14

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

DQ10

DQ0

TDI

（ TOP VIEW ）

R1Q4A3618B

系列

/ CQ

/ DOFF

TDO

DQ9

DQ12

DQ10

DQ11

DQ13

R- / W

REF

DQ15

TCK

DDQ

DQ14

DQ16

DQ17

DDQ

/BW1

SA0

/BW0

/ LD

DDQ

DQ7

DDQ

REF

DQ4

DQ1

TMS

DQ8

DQ6

DQ5

DQ3

DQ2

DQ0

TDI

（ TOP VIEW ）

注意事项： 1.注意6C是不是SA0 。在× 9的产品不允许在最显著的随机起始地址

地址位。 SA0 = 0在每个地址的开始。

为未来更高密度的SRAM 2.地址扩展的顺序（即72MB

→

144Mb

→ 288MB ）：

(9A

→

10A)

→

5B.

REJ03C0343-0003 Rev.0.03 Apr.11 ， 2008年

第24 3

R1Q4A3636B/R1Q4A3618B

引脚说明

名字

I / O类型

说明

同步地址输入：这些输入注册的，必须符合设置

时间和保持时间的所有交易数据上的突发-两个操作围绕K的上升沿

字（总线活动的一个时钟周期）。 SA0作为最低地址位爆

READ和WRITE突发操作允许一个随机的突发起始地址× 18

和× 36设备。当设备被取消选择这些输入将被忽略。

同步负载：此输入为低电平时，总线周期序列是

定义。这个定义包括地址和读/写方向。所有

交易数据上突发为2的数据（总线活动的一个时钟周期）进行操作。

同步读/写输入：当/ LD为低电平时，该输入指定的访问

类型（读时R- / W为高，写的时候R- / W为低电平），用于加载的地址。 R-

/ W必须满足建立和保持周围K的上升沿时间

同步字节写操作：当低，这些投入使它们各自的字节是

注册并在写周期写入。这些信号必须满足建立和保持

围绕K和/ K的上升沿次，每次的两个上升沿，包括

写周期。见字节写真值表进行信号数据的关系。

输入时钟：该输入时钟对注册在上升地址和控制输入

K上的上升沿和/ K的上升沿边缘的K ，以及寄存器中的数据。 / K是

理想情况下180度的相位差K.所有同步输入必须满足建立和

持有全天候上升沿时间。这些球无法保持V

REF

的水平。

输出时钟：这个时钟对提供调谐器输出的用户控制手段

数据。的/ C的上升沿被用作用于第一输出数据的输出定时参考。

C的上升沿被用作用于第二输出数据的输出定时参考。

理想情况下， / C为180度的相位差与C C和/ C可连接到高电平，迫使

使用K和/ K的作为输出的参考时钟，而不必提供C和/℃

时钟。如果拉高， C和/ C必须保持高的设备时不被触发

操作。这些球无法保持V

REF

的水平。

DLL禁用：低时，此输入将导致DLL被绕过稳定，低

频率工作。

输出阻抗匹配输入：该输入用于调整器件输出到

系统数据总线的阻抗。 DQ和CQ的输出阻抗设定为0.2 × RQ。

其中，RQ是从这场球对地的电阻。这种球可以直接连接到

DDQ

，这使得最小阻抗模式。这个球不能连接

直接到V

或悬空。

IEEE1149.1测试输入： 1.8 V的I / O电平。这些球可能会留下无法连接。如果

JTAG的功能没有在电路中使用。

IEEE1149.1时钟输入： 1.8 V的I / O电平。该球必须被连接到V

如果JTAG

功能没有在电路中使用。

同步数据的I / O ：输入数据必须满足建立和保持周围的上升时间

K和/ K的边缘。输出数据被同步到各个C和/℃，或至

相应的K和/ K ，如果C和/ C是绑高。在× 9设备使用DQ0到DQ8 。

剩下的信号不被使用。本× 18设备使用DQ0到DQ17 。剩余

信号不被使用。本× 36设备使用DQ0到DQ35 。

同步回波时钟输出：这些输出的边缘紧密地匹配

同步数据输出，并可以被用作一个数据有效指示。这些

信号运行自如，不DQ时停三态。

IEEE 1149.1测试输出： 1.8 V的I / O电平。

电源： 1.8 V标称。见直流特性和操作条件

范围内。

电源：隔离输出缓冲区的供应。标称1.5 V 1.8 V也

允许的。见直流特性和操作条件范围。

电源：地面上。

HSTL输入参考电压：名义上V

DDQ

/ 2 ，但也可以进行调整，以提高

系统的噪声容限。提供参考电压的HSTL输入缓冲器。

笔记

输入

/ LD

输入

R- / W

输入

/ BW

输入

K, /K

输入

C, /C

输入

/ DOFF

输入

TMS

TDI

TCK

DQ0到

DQN

输入

输入/

产量

CQ ，

/ CQ

TDO

DDQ

REF

产量

供应

REJ03C0343-0003 Rev.0.03 Apr.11 ， 2008年

第24 4

R1Q4A3636B/R1Q4A3618B

名字

I / O类型

说明

无连接：这些信号没有内部连接。这些信号可以留

浮动或连接到地，以改善封装的散热性。

笔记

注：1.所有电源和地面球必须被连接的设备的正确操作。

框图

（ R1Q4A3636B / R1Q4A3618B系列）

SA0

BURST

逻辑

SA0'

20/21

/ LD

R- / W

/ LD

4/2

地址

注册处

和

逻辑

/36

产量

SA0 ''控制

逻辑

SA0'''

CQ ， / CQ

MUX

/36

写入驱动器

SENSE AMP

写

产量

/ BWX

36/18

数据

注册处

和

逻辑

内存

ARRAY

C,/C

K,/K

REJ03C0343-0003 Rev.0.03 Apr.11 ， 2008年

第24个5

产量

SELECT

产量

卜FF器

36/18