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R1Q3A3636B/R1Q3A3618B/R1Q3A3609B
36 - Mbit的QDR II SRAM
4字突发
REJ03C0342-0003
初步
修订版0.03
Apr.11 , 2008年
描述
该R1Q3A3636B是1,048,576字由36位中, R1Q3A3618B是2,097,152字由18位,而
R1Q3A3609B是制造与先进的CMOS一4194304字由9位同步四倍数据速率静态RAM
技术使用全CMOS六晶体管存储器单元。它集成了独特的同步外围电路和
突发计数器。由输入时钟对控制的所有的输入寄存器(K和/ K)和被锁存K上的正边沿
和/ K 。这些产品适合于应用程序需要同步操作,高速,低电压,高
密度和宽位配置。这些产品被包装在165引脚塑料FBGA封装。
特点
1.8 V
±
核心0.1 V电源(V
DD
)
1.4 V到V
DD
对于I / O电源(V
DDQ
)
DLL电路的宽输出数据有效窗口和未来频率缩放
分开独立的读写并发交易数据端口
100%的总线利用率的DDR读写操作
四剔爆,可降低频率地址
两个输入时钟(K和/ K )用于精确DDR定时,只有时钟上升沿
精确的飞行时间和时钟歪斜匹配的时钟和数据两个输出时钟(C和/ C)一起交付给
接收设备
内部自定时写控制
用微秒重启时钟停止功能
用户可编程的输出阻抗
快时钟周期时间: 3.3 ns的( 300兆赫) /4.0纳秒( 250兆赫) / 5.0纳秒( 200兆赫) /6.0纳秒( 167兆赫)
为便于深度扩展简单的控制逻辑
JTAG边界扫描
注: QDR RAM和四倍数据速率RAM中包含的产品赛普拉斯开发一个新的家庭
半导体, IDT , NEC ,三星和瑞萨科技公司
初步:
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。请联系您就近
瑞萨科技公司销售部有关规范。
REJ03C0342-0003 Rev.0.03 Apr.11 , 2008年
页25 1
R1Q3A3636B/R1Q3A3618B/R1Q3A3609B
订购信息
产品型号
组织
周期
R1Q3A3636BBG-33R
3.3纳秒
1 - M个字
R1Q3A3636BBG-40R
4.0纳秒
×
36-bit
R1Q3A3636BBG-50R
5.0纳秒
R1Q3A3636BBG-60R
6.0纳秒
R1Q3A3618BBG-33R
3.3纳秒
2 - M个字
R1Q3A3618BBG-40R
4.0纳秒
×
18-bit
R1Q3A3618BBG-50R
5.0纳秒
R1Q3A3618BBG-60R
6.0纳秒
R1Q3A3609BBG-33R
3.3纳秒
4-M的字
R1Q3A3609BBG-40R
4.0纳秒
×
9-bit
R1Q3A3609BBG-50R
5.0纳秒
R1Q3A3609BBG-60R
6.0纳秒
注意事项:
1.产品型号
(0:1)
R1 :瑞萨记忆前缀
(2:3)
Q2 : QDRII 2字突发SRAM
Q3 : QDRII 4字突发SRAM
Q4 : DDRII 2字突发SRAM
Q5 : DDRII 4字突发SRAM
Q6 : DDRII 2字突发SRAM
独立的I / O
(4)
答: V
DD
=1.8V
(5:6)
36 :密度= 36MB
72 :密度= 72MB
(7:8)
36 :组织= X36
18 :组织= X18
09 :组织= X9
时钟频率
300兆赫
250兆赫
200兆赫
167兆赫
300兆赫
250兆赫
200兆赫
167兆赫
300兆赫
250兆赫
200兆赫
167兆赫
塑料FBGA 165脚
PLBG0165FB-A
笔记
R
A
B
( 10:11 ) BG
(12:13) 60
50
40
33
(14)
R
I
(15)
B
T
S
(16)
0 9 , A
Z
(9)
: 1
st
GENERATION
: 2
nd
GENERATION
: 3
rd
GENERATION
:封装类型= BGA
:周期时间= 6.0纳秒
:周期时间= 5.0纳秒
:周期时间= 4.0纳秒
:周期时间= 3.3纳秒
:温度范围为0 ℃,
70°C
:温度范围= -40 ° C~ 85°C
:无铅
: Tape&Reel
:无铅和Tape&Reel
:标准(铅和托盘)
:瑞萨内部使用
2.标记名称
标识名称( 0:14 ) =型号( 0:14 )
------------铅
标识名称( 0:16 ) =型号( 0:14 ) + Bx的------------无铅
(例) R1Q3A3609BBG -60R
------------铅
R1Q3A3609BBG - 60RB0 ------------无铅
( X = 0- 9 ,A
Z
)
REJ03C0342-0003 Rev.0.03 Apr.11 , 2008年
第25 2
R1Q3A3636B/R1Q3A3618B/R1Q3A3609B
管脚配置
R1Q3A3636B
系列
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
1
/ CQ
Q27
D27
D28
Q29
Q30
D30
/ DOFF
D31
Q32
Q33
D33
D34
Q35
TDO
2
3
NC
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
4
/W
SA
5
/BW2
/BW3
SA
6
/K
K
NC
7
/BW1
/BW0
SA
8
/R
SA
9
SA
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
10
NC
Q17
Q7
D15
D6
Q14
D13
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
V
SS
Q18
Q28
D20
D29
Q21
D22
V
REF
Q31
D32
Q24
Q34
D26
D35
TCK
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
/C
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
V
DDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
SA
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
D9
D0
TMS
( TOP VIEW )
R1Q3A3618B
系列
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
1
/ CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
/ DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
V
SS
Q9
NC
D11
NC
Q12
D13
3
SA
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
4
/W
SA
V
REF
NC
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
/BW1
NC
SA
6
/K
K
NC
7
NC
/BW0
SA
8
/R
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
/C
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
10
NC
NC
Q7
NC
D6
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
NC
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
( TOP VIEW )
REJ03C0342-0003 Rev.0.03 Apr.11 , 2008年
第25 3
R1Q3A3636B/R1Q3A3618B/R1Q3A3609B
R1Q3A3609B
系列
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
1
/ CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
/ DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
V
SS
NC
NC
D5
NC
NC
D6
3
SA
NC
NC
NC
Q5
NC
Q6
4
/W
SA
V
REF
NC
NC
Q7
NC
D8
NC
TCK
V
DDQ
NC
NC
D7
NC
NC
Q8
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
NC
NC
SA
6
/K
K
NC
7
NC
/ BW
SA
8
/R
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
/C
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
10
SA
NC
NC
NC
D3
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
V
REF
Q2
NC
NC
NC
NC
D0
TMS
11
CQ
Q4
D4
NC
Q3
NC
NC
ZQ
D2
NC
Q1
D1
NC
Q0
TDI
( TOP VIEW )
注:为未来更高密度的SRAM 1.地址扩展的顺序(即72MB
144Mb
→ 288MB ) :
(9A
3A
10A)
2A
7A
5B.
REJ03C0342-0003 Rev.0.03 Apr.11 , 2008年
第25 4
R1Q3A3636B/R1Q3A3618B/R1Q3A3609B
引脚说明
名字
SA
I / O类型
输入
说明
同步地址输入:这些输入注册的,必须符合设置
时间和保持时间的所有交易数据上操作围绕K的上升沿的脉冲串对四
字(总线活动的两个时钟周期) 。这些输入被忽略,当设备
取消选择。
同步读取:当低,这导致输入要注册的地址输入
并启动一个读周期。该输入必须满足建立和保持时间左右
钾的上升沿,和K上的后续的上升沿被忽略
同步写:当低,这导致输入要注册的地址输入
并发起一个写周期。该输入必须满足建立和保持时间左右
钾的上升沿,和K上的后续的上升沿被忽略
同步字节写操作:当低,这些投入使它们各自的字节是
注册并在写周期写入。这些信号必须满足建立和保持
围绕K和/ K的上升沿次,每次的两个上升沿,包括
写周期。见字节写真值表进行信号数据的关系。
输入时钟:该输入时钟对注册在上升地址和控制输入
K上的上升沿和/ K的上升沿边缘的K ,以及寄存器中的数据。 / K是
理想情况下180度的相位差K.所有同步输入必须满足建立和
持有全天候上升沿时间。这些球无法保持V
REF
的水平。
输出时钟:这个时钟对提供调谐器输出的用户控制手段
数据。的/ C的上升沿被用作第一和第三输出定时基准
输出数据。 C的上升沿被用作用于第二输出定时基准
和第四输出数据。理想情况下, / C为180度的相位差与C C和/℃可
被拉高强制使用的K和/ K作为输出的参考时钟,而不是
有提供C和/ C时钟。如果拉高, C和/ C必须保持高不
设备操作期间进行切换。这些球无法保持V
REF
的水平。
DLL禁用:低时,此输入将导致DLL被绕过稳定,低
频率工作。
输出阻抗匹配输入:该输入用于调整器件输出到
系统数据总线的阻抗。 Q和CQ的输出阻抗设定为0.2 × RQ。其中
RQ是从这场球对地的电阻。这种球可以直接连接到V
DDQ
,
这使得最小阻抗模式。这个球不能直接连接
到V
SS
或悬空。
IEEE1149.1测试输入: 1.8 V的I / O电平。这些球可能会留下无法连接。如果
JTAG的功能没有在电路中使用。
IEEE1149.1时钟输入: 1.8 V的I / O电平。该球必须被连接到V
SS
如果JTAG
功能没有在电路中使用。
同步数据输入:输入数据必须满足建立和保持周围的时代
在写操作期间上涨K和/ K的边缘。见管脚配置数字
单个信号的球位点位置。在× 9设备使用D0到D8 。剩下的信号
不被使用。本× 18设备采用D0到D17 。剩下的信号不被使用。该
× 36设备采用D0到D35 。
同步回波时钟输出:这些输出的边缘紧密地匹配
同步数据输出,并可以被用作一个数据有效指示。这些
信号运行自如,不当Q三态停止。
IEEE 1149.1测试输出: 1.8 V的I / O电平。
同步数据输出:输出数据被同步到各个C和/℃,或
到相应的K和/ K ,如果C和/ C是绑高。该总线响应工作
/ R命令。见引脚排列图单个信号的球选址。
在× 9设备使用Q0为Q8 。剩下的信号不被使用。本× 18设备用途
Q0到Q17 。剩下的信号不被使用。本× 36设备使用Q0到Q35 。
电源: 1.8 V标称。见直流特性和操作条件
范围内。
电源:隔离输出缓冲区的供应。标称1.5 V 1.8 V也
允许的。见直流特性和操作条件范围。
笔记
/R
输入
/W
输入
/ BW
x
输入
K, /K
输入
C, /C
输入
/ DOFF
ZQ
输入
输入
TMS
TDI
TCK
D
0
到D
n
输入
输入
输入
CQ , / CQ
产量
TDO
Q
0
以Q
n
产量
产量
V
DD
V
DDQ
供应
供应
REJ03C0342-0003 Rev.0.03 Apr.11 , 2008年
第25 5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    R1Q3A3636BBG-40R
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
R1Q3A3636BBG-40R
RENESAS
24+
27200
BGA
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
R1Q3A3636BBG-40R
RENESAS
21+22+
27000
BGA
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
R1Q3A3636BBG-40R
RENESAS
0814+
19
BGA
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
R1Q3A3636BBG-40R
RENESAS/瑞萨
最新环保批次
25800
BGA
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:352565920 复制
电话:0754-84460952
联系人:陈小姐
地址:广东省汕头市潮阳区贵屿镇湄州村三街一号
R1Q3A3636BBG-40R
21+
16000
BGA
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
R1Q3A3636BBG-40R
RENESAS/瑞萨
20+
26500
BGA
全新原装正品/质量有保证
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