初步
R1LV3216R系列
32MB先进LPSRAM ( 2M字X 16位/ 4M字X 8位)
REJ03C0367-0001
初步
Rev.0.01
2008.03.24
描述
该R1LV3216R系列是由组织为2,097,152字一个家庭的低电压32兆位静态RAM的
16位,瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT技术制造。
该R1LV3216R系列是适用于存储应用中一个简单的接口,电池的使用
和备用电池是重要的设计目标。
12毫米X 20毫米与引脚: R1LV3216R系列采用48引脚薄型小尺寸封装[ TSOP ( I)提供
0.5毫米间距]和52针微型薄型小尺寸封装[
TSOP ( II ) : 10.79毫米X 10.49毫米与引脚间距
0.4毫米的。它给出了安装区域的压实的最佳解决方案的布线图案以及灵活性
印刷电路板。
特点
单2.7 3.6V电源
小的待机电流: 4 μA ( 3.0V ,典型值)
没有时钟,没有刷新
所有的输入和输出为TTL兼容。
由CS1 # , CS2 , LB #和瑞银易扩展内存
通用数据的I / O
三态输出:或领带的能力
OE #防止数据争用I / O总线上
订购信息
型号
R1LV3216RSA-5S%
R1LV3216RSA-7S%
R1LV3216RSD-5S%
R1LV3216RSD-7S%
存取时间
55纳秒
*1
70纳秒
55纳秒
*1
70纳秒
包
12毫米X 20毫米48引脚塑料TSOP ( I)
(正常弯曲型) ( 48P3R )
350万52引脚塑料
μ- TSOP
(II)
(正常弯曲型) ( 52PTG )
注1 。 55ns份可输入时序限制朝向上SRAM顾客的条件下得到支持
系统。请联系我们的销售办公室在您所在的地区,如研讯为55ns部分。
% - 温度版本;见下面的表
温度范围
0 ~ +70 °C
-40 ~ +85 °C
%
R
I
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R1LV3216R系列
初步
管脚配置
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
CS1#
WE#
NC
NC
VCC
CS2
NC
A20
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
A16
BYTE #
UB #
VSS
磅#
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
NC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
VSS
NC
A0
52-pin
μTSOP
(II)
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE#
CS2
NC
UB #
磅#
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
A16
BYTE #
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
VSS
CS1#
A0
48引脚TSOP ( I)
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
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R1LV3216R系列
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引脚说明
引脚名称
VCC
VSS
A0到A20
A- 1 A20
DQ0到DQ15
CS1#
CS2
WE#
OE #
磅#
UB #
BYTE #
NC
电源
地
地址输入(字模式)
地址输入(字节模式)
数据输入/输出
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节使能
高字节使能
字节的控制方式使
无连接
功能
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框图
A
0
A
1
地址
卜FF器
ROW
解码器
存储阵列
2M字X16位
or
4M字×8位
DQ0
DQ1
DQ
卜FF器
数据
A
20
DQ7
DQ8
SENSE /写放大器
选择器
列解码器
DQ
卜FF器
DQ9
时钟
CS2
CS1#
磅#
UB #
BYTE #
WE#
OE #
发电机
DQ15
/ A
-1
X8 / x16
控制
VCC
VSS
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手术床
CS1#
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BYTE #
X
X
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
磅#
X
X
H
L
L
H
H
L
L
L
L
L
L
UB #
X
X
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
WE#
X
X
X
L
H
L
H
L
H
H
L
H
H
OE #
X
X
X
X
L
X
L
X
L
H
X
L
H
DQ0~7
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DQ8~14
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DQ15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
高-Z
A-1
A-1
A-1
手术
待用
待用
待用
写低字节
读低字节
写在高位字节
读高字节
字写
字读
输出禁用
字节写
字节读
输出禁用
注意事项1. H: V
IH
L: V
IL
X: V
IH
或V
IL
2.申请BYTE # = “ L” ,请指定LB # = UB # = “ L” 。
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于Vss的
任何引脚相对于VSS端,电压
功耗
工作温度
存储温度范围
下偏置存储温度范围
符号
VCC
V
T
P
T
TOPR
*3
TSTG
Tbias
*3
版本。
我版本。
版本。
我版本。
价值
-0.5到+4.6
-0.5
*1
到Vcc + 0.3
*2
0.7
0至+70
-40至+85
-65到150
0至+70
-40至+85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
°C
注1: -2.0V的情况下, AC(脉冲宽度
≤30ns)
2.最大电压为+ 4.6V 。
3,环境温度范围取决于R / I-版本。请参阅第1页上的表。
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