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R1LV1616HBG -I系列
工作温度范围宽版
16M的SRAM （ 1 - Mword
×
16-bit)
REJ03C0263-0100
Rev.1.00
Sep.21.2005
描述
该R1LV1616HBG -I系列是16兆位静态RAM举办1 Mword
×
16位。 R1LV1616HBG -I系列有
实现了更高的密度，更高性能和低功耗的采用CMOS工艺技术（6-
晶体管的存储器单元） 。它提供了低功耗待机功耗;因此，它适合于备用电池
系统。它被包装在48球FBGA封装胶高密度表面安装。
特点
单3.0 V电源： 2.7 V至3.6 V
快速访问时间： 45/55 NS （最大值）
功耗：
主动： 9毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 1.5
W
（典型值）
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
电池备份操作。
2芯片选择备用电池
温度范围：
40
至+ 85°C
订购信息
型号
R1LV1616HBG-4SI
R1LV1616HBG-5SI
存取时间
45纳秒
55纳秒
包
48球FBGA封装胶与0.75毫米焊球间距
PTBG0048HF （ 48FHJ ）
Rev.1.00 ， Sep.21.2005 ，页13 1
R1LV1616HBG -I系列
管脚配置
48球FBGA
1
A
磅＃
2
OE ＃
3
A0
4
A1
5
A2
6
CS2
B
I/O8
UB ＃
A3
A4
CS1#
I/O0
C
I/O9
I/O10
A5
A6
I/O1
I/O2
D
VSS
I/O11
A17
A7
I/O3
VCC
E
VCC
I/O12
VSS
A16
I/O4
VSS
F
I/O14
I/O13
A14
A15
I/O5
I/O6
G
I/O15
A19
A12
A13
WE＃
I/O7
H
A18
A8
A9
A10
A11
NU
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚名称
A0到A19
I / O0至I / O15
地址输入
数据输入/输出
功能
＃ CS1 （ CS1 ）
片选1
CS2
片选2
WE＃ （ WE）
写使能
OE ＃ （ OE ）
OUTPUT ENABLE
的LB ＃ （LB）
低字节选择
瑞银（ UB ）
高字节选择
V
CC
电源
V
SS
地
1
NU *
未使用（测试模式引脚）
注：1，该引脚应连接到地（Ⅴ
SS
） ，或者不连接（断开） 。
Rev.1.00 ， Sep.21.2005 ， 13个2页
R1LV1616HBG -I系列
框图
LSB A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A16
A18
A15
A3
MSB A6
V
CC
V
SS
ROW
解码器
存储矩阵
8,192 x 128 x 16
I/O0
输入
数据
控制
I/O15
列I / O
列解码器
MSB A17 A7 A5 A4 A2 A1 A0 LSB
CS2
CS1#
磅＃
UB ＃
WE＃
OE ＃
控制逻辑
Rev.1.00 ， Sep.21.2005 ， 13 3页
R1LV1616HBG -I系列
手术床
CS1#
H
CS2
×
WE＃
×
OE ＃
×
UB ＃
×
×
H
L
H
L
L
H
L
×
磅＃
×
×
H
L
L
H
L
L
H
×
I / O0至I / O7
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
高-Z
高-Z
的I / O8到I / O15
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
高-Z
手术
待机
待机
待机
读
低字节读
高字节读
写
低字节写入
高字节写
输出禁用
×
L
×
×
×
×
×
×
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
L
×
L
H
L
×
L
H
L
×
L
H
H
H
注： H： V
IH
， L： V
IL
,
×:
V
IH
或V
IL
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
任何引脚相对于V端子电压
SS
功耗
存储温度范围
下偏置存储温度范围
注意事项： 1， V
T
分：
2.0
V脉冲半宽度
≤
10纳秒。
2.最大电压为4.6 V.
符号
V
CC
V
T
P
T
TSTG
Tbias
价值
0.5
到4.6
0.5*
1
到V
CC
+ 0.3*
2
1.0
55
+125
40
+85
单位
V
V
W
°C
°C
直流工作条件
符号
电源电压
V
CC
V
SS
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
环境温度范围
Ta
注：1， V
IL
分：
2.0
V脉冲半宽度
≤
10纳秒。
参数
民
2.7
0
2.2
0.3
40
典型值
3.0
0
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.3
0.6
+85
单位
V
V
V
V
°C
记
1
Rev.1.00 ， Sep.21.2005 ， 13第4页
R1LV1616HBG -I系列
DC特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
民
典型值
最大
1
1
单位
测试条件
A
VIN = V
SS
到V
CC
A
CS1 ＃ = V
IH
或CS2 = V
IL
or
OE ＃ = V
IH
或WE ＃ = V
IL
or
LB ＃ = UB ＃ = V
IH
, V
I / O
= V
SS
到V
CC
CS1 ＃ = V
IL
， CS2 = V
IH
,
其他= V
IH
/ V
IL
, I
I / O
= 0毫安
分钟。周期，占空比为100 ％ ，
I
I / O
= 0 mA时， CS1 ＃ = V
IL
， CS2 = V
IH
,
WE＃ = V
IH
，其他= V
IH
/V
IL
分钟。周期，占空比为100 ％ ，
I
I / O
= 0 mA时， CS1 ＃ = V
IL
， CS2 = V
IH
,
其他= V
IH
/V
IL
周期时间= 70 ns的占空比为100 ％ ，
I
I / O
= 0 mA时， CS1 ＃ = V
IL
， CS2 = V
IH
,
WE＃ = V
IH
，其他= V
IH
/V
IL
地址增量扫描或递减
扫描
周期时间= 70 ns的占空比为100 ％ ，
I
I / O
= 0 mA时， CS1 ＃ = V
IL
， CS2 = V
IH
,
其他= V
IH
/V
IL
地址增量扫描或递减
扫描
循环时间= 1
s,
占空比= 100％ ，
I
I / O
= 0 mA时， CS1 ＃
≤
0.2 V,
CS2
≥
V
CC
0.2 V
V
IH
≥
V
CC
0.2 V, V
IL
≤
0.2 V
CS2 = V
IL
0 V
≤
VIN
(1) 0 V
≤
CS2
≤
0.2 V或
（2） CS1 ＃
≥
V
CC
0.2 V,
CS2
≥
V
CC
0.2 V或
（ 3 ） LB ＃ = UB ＃
≥
V
CC
0.2 V,
CS2
≥
V
CC
0.2 V,
CS1#
≤
0.2 V
平均值
I
OH
=
1
mA
I
OH
=
100 A
I
OL
= 2毫安
I
OL
= 100
A
工作电流
平均工作电流
I
CC
I
CC1
（READ ）
I
CC1
22*
1
20
35
mA
mA
30*
1
50
mA
I
CC2
（READ ）
3*
1
8
mA
I
CC2
20*
1
30
mA
I
CC3
3*
1
8
mA
待机电流
I
SB
I
SB1
0.1*
1
0.5*
1
0.5
8
mA
A
V
OH
2.4
V
V
OH
V
CC
0.2
V
输出低电压
V
OL
0.4
V
V
OL
0.2
V
注：1。典型值是在V
CC
= 3.0 V ，TA = + 25°C ，并不能保证。
输出高电压
Rev.1.00 ， Sep.21.2005 ， 13个5页
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