R1LV0408D系列
4M SRAM ( 512千字
×
8-bit)
REJ03C0310-0100
Rev.1.00
May.24.2007
描述
该R1LV0408D是4兆的静态RAM举办512千字
×
8位,瑞萨的高端制造
高性能0.15微米CMOS和TFT技术。 R1LV0408D系列实现了更高的密度,
较高的性能和较低的功耗。该R1LV0408D系列提供低功耗待机
功耗;因此,它适合于电池备份系统。它采用32引脚SOP封装, 32
引脚TSOP II和32管脚STSOP 。
特点
采用3 V单电源: 2.7 V至3.6 V
访问时间: 55/70 NS (最大值)
功耗:
待机: 3
W
(典型值)
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
直接TTL兼容。
所有输入和输出
电池备份操作。
Rev.1.00 , May.24.2007 ,第12页1
R1LV0408D系列
订购信息
型号
R1LV0408DSP-5S%
R1LV0408DSP-7L%
R1LV0408DSB-5S%
R1LV0408DSB-7L%
R1LV0408DSA-5S%
R1LV0408DSA-7L%
存取时间
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
8mm
×
13.4毫米STSOP ( 32P3K -B )
400万的32引脚塑料TSOP II ( 32P3Y -H )
包
525万的32引脚塑料SOP ( 32P2M -A )
%:
温度版本;见下面的表。
%
R
I
温度范围
0至+ 70°C
40
至+ 85°C
Rev.1.00 , May.24.2007 , 12第2页
R1LV0408D系列
管脚配置
32引脚SOP
32针TSOP
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
( TOP VIEW )
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE#
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CS #
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
32针STSOP
A11
A9
A8
A13
WE#
A18
A15
V
CC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
( TOP VIEW )
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE #
A10
CS #
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
引脚名称
A0到A18
I / O0至I / O7
CS # ( CS )
OE # ( OE )
WE# ( WE)
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
Rev.1.00 , May.24.2007 , 12第3页
R1LV0408D系列
框图
最低位
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
V
CC
V
SS
ROW
解码器
存储矩阵
2,048
×
2,048
最高位
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
LSB A0 A1 A2 A3 A4 A5 A17 A18 MSB
CS #
WE#
OE #
定时脉冲发生器
读/写控制
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R1LV0408D系列
手术床
WE#
×
H
H
L
L
CS #
H
L
L
L
L
OE #
×
H
L
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
写
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I / O0至I / O7
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
参考文献。周期
读周期
写周期( 1)
写周期( 2)
注: H: V
IH
, L: V
IL
,
×:
V
IH
或V
IL
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
任何引脚相对于V端子电压
SS
功耗
工作温度
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
版本。
我版本。
存储温度范围
下偏置存储温度范围
TSTG
Tbias
版本。
我版本。
注意事项: 1, V
T
分:
3.0
V脉冲半宽度
≤
30纳秒。
2.最大电压为4.6 V.
价值
0.5
到4.6
0.5*
1
到V
CC
+ 0.5*
2
0.7
0至+70
40
+85
65
+150
0至+70
40
+85
°C
°C
单位
V
V
W
°C
直流工作条件
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入高电压
输入低电压
环境温度范围
注意:
版本。
我版本。
1. V
IL
分:
3.0
V脉冲半宽度
≤
30纳秒。
V
IH
V
IL
Ta
民
2.7
0
2.2
0.3*
1
0
40
典型值
3.0
0
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.3
0.6
+70
+85
单位
V
V
V
V
°C
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