R1LV0408C -C系列
4M SRAM （ 512千字
×
8-bit)
REJ03C0099-0200Z
修订版2.00
May.25.2004
描述
该R1LV0408C - C是4兆位静态RAM举办512千字
×
8位。 R1LV0408C -C系列有
通过采用CMOS工艺实现的更高密度，更高的性能和低功耗
技术（ 6晶体管存储单元） 。该R1LV0408C -C系列提供了低功耗待机功耗
散热;因此，它适合于电池备份系统。它采用32引脚SOP ， 32引脚封装
TSOP II和32管脚STSOP 。
特点
采用3 V单电源： 2.7 V至3.6 V
访问时间： 55/70 NS （最大值）
功耗：
主动： 6毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 1.5
W
（典型值）
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
直接TTL兼容。
所有输入和输出
电池备份操作。
工作温度：
20
至+ 70°C
Rev.2.00 ， May.25.2004 ，第12页1
R1LV0408C -C系列
订购信息
型号
R1LV0408CSP-5SC
R1LV0408CSP-7LC
R1LV0408CSB-5SC
R1LV0408CSB-7LC
R1LV0408CSA-5SC
R1LV0408CSA-7LC
存取时间
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
8mm
×
13.4毫米STSOP （ 32P3K -B ）
400万的32引脚塑料TSOP II （ 32P3Y -H ）
包
525万的32引脚塑料SOP （ 32P2M -A ）
Rev.2.00 ， May.25.2004 ， 12第2页
R1LV0408C -C系列
管脚配置
32引脚SOP
32针TSOP
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
（ TOP VIEW ）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A11
A9
A8
A13
WE＃
A18
A15
V
CC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
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5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
（ TOP VIEW ）
32针STSOP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
引脚名称
A0到A18
I / O0至I / O7
CS ＃ （ CS ）
OE ＃ （ OE ）
WE＃ （ WE）
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
Rev.2.00 ， May.25.2004 ， 12第3页
R1LV0408C -C系列
框图
最低位
V
CC
V
SS
最高位
A11
A9
A8
A15
A18
A10
A13
A17
A16
A14
A12
ROW
解码器
存储矩阵
2,048
×
2,048
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
LSB A3 A2A1A0 A4 A5 A6 A7 MSB
CS ＃
WE＃
OE ＃
定时脉冲发生器
读/写控制
Rev.2.00 ， May.25.2004 ， 12的第4页
R1LV0408C -C系列
手术床
WE＃
×
H
H
L
L
CS ＃
H
L
L
L
L
OE ＃
×
H
L
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
写
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I / O0至I / O7
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
参考文献。周期
读周期
写周期（ 1）
写周期（ 2）
注： H： V
IH
， L： V
IL
,
×:
V
IH
或V
IL
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
任何引脚相对于V端子电压
SS
功耗
工作温度
存储温度范围
下偏置存储温度范围
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
0.5
到4.6
0.5*
到V
CC
+ 0.5*
0.7
20
+70
65
+150
20
+85
1
2
单位
V
V
W
°C
°C
°C
注意事项： 1， V
T
分：
3.0
V脉冲半宽度
≤
30纳秒。
2.最大电压为4.6 V.
直流工作条件
（大=
20
至+ 70 ° C）
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入高电压
输入低电压
注意：
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
0.3*
1
典型值
3.0
0
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.3
0.6
单位
V
V
V
V
1. V
IL
分：
3.0
V脉冲半宽度
≤
30纳秒。
Rev.2.00 ， May.25.2004 ， 12第5页
R1LV0408C -C系列
4M SRAM （ 512千字
×
8-bit)
REJ03C0099-0200Z
修订版2.00
May.25.2004
描述
该R1LV0408C - C是4兆位静态RAM举办512千字
×
8位。 R1LV0408C -C系列有
通过采用CMOS工艺实现的更高密度，更高的性能和低功耗
技术（ 6晶体管存储单元） 。该R1LV0408C -C系列提供了低功耗待机功耗
散热;因此，它适合于电池备份系统。它采用32引脚SOP ， 32引脚封装
TSOP II和32管脚STSOP 。
特点
采用3 V单电源： 2.7 V至3.6 V
访问时间： 55/70 NS （最大值）
功耗：
主动： 6毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 1.5
W
（典型值）
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
直接TTL兼容。
所有输入和输出
电池备份操作。
工作温度：
20
至+ 70°C
Rev.2.00 ， May.25.2004 ，第12页1
R1LV0408C -C系列
订购信息
型号
R1LV0408CSP-5SC
R1LV0408CSP-7LC
R1LV0408CSB-5SC
R1LV0408CSB-7LC
R1LV0408CSA-5SC
R1LV0408CSA-7LC
存取时间
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
8mm
×
13.4毫米STSOP （ 32P3K -B ）
400万的32引脚塑料TSOP II （ 32P3Y -H ）
包
525万的32引脚塑料SOP （ 32P2M -A ）
Rev.2.00 ， May.25.2004 ， 12第2页
R1LV0408C -C系列
管脚配置
32引脚SOP
32针TSOP
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
（ TOP VIEW ）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
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OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A11
A9
A8
A13
WE＃
A18
A15
V
CC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
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1
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（ TOP VIEW ）
32针STSOP
32
31
30
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OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
引脚名称
A0到A18
I / O0至I / O7
CS ＃ （ CS ）
OE ＃ （ OE ）
WE＃ （ WE）
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
Rev.2.00 ， May.25.2004 ， 12第3页
R1LV0408C -C系列
框图
最低位
V
CC
V
SS
最高位
A11
A9
A8
A15
A18
A10
A13
A17
A16
A14
A12
ROW
解码器
存储矩阵
2,048
×
2,048
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
LSB A3 A2A1A0 A4 A5 A6 A7 MSB
CS ＃
WE＃
OE ＃
定时脉冲发生器
读/写控制
Rev.2.00 ， May.25.2004 ， 12的第4页
R1LV0408C -C系列
手术床
WE＃
×
H
H
L
L
CS ＃
H
L
L
L
L
OE ＃
×
H
L
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
写
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I / O0至I / O7
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
参考文献。周期
读周期
写周期（ 1）
写周期（ 2）
注： H： V
IH
， L： V
IL
,
×:
V
IH
或V
IL
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
任何引脚相对于V端子电压
SS
功耗
工作温度
存储温度范围
下偏置存储温度范围
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
0.5
到4.6
0.5*
到V
CC
+ 0.5*
0.7
20
+70
65
+150
20
+85
1
2
单位
V
V
W
°C
°C
°C
注意事项： 1， V
T
分：
3.0
V脉冲半宽度
≤
30纳秒。
2.最大电压为4.6 V.
直流工作条件
（大=
20
至+ 70 ° C）
参数
电源电压
符号
V
CC
V
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输入高电压
输入低电压
注意：
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
0.3*
1
典型值
3.0
0
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.3
0.6
单位
V
V
V
V
1. V
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3.0
V脉冲半宽度
≤
30纳秒。
Rev.2.00 ， May.25.2004 ， 12第5页
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