R1LP0408C -I系列
工作温度范围宽版
的4M SRAM （ 512千字
×
8-bit)
REJ03C0067-0100Z
1.00版
Aug.01.2003
描述
该R1LP0408C -I是一款4 - Mbit的静态RAM举办512千字
×
8位。 R1LP0408C -I系列实现
更高密度，更高的性能和低功耗通过采用CMOS工艺技术
（ 6晶体管存储单元） 。该R1LP0408C -I系列提供低功耗待机功耗;
因此，它适合于电池备份系统。它封装在32引脚SOP ， 32引脚TSOP II 。
特点
采用5 V单电源： 5 V
±
10%
访问时间： 55/70 NS （最大值）
功耗：
主动： 10毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 4
W
（典型值）
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
直接TTL兼容。
所有输入和输出
电池备份操作。
工作温度：
40
至+ 85°C
Rev.1.00 ， Aug.01.2003 ，页13 1
R1LP0408C -I系列
订购信息
型号
R1LP0408CSP-5SI
R1LP0408CSP-7LI
R1LP0408CSB-5SI
R1LP0408CSB-7LI
R1LP0408CSC-5SI
R1LP0408CSC-7LI
存取时间
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
400万的32引脚塑料TSOP II反向（ 32P3Y -J ）
400万的32引脚塑料TSOP II （ 32P3Y -H ）
包
525万的32引脚塑料SOP （ 32P2M -A ）
Rev.1.00 ， Aug.01.2003 ， 13个2页
R1LP0408C -I系列
管脚配置
32引脚SOP
32针TSOP
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
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8
9
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14
15
16
（ TOP VIEW ）
32
31
30
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20
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V
CC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
CC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
32脚TSOP （反向）
32
31
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（ TOP VIEW ）
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2
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A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
引脚说明
引脚名称
A0到A18
I / O0至I / O7
CS ＃ （ CS ）
OE ＃ （ OE ）
WE＃ （ WE）
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
Rev.1.00 ， Aug.01.2003 ， 13 3页
R1LP0408C -I系列
框图
最低位
V
CC
V
SS
最高位
A11
A9
A8
A15
A18
A10
A13
A17
A16
A14
A12
ROW
解码器
存储矩阵
2,048
×
2,048
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
LSB A3 A2A1A0 A4 A5 A6 A7 MSB
CS ＃
WE＃
OE ＃
定时脉冲发生器
读/写控制
Rev.1.00 ， Aug.01.2003 ， 13第4页
R1LP0408C -I系列
手术床
WE＃
×
H
H
L
L
CS ＃
H
L
L
L
L
OE ＃
×
H
L
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
写
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I / O0至I / O7
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
参考文献。周期
读周期
写周期（ 1）
写周期（ 2）
注： H： V
IH
， L： V
IL
,
×:
V
IH
或V
IL
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
任何引脚相对于V端子电压
SS
功耗
工作温度
存储温度范围
下偏置存储温度范围
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
0.5
到+7.0
0.5*
到V
CC
+ 0.3*
1
2
单位
V
V
W
°C
°C
°C
0.7
40
+85
65
+150
40
+85
注意事项： 1， V
T
分：
3.0
V脉冲半宽度
≤
30纳秒。
2.最大电压为7.0 V.
直流工作条件
（大=
40
至+ 85°C ）
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入高电压
输入低电压
注意：
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
0.3*
1
典型值
5.0
0
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
1. V
IL
分：
3.0
V脉冲半宽度
≤
30纳秒。
Rev.1.00 ， Aug.01.2003 ， 13个5页
R1LP0408C -I系列
工作温度范围宽版
的4M SRAM （ 512千字
×
8-bit)
REJ03C0067-0100Z
1.00版
Aug.01.2003
描述
该R1LP0408C -I是一款4 - Mbit的静态RAM举办512千字
×
8位。 R1LP0408C -I系列实现
更高密度，更高的性能和低功耗通过采用CMOS工艺技术
（ 6晶体管存储单元） 。该R1LP0408C -I系列提供低功耗待机功耗;
因此，它适合于电池备份系统。它封装在32引脚SOP ， 32引脚TSOP II 。
特点
采用5 V单电源： 5 V
±
10%
访问时间： 55/70 NS （最大值）
功耗：
主动： 10毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 4
W
（典型值）
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
直接TTL兼容。
所有输入和输出
电池备份操作。
工作温度：
40
至+ 85°C
Rev.1.00 ， Aug.01.2003 ，页13 1
R1LP0408C -I系列
订购信息
型号
R1LP0408CSP-5SI
R1LP0408CSP-7LI
R1LP0408CSB-5SI
R1LP0408CSB-7LI
R1LP0408CSC-5SI
R1LP0408CSC-7LI
存取时间
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
400万的32引脚塑料TSOP II反向（ 32P3Y -J ）
400万的32引脚塑料TSOP II （ 32P3Y -H ）
包
525万的32引脚塑料SOP （ 32P2M -A ）
Rev.1.00 ， Aug.01.2003 ， 13个2页
R1LP0408C -I系列
管脚配置
32引脚SOP
32针TSOP
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
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（ TOP VIEW ）
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V
CC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
CC
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A17
WE＃
A13
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A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
32脚TSOP （反向）
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（ TOP VIEW ）
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A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
引脚说明
引脚名称
A0到A18
I / O0至I / O7
CS ＃ （ CS ）
OE ＃ （ OE ）
WE＃ （ WE）
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
Rev.1.00 ， Aug.01.2003 ， 13 3页
R1LP0408C -I系列
框图
最低位
V
CC
V
SS
最高位
A11
A9
A8
A15
A18
A10
A13
A17
A16
A14
A12
ROW
解码器
存储矩阵
2,048
×
2,048
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
LSB A3 A2A1A0 A4 A5 A6 A7 MSB
CS ＃
WE＃
OE ＃
定时脉冲发生器
读/写控制
Rev.1.00 ， Aug.01.2003 ， 13第4页
R1LP0408C -I系列
手术床
WE＃
×
H
H
L
L
CS ＃
H
L
L
L
L
OE ＃
×
H
L
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
写
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I / O0至I / O7
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
参考文献。周期
读周期
写周期（ 1）
写周期（ 2）
注： H： V
IH
， L： V
IL
,
×:
V
IH
或V
IL
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
任何引脚相对于V端子电压
SS
功耗
工作温度
存储温度范围
下偏置存储温度范围
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
0.5
到+7.0
0.5*
到V
CC
+ 0.3*
1
2
单位
V
V
W
°C
°C
°C
0.7
40
+85
65
+150
40
+85
注意事项： 1， V
T
分：
3.0
V脉冲半宽度
≤
30纳秒。
2.最大电压为7.0 V.
直流工作条件
（大=
40
至+ 85°C ）
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入高电压
输入低电压
注意：
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
0.3*
1
典型值
5.0
0
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
1. V
IL
分：
3.0
V脉冲半宽度
≤
30纳秒。
Rev.1.00 ， Aug.01.2003 ， 13个5页
R1LP0408C -I系列
工作温度范围宽版
4M SRAM （ 512千字
×
8-bit)
REJ03C0067-0200Z
修订版2.00
May.26.2004
描述
该R1LP0408C -I是一款4 - Mbit的静态RAM举办512千字
×
8位。 R1LP0408C -I系列实现
更高密度，更高的性能和低功耗通过采用CMOS工艺技术
（ 6晶体管存储单元） 。该R1LP0408C -I系列提供低功耗待机功耗;
因此，它适合于电池备份系统。它封装在32引脚SOP ， 32引脚TSOP II 。
特点
采用5 V单电源： 5 V
±
10%
访问时间： 55/70 NS （最大值）
功耗：
主动： 10毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 4
W
（典型值）
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
直接TTL兼容。
所有输入和输出
电池备份操作。
工作温度：
40
至+ 85°C
Rev.2.00 ， May.26.2004 ，第12页1
R1LP0408C -I系列
订购信息
型号
R1LP0408CSP-5SI
R1LP0408CSP-7LI
R1LP0408CSB-5SI
R1LP0408CSB-7LI
R1LP0408CSC-5SI
R1LP0408CSC-7LI
存取时间
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
400万的32引脚塑料TSOP II反向（ 32P3Y -J ）
400万的32引脚塑料TSOP II （ 32P3Y -H ）
包
525万的32引脚塑料SOP （ 32P2M -A ）
Rev.2.00 ， May.26.2004 ， 12第2页
R1LP0408C -I系列
管脚配置
32引脚SOP
32针TSOP
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
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I/O1
I/O2
V
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1
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（ TOP VIEW ）
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CC
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V
CC
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OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
32脚TSOP （反向）
32
31
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（ TOP VIEW ）
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A16
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A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
引脚说明
引脚名称
A0到A18
I / O0至I / O7
CS ＃ （ CS ）
OE ＃ （ OE ）
WE＃ （ WE）
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
Rev.2.00 ， May.26.2004 ， 12第3页
R1LP0408C -I系列
框图
最低位
V
CC
V
SS
最高位
A11
A9
A8
A15
A18
A10
A13
A17
A16
A14
A12
ROW
解码器
存储矩阵
2,048
×
2,048
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
LSB A3 A2A1A0 A4 A5 A6 A7 MSB
CS ＃
WE＃
OE ＃
定时脉冲发生器
读/写控制
Rev.2.00 ， May.26.2004 ， 12的第4页
R1LP0408C -I系列
手术床
WE＃
×
H
H
L
L
CS ＃
H
L
L
L
L
OE ＃
×
H
L
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
写
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I / O0至I / O7
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
参考文献。周期
读周期
写周期（ 1）
写周期（ 2）
注： H： V
IH
， L： V
IL
,
×:
V
IH
或V
IL
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
任何引脚相对于V端子电压
SS
功耗
工作温度
存储温度范围
下偏置存储温度范围
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
0.5
到+7.0
0.5*
到V
CC
+ 0.3*
0.7
40
+85
65
+150
40
+85
1
2
单位
V
V
W
°C
°C
°C
注意事项： 1， V
T
分：
3.0
V脉冲半宽度
≤
30纳秒。
2.最大电压为7.0 V.
直流工作条件
（大=
40
至+ 85°C ）
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入高电压
输入低电压
注意：
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
0.3*
1
典型值
5.0
0
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
1. V
IL
分：
3.0
V脉冲半宽度
≤
30纳秒。
Rev.2.00 ， May.26.2004 ， 12第5页
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