R1LP0108E系列
1MB先进LPSRAM （ 128K字X 8位）
R10DS0029EJ0200
Rev.2.00
2011.01.14
描述
该R1LP0108E系列是由8位组织为131,072字的低电压1兆位静态RAM中，制成
瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT技术。该R1LP0108E系列实现了更高的
密度，更高的性能和较低的功耗。该R1LP0108E系列是适用于存储应用
其中，一个简单的接口，电池的使用和备用电池是重要的设计目标。它一直
封装采用32引脚SOP ， 32引脚TSOP和32引脚sTSOP 。
特点
单4.5 5.5V单电源供电
小的待机电流： 1μA （ 5.0V ，典型值）
没有时钟，没有刷新
所有的输入和输出为TTL兼容。
由CS1 ＃和CS2轻松扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
OE ＃防止数据争用I / O总线上
R10DS0029EJ0200 Rev.2.00
2011.01.14
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