R1LP0108E系列
1MB先进LPSRAM （ 128K字X 8位）
R10DS0151EJ0100
Rev.1.00
2013.6.21
描述
该R1LP0108E系列是由8位组织为131,072字的低电压1兆位静态RAM中，制成
瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT技术。该R1LP0108E系列实现了更高的
密度，更高的性能和较低的功耗。该R1LP0108E系列是适用于存储应用
其中，一个简单的接口，电池的使用和备用电池是重要的设计目标。它一直
封装采用32引脚SOP ， 32引脚TSOP和32引脚sTSOP 。
特点
单4.5 5.5V单电源供电
小的待机电流： 0.6μA （ 5.0V ，典型值）
没有时钟，没有刷新
所有的输入和输出为TTL兼容。
由CS1 ＃和CS2轻松扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
OE ＃防止数据争用I / O总线上
R10DS0151EJ0100 Rev.1.00
2013.6.21
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R1LP0108E系列
手术床
CS1#
X
H
L
L
L
注： 1 。
CS2
L
X
H
H
H
H： V
IH
L： V
IL
WE＃
X
X
L
H
H
OE ＃
X
X
X
L
H
DQ0~7
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
手术
待用
待用
写
读
输出禁用
X： V
IH
或V
IL
绝对最大
参数
电源电压相对于Vss的
任何引脚相对于VSS端，电压
功耗
工作温度
存储温度范围
下偏置存储温度范围
记
符号
VCC
V
T
P
T
TOPR
*3
TSTG
Tbias
*3
版本。
我版本。
价值
-0.3到+7
*1
-0.3 VCC + 0.3
*2
0.7
版本。
我版本。
-65到150
0至+70
-40至+85
0至+70
-40至+85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
1. -3.0V脉冲
≤
为30ns （全宽度半最大值）
2.最大电压为+ 7V 。
3，环境温度范围取决于R / I-版本。请参阅第1页上的表。
R10DS0151EJ0100 Rev.1.00
2013.6.21
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