初步
数据表
R1EX25512ASA00I
R1EX25512ATA00I
串行外设接口
512K EEPROM （ 64千字
×
8-bit)
描述
R1EX25xxx系列的串行外设接口兼容（ SPI ） EEPROM （电可擦除和
可编程ROM ） 。它们实现高速，低功耗和通过使用高水平的可靠性
先进的MONOS存储技术和CMOS工艺和低电压电路技术。他们也有一个
128字节的页编程功能，使他们的写操作速度更快。
R10DS0044EJ0100
Rev.1.00
Oct.04 ， 2010
特点
单电源： 1.8 V至5.5 V
串行外设接口兼容（ SPI总线）
SPI模式0 （0,0）， 3 （1,1）
时钟频率： 5兆赫（ 2.5 V至5.5 V ） ， 3兆赫（ 1.8 V至5.5 V ）
功耗：
待机： 5
A
（最大）
主动（读） ：5 MA（最大）
主动（写） ：5 MA（最大）
自动页写： 128字节/页
写周期时间： 5毫秒（最大值）
耐力： 1,000k周期@ 25°C
数据保存： 100年@ 25°C
小尺寸封装： SOP- 8PIN ， TSSOP- 8PIN
装运胶带和卷轴
TSSOP - 8针： 3000 IC /卷
SOP-8pin
： 2500 IC /卷
温度范围：
40
to
+85°C
无铅产品。
R10DS0044EJ0100 Rev.1.00
Oct.04 ， 2010
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R1EX25512ASA00I/R1EX25512ATA00I
订购信息
型号
R1EX25512ASA00I
内设机构工作电压频率
包
512K位（ 65536
×
8位）， 1.8 V至5.5 V
5兆赫
150万8引脚塑料SOP
（ 2.5 V至5.5 V ） PRSP0008DF -B （ FP - 8DBV ）
无铅
3兆赫
（ 1.8 V至5.5V ）
512K位（ 65536
×
8位）， 1.8 V至5.5 V
5兆赫
8引脚塑料TSSOP
（ 2.5 V至5.5 V ） PTSP0008JC -B （ TTP - 8DAV ）
无铅
3兆赫
（ 1.8 V至5.5V ）
R1EX25512ATA00I
管脚配置
8引脚SOP / TSSOP
S
Q
W
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
C
D
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚名称
C
D
Q
S
W
HOLD
V
CC
V
SS
功能
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
芯片选择
写保护
HOLD
电源电压
地
R10DS0044EJ0100 Rev.1.00
Oct.04 ， 2010
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R1EX25512ASA00I/R1EX25512ATA00I
框图
高压发生器
V
CC
V
SS
地址发生器
X
解码器
W
C
HOLD
D
Q
控制逻辑
S
存储阵列
Y
解码器
Y型选择&读出放大器。
串行 - 并行转换器
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
输入相对于V电压
SS
工作温度范围*
存储温度范围
1
符号
V
CC
V
IN
TOPR
TSTG
价值
0.6
到+7.0
0.3
到V
CC
+0.3
40
+85
55
+125
单位
V
V
°C
°C
注：1.包括电气特性和数据保留。
直流工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作温度范围
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
TOPR
民
1.8
0
V
CC
×
0.7
0.3
40
典型值
0
最大
5.5
0
V
CC
+
0.3
V
CC
×
0.3
+85
单位
V
V
V
V
°C
电容
（ TA = + 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容（ D，C ，
S，W ，持有）
输出电容（ Q）
注意：
1.不100 ％测试。
符号
CIN *
1
C
I / O
*
1
民
典型值
最大
6.0
8.0
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
VOUT = 0 V
R10DS0044EJ0100 Rev.1.00
Oct.04 ， 2010
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R1EX25512ASA00I/R1EX25512ATA00I
存储单元的特性
(V
CC
= 1.8 V至5.5 V ）
Ta=25°C
耐力
数据保留
注意事项： 1.不100 ％测试
1,000k循环分钟。
100年MIN 。
Ta=85°C
10万次分。
10年来分钟。
笔记
1
1
在出货数据
存储器阵列：“1” （FF十六进制）
状态寄存器SRWD ， BP0 ， BP1 ： “ 0 ”
DC特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
当前
待机
活跃
符号
I
LI
I
LO
I
SB
I
CC1
民
最大
2
2
5
3
单位
A
A
A
mA
测试条件
V
CC
= 5.5 V, V
IN
= 0 5.5 V
（S ， D，C ，
HOLD ， W）
V
CC
= 5.5 V, V
OUT
= 0 5.5 V
(Q)
V
IN
= V
SS
或V
CC
,
S
= V
CC
V
CC
= 5.5 V
V
CC
= 3.3 V ，阅读在5 MHz
V
IN
= V
CC
×
0.1 / V
CC
×
0.9
Q = OPEN
V
CC
= 5.5 V ，阅读在5 MHz
V
IN
= V
CC
×
0.1 / V
CC
×
0.9
Q = OPEN
V
CC
= 3.3 V ，写在5 MHz
V
IN
= V
CC
×
0.1 / V
CC
×
0.9
V
CC
= 5.5 V ，写在5 MHz
V
IN
= V
CC
×
0.1 / V
CC
×
0.9
V
CC
= 2.5 5.5 V，I
OL
= 2毫安
V
CC
= 1.8 2.5V，我
OL
= 1.5毫安
V
CC
= 2.5 5.5 V，I
OH
=
2
mA
V
CC
= 1.8 2.5V，我
OH
=
0.4
mA
5
mA
I
CC2
3
5
0.4
0.4
mA
mA
V
V
V
V
输出电压
V
OL1
V
OL2
V
OH1
V
OH2
V
CC
×
0.8
V
CC
×
0.8
R10DS0044EJ0100 Rev.1.00
Oct.04 ， 2010
第20页4
R1EX25512ASA00I/R1EX25512ATA00I
AC特性
测试条件
输入脉冲电平：
V
IL
= V
CC
×
0.2
V
IH
= V
CC
×
0.8
输入上升和下降时间：
≤
5纳秒
输入时序参考水平： V
CC
×
0.5
输出参考水平： V
CC
×
0.5
输出负载： 1TTL门+ 100 pF的
（大=
40
to
+85°C,
V
CC
= 2.5 V至5.5 V ）
参数
时钟频率
S
积极建立时间
S
不主动设置时间
S
取消选择时间
S
积极的保持时间
S
不主动保持时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟上升时间
时钟下降时间
数据建立时间
数据保持时间
后低时钟保持时间
HOLD
不活跃
后低时钟保持时间
HOLD
活跃
时钟高电平的建立时间之前
HOLD
活跃
时钟高电平的建立时间之前
HOLD
不
活跃
输出禁止时间
时钟低到输出有效
输出保持时间
输出上升时间
输出下降时间
HOLD
高输出低Z
HOLD
低到输出低Z
发表时间
注：1。吨
CH
+
t
CL
≥
1/f
C
2.不100％测试
符号
f
C
t
SLCH
t
SHCH
t
SHSL
t
CHSH
t
CHSL
t
CH
t
CL
t
CLCH
t
CHCl 3
t
DVCH
t
CHDX
t
HHCH
t
HLCH
t
CHHL
t
CHHH
t
SHQZ
t
CLQV
t
CLQX
t
QLQH
t
QHQL
t
HHQX
t
HLQZ
t
W
ALT
f
SCK
t
CSS1
t
CSS2
t
CS
t
CSH
t
CLH
t
CLL
t
RC
t
FC
t
DSU
t
DH
t
DIS
t
V
t
HO
t
RO
t
FO
t
LZ
t
HZ
t
WC
民
90
90
90
90
90
90
90
20
30
70
40
60
60
0
最大
5
1
1
100
60
50
50
50
100
5
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
笔记
1
1
2
2
2
2
2
2
2
R10DS0044EJ0100 Rev.1.00
Oct.04 ， 2010
第20页5
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