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为了我们的客户,
旧公司名称在产品目录等资料
4月1日
st
2010年, NEC电子公司合并,瑞萨科技
公司和瑞萨
电子公司
接手两者的所有业务
公司。
因此,尽管老公司的名称仍然是这个文件中,它是一种有效的
瑞萨
电子文档。我们感谢您的理解。
瑞萨电子网站:
http://www.renesas.com
4月1日
st
, 2010
瑞萨电子公司
由...发出:
瑞萨电子公司
( http://www.renesas.com )
任何发送查询
http://www.renesas.com/inquiry 。
通告
1.
本文档中包含的所有信息为发出该文件的日期。这样的信息,但是,是
如有更改,恕不另行通知。购买或使用本文中列出的任何瑞萨电子的产品,请前
确认与瑞萨电子销售办事处最新的产品信息。另外,请大家定期和仔细注意
另外,不同的信息由瑞萨电子披露,例如,通过我们的网站上披露。
瑞萨电子不承担侵权的专利,版权或其他知识产权的任何法律责任
第三方通过或从使用瑞萨电子的产品或本文档中描述的技术信息而引起。
没有许可证,明示,暗示或其他,是任何专利,版权或其他知识产权授予兹
瑞萨电子或其他人。
你不应该改变,修改,复制或以其他方式侵占瑞萨电子产品,不论是全部或部分转载。
仅被提供的电路,软件和本文件中的相关信息的描述来说明的操作
半导体产品和应用实例。你是全权负责这些电路,软件的结合,
而在你的设备的设计资料。瑞萨电电子不承担任何损失承担任何责任
你还是从使用这些电路,软件以及相关信息而产生的第三方。
当出口本文档中描述的产品或技术,你应该遵守适用的出口管制
法律,法规,并按照这些法律和法规规定的程序。你不应该使用瑞萨
电子产品或本文档中用于与军事应用或使用的任何用途中描述的技术
军队,包括但不限于大规模杀伤性武器的发展。瑞萨电子产品
技术可能不被用于或结合到任何产品或系统的制造,使用或禁止出售
根据任何适用的国内或外国的法律或法规。
瑞萨电子已经在准备本文档中包含的信息,使用合理的照顾,但瑞萨电子
不保证该信息没有错误。瑞萨电子承担因此任何损失承担任何责任
招致你从此处包含的信息中的错误或疏漏造成。
瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为: “标准” , “高品质” ,而
“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级,
如下所示。在特定的使用它之前,你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级
应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序
瑞萨电子的书面同意。此外,您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序
它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子,不得以任何方式
从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任
应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面
瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ,除非另有
在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定
电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频
设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。
“高品质” :运输设备(汽车,火车,船舶等) ;交通控制系统;防灾系统;反
犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。
“具体” :
飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或
生命支持系统(如人工生命支持设备或系统) ,外科手术植入,或保健
介入治疗(如切除等) ,并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。
您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内,
特别是相对于最大额定值,工作电源电压范围,移动电源电压范围时,热辐射
特点,安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或
由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。
本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性,半导体产品有
具体特点,如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外,
瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施,
防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性,并伤害或损坏
瑞萨电子产品,如安全性设计的硬件和软件,包括但不限于冗余,火
控制和故障的预防,对于老化降解或任何其他适当的措施,适当的治疗。因为
单独微机软件的评价是非常困难的,请评价最终产品或系统的安全性
由你制造的。
请联系瑞萨电子销售办事处联系,以环境问题,如环境
每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用
该规范的受控物质列入或使用,包括但不限于欧盟RoHS法规
指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任
适用法律和法规。
本文不得转载或复制,以任何形式,全部或部分,瑞萨没有事先书面同意
电子产品。
如果需要了解关于本资料的任何问题,请联系瑞萨电子销售办事处
文档或瑞萨电子的产品,或者如果您有任何疑问。
“标准” :
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
(注1 ) “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-
资子公司。
(注2 ) “瑞萨电子的产品(S ) ”,是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。
R1EX25008ASA00I/R1EX25008ATA00I
R1EX25016ASA00I/R1EX25016ATA00I
串行外设接口
8K位EEPROM (1024字
×
8-bit)
16K EEPROM ( 2048字
×
8-bit)
电可擦除和可编程只读存储器
REJ03C0396-0100
Rev.1.00
Nov.24.2009
描述
R1EX25xxx系列的串行外设接口兼容( SPI ) EEPROM (电可擦除和
可编程ROM ) 。它实现了高速,低功耗和通过使用高水平的可靠性
先进的MONOS存储技术和CMOS工艺和低电压电路技术。它也有一个32字节
网页编程功能,使其的写操作速度更快。
特点
单电源: 1.8 V至5.5 V
串行外设接口兼容( SPI总线)
SPI模式0 (0,0), 3 (1,1)
时钟频率: 5兆赫( 2.5 V至5.5 V ) , 3兆赫( 1.8 V至5.5 V )
功耗:
待机: 3
A
(最大)
主动(读) :2.5 MA(最大)
主动(写) :3.0 MA(最大)
自动页写: 32字节/页
写周期时间: 5毫秒
耐力: 1,000k周期@ 25°C
数据保存: 100年@ 25°C
小尺寸封装: SOP- 8PIN , TSSOP- 8PIN
装运胶带和卷轴
TSSOP - 8针: 3000 IC /卷
SOP- 8PIN :
2500 IC /卷
温度范围:
40
to
+85 °C
无铅产品。
REJ03C0396-0100 Rev.1.00 Nov.24.2009
第20页1
R1EX25008Axx00I/R1EX25016Axx00I
订购信息
型号
R1EX25008ASA00I
R1EX25016ASA00I
R1EX25008ATA00I
R1EX25016ATA00I
内设机构
8千位( 1024
×
8-bit)
16千比特( 2048
×
8-bit)
8千位( 1024
×
8-bit)
16千比特( 2048
×
8-bit)
1.8 V至5.5 V
工作电压
1.8 V至5.5 V
频率
5兆赫
( 2.5 V至5.5 V )
3兆赫
( 1.8 V至5.5V )
5兆赫
( 2.5 V至5.5 V )
3兆赫
( 1.8 V至5.5 V )
150mil 8引脚塑料SOP
PRSP0008DF-B
(FP-8DBV)
无铅
8引脚塑料TSSOP
PTSP0008JC-B
(TTP-8DAV)
无铅
管脚配置
8引脚SOP / TSSOP
S
Q
W
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
C
D
( TOP VIEW )
引脚说明
引脚名称
C
D
Q
S
W
HOLD
V
CC
V
SS
功能
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
芯片选择
写保护
HOLD
电源电压
REJ03C0396-0100 Rev.1.00 Nov.24.2009
第20页2
R1EX25008Axx00I/R1EX25016Axx00I
框图
高压发生器
V
CC
V
SS
地址发生器
X
解码器
W
C
HOLD
D
Q
控制逻辑
S
存储阵列
Y
解码器
Y型选择&读出放大器。
串行 - 并行转换器
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
输入相对于V电压
SS
1
工作温度范围*
存储温度范围
符号
V
CC
V
IN
TOPR
TSTG
价值
0.6
到+ 7.0
0.5*
2
到+ 7.0 *
3
40
+85
55
+125
单位
V
V
°C
°C
注:1.包括电气特性和数据保留。
2. V
IN
(分钟) :
3.0
V的脉冲宽度
50纳秒。
3.不宜超过V
CC
+
1.0 V.
直流工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
工作温度范围
TOPR
注意事项: 1, V
IN
(分钟) :
1.0
V的脉冲宽度
50纳秒。
2. V
IN
(最大值) : V
CC
+ 1.0V的脉冲宽度
50纳秒。
1.8
0
V
CC
×
0.7
0.3*
40
1
典型值
0
最大
5.5
0
V
CC
+
0.5*
V
CC
×
0.3
+85
2
单位
V
V
V
V
°C
电容
( TA = + 25 ° C,F = 1兆赫)
参数
输入电容( D,C ,
S
,
W, HOLD
)
输出电容( Q)
注意:
1.不100 %测试。
符号
CIN *
1
C
I / O
*
1
典型值
最大
6.0
8.0
pF
pF
单位
TEST
条件
VIN = 0 V
VOUT = 0 V
存储单元的特性
(V
CC
= 1.8 V至5.5 V )
Ta=25°C
耐力
数据保留
注意事项: 1.不100 %测试
1,000k循环分钟。
100年MIN 。
Ta=85°C
10万次分。
10年来分钟。
笔记
1
1
REJ03C0396-0100 Rev.1.00 Nov.24.2009
第20页3
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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