初步数据表
R1EX24512BSAS0I
R1EX24512BTAS0I
两线串行接口
512K EEPROM （ 64千字
×
8-bit)
描述
R1EX24xxx系列是两线串行接口的EEPROM （电可擦可编程ROM） 。他们
实现高速，低功耗和采用先进的MONOS存储器高水平的可靠性
工艺和CMOS工艺和低电压电路技术。他们也有一个128字节的页编程
功能，使他们的写操作速度更快。
R10DS0026EJ0001
Rev.0.01
九月， 03 ， 2010
特点
单电源： 1.8 V至5.5 V
两线串行接口（I
2
C串行总线）
时钟频率为1 MHz （ 2.5 V至5.5 V ） / 400千赫（ 1.8 V至5.5 V ）
功耗：
待机： 2
A
（最大）
主动（读） ： 1毫安（最大值）
主动（写） ：5 MA（最大）
自动页写： 128字节/页
写周期时间： 5毫秒
耐力： 1,000k周期@ 25C
数据保存： 100年@ 25C
小尺寸封装： SOP- 8针， TSSOP 8引脚
装运胶带和卷轴
TSSOP 8引脚： 3000 IC /卷
SOP 8针： 2500 IC /卷
温度范围：
40
至+ 85°C
无铅产品。
初步：此设备的规格如有变更，恕不另行通知。请联系您就近
瑞萨电子销售部有关规范。
R10DS0026EJ0001 Rev.0.01
九月， 03 ， 2010
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R1EX24512BSAS0I/R1EX24512BTAS0I
订购信息
型号
R1EX24512BSAS0I
内设机构
512K位（ 65536
×
8-bit)
操作
电压
1.8 V至5.5 V
2.5 V至5.5 V
1.8 V至5.5 V
2.5 V至5.5 V
频率
400千赫
1兆赫
400千赫
1兆赫
包
150万8引脚塑料SOP
PRSP0008DF-B(FP-8DBV)
无铅
8引脚塑料TSSOP
PTSP0008JC-B(TTP-8DAV)
无铅
R1EX24512BTAS0I
512K位（ 65536
×
8-bit)
管脚配置
8引脚SOP / 8引脚TSSOP
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
（ TOP VIEW ）
V
CC
WP
SCL
SDA
引脚说明
引脚名称
A0至A2
SCL
SDA
WP
V
CC
V
SS
设备地址
串行时钟输入
串行数据输入/输出
写保护
电源
地
功能
框图
V
CC
V
SS
高压发生器
地址发生器
X解码器
存储阵列
WP
A0, A1, A2
SCL
SDA
控制
逻辑
Y译码
Y型选择&读出放大器。
串行 - 并行转换器
R10DS0026EJ0001 Rev.0.01
九月， 03 ， 2010
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R1EX24512BSAS0I/R1EX24512BTAS0I
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
输入相对于V电压
SS
工作温度范围*
存储温度范围
1
符号
V
CC
VIN
TOPR
TSTG
价值
0.6
到+7.0
0.3
到V
CC
+0.3
40
+85
55
+125
单位
V
V
°C
°C
注：1.包括电气特性和数据保留。
直流工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
TOPR
民
1.8
0
V
CC
×
0.7
0.3
40
典型值
0
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.3
V
CC
×
0.3
+85
单位
V
V
V
V
°C
DC特性
（大=
40
+ 85℃ ，V
CC
= 1.8 V至5.5 V ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
待机V
CC
当前
阅读V
CC
当前
写V
CC
当前
输出低电压
符号
I
LI
I
LO
I
SB
I
CC1
I
CC2
V
OL2
V
OL1
民
典型值
1.0
最大
2.0
2.0
2.0
1.0
5.0
0.4
0.2
单位
A
A
A
mA
mA
V
V
测试条件
V
CC
= 5.5 V ， VIN = 0 5.5 V
V
CC
= 5.5 V ，输出电压= 0 5.5 V
VIN = V
SS
或V
CC
V
CC
= 5.5 V ，阅读频率为400 kHz
V
CC
= 5.5 V ，写在400千赫
V
CC
= 2.75.5 V，I
OL
= 3.0毫安
V
CC
= 1.8 2.7 V，I
OL
= 1.5毫安
电容
（ TA = + 25 ° C，F = 1兆赫）
测试条件
参数
输入电容（A0至A2 ，SCL，可湿性粉剂）
输出电容（ SDA ）
注： 1.不100 ％测试。
符号
CIN *
1
民
典型值
最大
6.0
6.0
单位
pF
pF
VIN = 0 V
VOUT = 0 V
C
I / O
*
1
存储单元的特性
(V
CC
= 1.8 V至5.5 V ）
Ta=25°C
耐力
数据保留
注意事项： 1.不100 ％测试。
1,000k循环分钟。
100年MIN 。
Ta=85°C
10万次分。
10年来分钟。
笔记
1
1
R10DS0026EJ0001 Rev.0.01
九月， 03 ， 2010
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R1EX24512BSAS0I/R1EX24512BTAS0I
AC特性
（大=
40
+ 85℃ ，V
CC
= 1.85.5 V）的
测试条件
输入pules级别：
V
IL
= 0.2
×
V
CC
V
IH
= 0.8
×
V
CC
输入上升和下降时间：
≤
20纳秒
输入和输出的定时参考水平： 0.5
×
V
CC
输出负载： TTL门+ 100 pF的
参数
时钟频率
时钟脉冲宽度低
时钟脉冲宽度高
噪声抑制时间
存取时间
总线空闲时间为下一个模式
开始保持时间
启动安装程序时
数据保持时间
数据建立时间
输入上升时间
输入下降时间
停止建立时间
数据输出保持时间
写保护保持时间
写保护设置时间
写周期时间
符号
f
SCL
t
低
t
高
t
I
t
AA
t
BUF
t
HD.STA
t
SU.STA
t
HD.DAT
t
SU.DAT
t
R
t
F
t
SU.STO
t
DH
t
HD.WP
t
SU.WP
t
WC
V
CC
= 1.8 V至5.5 V
民
典型值
最大
400
1200
600
50
100
900
1200
600
600
0
100
600
50
1200
0
300
300
5
V
CC
= 2.5 V至5.5 V
民
典型值
最大
1000
600
400
50
100
550
500
250
250
0
100
250
50
600
0
300
100
5
单位
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
笔记
1
1
1
2
注意事项： 1.不100 ％测试。
2. t
WC
是从停止状态到内部控制的写周期结束的时间。
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R1EX24512BSAS0I/R1EX24512BTAS0I
时序波形
总线时序
1/f
SCL
t
低
t
F
SCL
t
SU.STA
t
HD.STA
SDA
（中）
t
AA
SDA
（下）
t
SU.WP
WP
t
高
t
R
t
HD.DAT
t
SU.DAT
t
SU.STO
t
BUF
t
DH
t
HD.WP
写周期时序
停止条件
启动条件
SCL
SDA
D0中
写数据
（地址（ N） ）
确认
t
WC
（内部控制）
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