初步
数据表
R1EX24002ASAS0G
R1EX24002ATAS0G
两线串行接口
2K EEPROM （ 256字
8-bit)
105 ° C I C总线的EEPROM
描述
2
R10DS0078EJ0100
Rev.1.00
2013年3月6日
R1EX24xxx系列是两线串行接口的EEPROM （电可擦可编程ROM） 。
R1EX24xxxG系列改善写入/擦除耐力除了适合用于高温工业
应用，使先进的MONOS存储单元结构的功能物尽其用。
特点
单电源： 1.8 V至5.5 V
两线串行接口（I
2
C串行总线）
时钟频率： 400千赫
功耗：
待机： 2
A
（最大）
主动（读） ： 1毫安（最大值）
主动（写） ：2.5 MA（最大）
自动页写： 16字节/页
写周期时间： 5毫秒
耐力： 1,000k周期@ 85C / 200K周期@ 105C
数据保存时间：20年
小尺寸封装： SOP- 8PIN ， TSSOP- 8PIN
装运胶带和卷轴
TSSOP 8引脚： 3000 IC /卷
SOP 8针： 2500 IC /卷
温度范围：
40
至+ 105°C
无铅产品。
无卤产品。
初步：此设备的规格如有变更，恕不另行通知。请联系您就近
瑞萨电子销售部有关规范。
R10DS0078EJ0100 Rev.1.00
2013年3月6日
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R1EX24002ASAS0G/R1EX24002ATAS0G
初步
订购信息
订购的部件编号
R1EX24002ASAS0G#U0
内设机构
2k个比特（256
8-bit)
包
150万8引脚塑料SOP
PRSP0008DF -B （ FP - 8DBV ）
无铅，无卤素
8引脚塑料TSSOP
PTSP0008JC -B （ TTP - 8DAV ）
无铅，无卤素
装运胶带和卷轴
2500 IC /卷
R1EX24002ATAS0G#U0
2k个比特（256
8-bit)
3000 IC /卷
管脚配置
8引脚SOP / 8引脚TSSOP
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
（ TOP VIEW ）
V
CC
WP
SCL
SDA
引脚说明
引脚名称
A0至A2
SCL
SDA
WP
V
CC
V
SS
功能
设备地址
串行时钟输入
串行数据输入/输出
写保护
电源
地
框图
电压检测器
V
CC
高压发生器
V
SS
WP
A0, A1, A2
SCL
SDA
串行 - 并行转换器
控制
逻辑
地址发生器
X解码器
存储阵列
Y译码
Y型选择&读出放大器。
R10DS0078EJ0100 Rev.1.00
2013年3月6日
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R1EX24002ASAS0G/R1EX24002ATAS0G
初步
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
输入相对于V电压
SS
工作温度范围*
1
存储温度范围
符号
V
CC
VIN
TOPR
TSTG
价值
0.6
到+7.0
0.5*
2
到+7.0
40
到105
55
+125
单位
V
V
C
C
注：1.包括电气特性和数据保留。
2. VIN（MIN ） ：
3.0
V的脉冲宽度
50纳秒。
直流工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
TOPR
民
1.8
0
V
CC
0.7
-0.3*
1
40
典型值
0
最大
5.5
0
V
CC
0.5*
2
V
CC
0.3
+105
单位
V
V
V
V
C
注意事项： 1， V
IL
（分钟） ：
1.0
V的脉冲宽度
50纳秒。
2. V
IH
（最大值） ： V
CC
+ 1.0V的脉冲宽度
50纳秒。
DC特性
（大=
40
至+ 105 ° C，V
CC
= 1.8 V至5.5 V ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
待机V
CC
当前
阅读V
CC
当前
写V
CC
当前
输出低电压
符号
I
LI
I
LO
I
SB
I
CC1
I
CC2
V
OL2
V
OL1
民
典型值
0.5
0.2
1.0
最大
2.0
2.0
2.0
1.0
2.5
0.4
0.2
单位
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
测试条件
V
CC
= 5.5 V ， VIN = 0 5.5 V
V
CC
= 5.5 V ，输出电压= 0 5.5 V
V
CC
= 5.5 V ， VIN = V
SS
或V
CC
V
CC
= 3.3V ， VIN = V
SS
或V
CC
， TA = 25℃
V
CC
= 5.5 V ，阅读频率为400 kHz
V
CC
= 3.3 V ，阅读频率为400 kHz ，TA = 25C
V
CC
= 5.5 V ，写在400千赫
V
CC
= 3.3 V ，写在400千赫，TA = 25C
V
CC
= 2.75.5 V，I
OL
= 3.0毫安
V
CC
= 1.8 2.7 V，I
OL
= 1.5毫安
电容
（ TA = + 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容（A0至A2 ，SCL，可湿性粉剂）
输出电容（ SDA ）
注意：
1.不100测试。
符号
CIN *
1
C
I / O
*
1
民
典型值
最大
6.0
6.0
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
VOUT = 0 V
存储单元的特性
(V
CC
= 1.8 V至5.5 V ）
耐力
数据保留
注意：
1.不100测试。
Ta=85C
1,000k循环分钟。
20年来分钟。
Ta=105C
200K循环分钟。
20年来分钟。
笔记
1
1
样品出货数据
EEPROM的所有位为逻辑“1” （十六进制的FF ）的出货。
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初步
AC特性
测试条件
输入pules级别：
V
IL
= 0.2
V
CC
V
IH
= 0.8
V
CC
输入上升和下降时间：
20纳秒
输入和输出的定时参考水平： 0.5
V
CC
输出负载： TTL门+ 100 pF的
（大=
40
至+ 105 ° C，V
CC
= 1.85.5 V）的
参数
时钟频率
时钟脉冲宽度低
时钟脉冲宽度高
噪声抑制时间
存取时间
总线空闲时间为下一个模式
开始保持时间
启动安装程序时
数据保持时间
数据建立时间
输入上升时间
输入下降时间
停止建立时间
数据输出保持时间
写保护保持时间
写保护设置时间
写周期时间
符号
f
SCL
t
低
t
高
t
I
t
AA
t
BUF
t
HD.STA
t
SU.STA
t
HD.DAT
t
SU.DAT
t
R
t
F
t
SU.STO
t
DH
t
HD.WP
t
SU.WP
t
WC
民
—
1200
600
—
100
1200
600
600
0
100
—
—
600
50
1200
0
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
400
—
—
50
900
—
—
—
—
—
300
300
—
—
—
—
5
单位
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
笔记
1
1
1
2
注意事项： 1.不100测试。
2. t
WC
是从停止状态到内部控制的写周期结束的时间。
R10DS0078EJ0100 Rev.1.00
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R1EX24002ASAS0G/R1EX24002ATAS0G
初步
时序波形
总线时序
1/f
SCL
t
低
t
F
SCL
t
SU.STA
t
HD.STA
SDA
（中）
t
AA
SDA
（下）
t
SU.WP
WP
t
高
t
R
t
HD.DAT
t
SU.DAT
t
SU.STO
t
BUF
t
DH
t
HD.WP
写周期时序
停止条件
启动条件
SCL
SDA
D0中
写数据
（地址（ N） ）
确认
t
WC
（内部控制）
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