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初步
数据表
R1EV24004ASAS0I
两线串行接口
4K EEPROM ( 512字
8-bit)
描述
R1EV24xxx系列是两线串行接口的EEPROM (电可擦可编程ROM) 。他们
实现高速,低功耗和采用先进的MONOS存储器高水平的可靠性
工艺和CMOS工艺。他们也有一个16字节的页编程功能,使他们的写操作
速度更快。
R10DS0123EJ0100
Rev.1.00
2013年4月8日
特点
单电源: 2.5 V至5.5 V
两线串行接口(I
2
C串行总线)
时钟频率: 400千赫
功耗:
待机: 2
A
(最大)
主动(读) : 1毫安(最大值)
主动(写) :2.5 MA(最大)
自动页写: 16字节/页
写周期时间: 5毫秒
耐力: 1,000k周期@ 25C
数据保存: 100年@ 25C
小尺寸封装: SOP- 8针
装运胶带和卷轴
SOP 8针: 4000 IC /卷
温度范围:
40
至+ 85°C
无铅产品。
无卤产品。
初步:此设备的规格如有变更,恕不另行通知。请联系您就近
瑞萨电子销售部有关规范。
R10DS0123EJ0100 Rev.1.00
2013年4月8日
分页: 15 1
R1EV24004ASAS0I
订购信息
订购的部件编号
R1EV24004ASAS0I#K0
内设机构
4k的位( 512 8比特)的
150万8引脚塑料SOP
PRSP0008DF -B ( FP - 8DBV )
无铅,无卤素
装运胶带和卷轴
4000 IC /卷
管脚配置
8引脚SOP
A0 ( NC )
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
( TOP VIEW )
V
CC
WP
SCL
SDA
引脚说明
引脚名称
A0至A2
SCL
SDA
WP
V
CC
V
SS
NC
设备地址
串行时钟输入
串行数据输入/输出
写保护
电源
无连接
功能
框图
电压检测器
V
CC
高压发生器
V
SS
WP
A0 ( NC ) , A1 , A2
SCL
SDA
串行 - 并行转换器
控制
逻辑
地址发生器
X解码器
存储阵列
Y译码
Y型选择&读出放大器。
R10DS0123EJ0100 Rev.1.00
2013年4月8日
分页: 15 2
R1EV24004ASAS0I
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
输入相对于V电压
SS
工作温度范围*
1
存储温度范围
符号
V
CC
VIN
TOPR
TSTG
价值
0.6
到+7.0
0.5*
2
到+7.0
40
+85
55
+125
单位
V
V
C
C
注:1.包括电气特性和数据保留。
2. VIN(MIN ) :
3.0
V的脉冲宽度
50纳秒。
直流工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度
注意:
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
TOPR
2.5
0
V
CC
0.7
0.3*
1
40
典型值
0
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5
V
CC
0.3
+85
单位
V
V
V
V
C
1. V
IL
(分钟) :
1.0
V的脉冲宽度
50纳秒。
DC特性
(大=
40
+ 85℃ ,V
CC
= 2.5 V至5.5 V )
参数
输入漏电流
输出漏电流
待机V
CC
当前
阅读V
CC
当前
写V
CC
当前
输出低电压
符号
I
LI
I
LO
I
SB
I
CC1
I
CC2
V
OL
典型值
0.5
0.2
1.0
最大
2.0
2.0
2.0
1.0
2.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
V
测试条件
V
CC
= 5.5 V , VIN = 0 5.5 V
V
CC
= 5.5 V ,输出电压= 0 5.5 V
V
CC
= 5.5 V , VIN = V
SS
或V
CC
V
CC
= 3.3V , VIN = V
SS
或V
CC
, TA = 25℃
V
CC
= 5.5 V ,阅读频率为400 kHz
V
CC
= 3.3 V ,阅读频率为400 kHz ,TA = 25C
V
CC
= 5.5 V ,写在400千赫
V
CC
= 3.3 V ,写在400千赫,TA = 25C
I
OL
= 3.0毫安
电容
( TA = + 25 ° C,F = 1兆赫)
参数
输入电容(A0至A2 ,SCL,可湿性粉剂)
输出电容( SDA )
注意:
1.不100测试。
符号
CIN *
1
C
I / O
*
1
典型值
最大
6.0
6.0
单位
pF
pF
TEST
条件
VIN = 0 V
VOUT = 0 V
存储单元的特性
(V
CC
= 2.5 V至5.5 V )
耐力
数据保留
注意:
1.不100测试。
Ta=25C
1,000k循环分钟。
100年MIN 。
Ta=85C
10万次分
10年来分钟。
笔记
1
1
样品出货数据
EEPROM的所有位为逻辑“1” (十六进制的FF )的出货。
R10DS0123EJ0100 Rev.1.00
2013年4月8日
第15 3
R1EV24004ASAS0I
AC特性
测试条件
输入pules级别:
V
IL
= 0.2
V
CC
V
IH
= 0.8
V
CC
输入上升和下降时间:
20纳秒
输入和输出的定时参考水平: 0.5
V
CC
输出负载: TTL门+ 100 pF的
(大=
40
+ 85℃ ,V
CC
= 2.5 5.5 V)的
参数
时钟频率
时钟脉冲宽度低
时钟脉冲宽度高
噪声抑制时间
存取时间
总线空闲时间为下一个模式
开始保持时间
启动安装程序时
数据保持时间
数据建立时间
输入上升时间
输入下降时间
停止建立时间
数据输出保持时间
写保护保持时间
写保护设置时间
写周期时间
符号
f
SCL
t
t
t
I
t
AA
t
BUF
t
HD.STA
t
SU.STA
t
HD.DAT
t
SU.DAT
t
R
t
F
t
SU.STO
t
DH
t
HD.WP
t
SU.WP
t
WC
1200
600
100
1200
600
600
0
100
600
50
1200
0
典型值
最大
400
50
900
300
300
5
单位
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
笔记
1
1
1
2
注意事项: 1.不100测试。
2. t
WC
是从停止状态到内部控制的写周期结束的时间。
R10DS0123EJ0100 Rev.1.00
2013年4月8日
第15 4
R1EV24004ASAS0I
时序波形
总线时序
1/f
SCL
t
t
F
SCL
t
SU.STA
t
HD.STA
SDA
(中)
t
AA
SDA
(下)
t
SU.WP
WP
t
t
R
t
HD.DAT
t
SU.DAT
t
SU.STO
t
BUF
t
DH
t
HD.WP
写周期时序
停止条件
启动条件
SCL
SDA
D0中
写数据
(地址( N) )
确认
t
WC
(内部控制)
R10DS0123EJ0100 Rev.1.00
2013年4月8日
第15个5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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