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'2002.7.17
低噪声150毫安LDO稳压器
R1124N系列
n
概要
该R1124N系列是具有高输出电压精度,极低的电源电流基于CMOS电压稳压器IC ,
低导通电阻和高纹波抑制。每个芯片由一个参考电压单元,一个误差放大器,
电阻网为电压设置,电流限制电路,和一个芯片使能电路。
这些IC具有低压差电压执行和芯片使能功能。该线路瞬态响应和负载瞬态
在R1124N系列的响应都非常出色,因此这些芯片非常适合于手持式电源
通讯设备。
这些IC的输出电压是固定的,精度高。由于包这些芯片是SOT- 23-5 ,高密度
该集成电路在电路板上安装是可能的。
n
特点
l
l
l
l
l
l
l
l
l
低电源电流............................................... ..........典型。 75μA
待机模式................................................ ...................典型。 0.1μA
低压差............................................... .......典型。 0.22V (我
OUT
= 150毫安3.0V输出型)
高纹波抑制............................................... ......典型。 70分贝( F = 1kHz的3.0V输出型) / 60分贝( F = 10kHz时)
输出电压典型值低温度漂移系数。 ± 100ppm的/
°C
卓越的线路调整..............................................典型值。 0.02 %/ V
高输出电压精度...................................... ± 2.0 %
小包装................................................ .................. SOT- 23-5
输出电压................................................ ..................用每步0.1V在1.5V的范围内以4.0V为逐步设置
可能
l
内置折回保护电路...........................典型。 40毫安(电流在短时间内模式)
l
建议使用陶瓷电容将与该IC采用
C
IN
=C
OUT
=1F(V
OUT
<2.5V)
......................................................................................................
C
IN
= 1μF ,C
OUT
= 0.47μF (V
OUT
≥2.5V)
n
应用
l
l
l
电源便携式通信设备。
电源电器,如照相机,录像机和摄像机。
电源为电池供电设备。
1.00版
-1-
n
方框图
R1124NXX1A
R1124NXX1B
3
V
DD
-
+
VREF
电流限制
1 V
OUT
3
V
DD
-
+
VREF
电流限制
1
V
OUT
CE 4
R1124NXX1D
2 GND
CE 4
2
GND
V
DD
3
1 V
OUT
-
+
VREF
当前
极限
CE
4
2 GND
n
选购指南
的输出电压,版本和带卷类型的集成电路可以在用户的请求来选择。的选择可以由
与指定如下图所示的零件号;
R1124NXX1X-XX
←部分
↑ ↑ ↑
A B C
CODE
a
目录
设定输出电压(V
OUT
) :
以0.1V的1.5V至4.0V的范围内的步骤逐步设置是可能的。
主动型名称:
答:主动式低
B:主动型高
D:高电平有效,具有自动放电
大坪的型号命名:
恩。 TR (指带卷; TR型为标准的方向。 )
b
c
1.00版
-2-
n
引脚配置
SOT- 23 - 5
4
5
马克边
1
2
3
n
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
符号
V
OUT
GND
V
DD
CE或CE
NC
描述
输出引脚
接地引脚
输入引脚
芯片使能引脚
无连接
n
绝对最大额定值
输入电压
输入电压( CE或CE引脚)
输出电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
IN
V
CE
V
OUT
I
OUT
P
D
TOPT
TSTG
等级
6.5
-0.3 ~ V
IN
+0.3
-0.3 ~ V
IN
+0.3
200
250
-40 ~ 85
-55 ~ 125
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1.00版
-3-
n
电气特性
l
R1124NXX1X
符号
V
OUT
I
OUT
V
OUT
/I
OUT
V
I F
I
SS
Istandby
条件
分钟。
典型值。
V
IN
=设置V
OUT
+1V
V
OUT
1mA
I
OUT
30mA
×0.980
V
IN
- V
OUT
= 1.0V
150
V
IN
=设置V
OUT
+1V
22
40
1mA
I
OUT
150mA
是指通过输出的电气特性
电压
V
IN
=设置V
OUT
+ 1V ,我
OUT
=0mA
75
95
V
IN
=设置V
OUT
+1V
V
CE
= GND (B / D版)
0.1
1.0
= VDD ( A版)
V
OUT
>1.7V,
集V
OUT
+0.5V
V
IN
6.0V
0.02
0.10
(V
OUT
≤1.7,
2.2V
V
IN
6.0V)
I
OUT
= 30毫安
f=1kHz
70
f=10kHz
60
纹波平0.5Vp -P
V
OUT
>1.7V ,V
IN
-V
OUT
=1.0V
V
OUT
≤1.7,V
IN
-V
OUT
=1.2V
I
OUT
=30mA
2.0
6.0
I
OUT
= 30毫安
±100
-40°C
TOPT
85°C
V
OUT
= 0V
40
0.7
2.0
8.0
1.5
V
IN
0.0
0.3
BW = 10Hz至100kHz
30
V
CE
=0V
60
Topt=25°C
马克斯。
单位
V
OUT
V
×1.020
mA
mV
输出电压
输出电流
负载调整率
输入输出电压差
电源电流
电源电流(待机)
A
A
V
OUT
/V
IN
线路调整
%/V
RR
纹波抑制
dB
V
IN
V
OUT
/T
ILIM
R
PU
V
CEH
V
CEL
e
n
R
l
输入电压
输出电压
温度COEF网络cient
短路电流限制
CE上拉电阻
CE的输入电压为“H”
CE的输入电压为“L”
输出噪声
对N沟道电阻的自动
放电(仅适用于D版)
V
PPM
/°C
mA
M
V
V
μVRMS
按输出电压电气特性
TOPT = 25
输出电压
V
OUT
(V)
V
OUT
= 1.5
V
OUT
= 1.6
V
OUT
= 1.7
1.8
V
OUT
2.0
2.1
V
OUT
2.7
2.8
V
OUT
4.0
输入输出电压差
V
DIF
(V)
条件
典型值。
0.38
0.36
0.34
I
OUT
= 150毫安
0.32
0.28
0.22
马克斯。
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
0.35
1.00版
-4-
n
技术说明
当使用这些芯片,请考虑以下几点:
相位补偿
在这些IC ,相位补偿被制成用于固定,即使在负载电流是变化的稳定运行。为了这个目的,使用
电容C
OUT
具有良好的频率特性和ESR (等效串联电阻) 。
我们使用陶瓷电容器这些IC的评估。
(注意:当附加的陶瓷电容器被连接到输出端子与输出电容器,用于相
补偿,该操作可能会不稳定。正因为如此,测试这些集成电路与作为同外部组件如那些以
用于在PCB上)。
PCB布局
使V
DD
和GND线就足够了。如果他们的阻抗高,噪声拾取或运行不稳定,可能导致。连接
电容器的电容值高达1.0μF或更高V之间
DD
和GND端子,并且尽可能接近到管脚。
置的外部元件,尤其是输出电容,尽可能接近到IC,以及使布线尽可能短。
n
测试电路
R1124Nxx1B
系列
R1124Nxx1B
系列
1.0F
1.0F
1.0F
1.0F
图1标准测试电路
图2电源电流测试电路
R1124Nxx1B
系列
R1124Nxx1B
系列
1.0F
图3纹波抑制,线路瞬态响应测试
电路
图4负载瞬态响应测试电路
1.00版
-5-
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    R1124NXX1X
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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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