R1124N系列
低噪声150毫安LDO稳压器
NO.EA-095-0512
概要
该R1124N系列是基于CMOS工艺的高输出电压精度稳压器芯片，极低
电源电流，低导通电阻和高纹波抑制。每个这些IC包括一个参考电压源
单元，一个误差放大器，电阻网为电压设置，电流限制电路，和一个芯片使能电路。
这些IC具有低压差电压执行和芯片使能功能。该线路瞬态响应和负载
在R1124N系列的瞬态响应都非常出色，因此这些芯片非常适合用于电源
手持式通信设备。
这些IC的输出电压是固定的，精度高。由于包这些芯片是SOT- 23-5 ，高
IC的上板密度安装是可能的。
特点
低电源电流............................................... ..............典型。 75μA
待机模式................................................ ......................典型。 0.1μA
低压差............................................... .............典型。 0.22V （我
OUT
= 150毫安3.0V输出型）
高纹波抑制............................................... ...........典型。 70分贝（ F = 1kHz的3.0V输出型）
.................................................. ...........................................典型。 60分贝（ F = 10kHz时）
输出电压...........典型的低温度漂移系数。
±100ppm/°C
卓越的线路调整............................................... .....典型。 0.02 ％/ V
高输出电压精度.............................................
±2.0%
小包装................................................ ................. SOT- 23-5
输出电压................................................ .....................逐步设置与0.1V的步
1.5V到4.0V的范围内是可能的
内置折回保护电路....................................典型。 40毫安（电流在短时间内模式）
建议使用陶瓷电容将与该IC ... C使用
IN
=C
OUT
=1F
(V
OUT
<2.5V)
C
IN
=1F,
C
OUT
=0.47F
(V
OUT
＆ GT ;
2.5V)
=
应用
电源便携式通信设备。
电源电器，如照相机，录像机和摄像机。
电源为电池供电设备。
1
R1124N
方框图
R1124Nxx1A
V
DD
V
OUT
R1124Nxx1B
V
DD
-
+
V
OUT
VREF
电流限制
CE
GND
VREF
电流限制
CE
GND
R1124Nxx1D
V
DD
-
+
VREF
电流限制
CE
GND
V
OUT
选购指南
的输出电压，版本和带卷类型的集成电路可以在用户的请求来选择。
选择可以指定如下图所示的零件号进行;
R1124Nxx1x-xx
↑
a
CODE
a
↑ ↑
B C
←部分
数
目录
设定输出电压（V
OUT
):
以0.1V的1.5V至4.0V的范围内的步骤逐步设置是可能
主动型名称：
答：主动式低
B：主动型高
D：高电平有效，具有自动放电
大坪的型号命名：
恩。 TR （指带卷; TR型为标准的方向。 ）
b
c
2
QQ：2880707522 复制
