添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Q型号页 > 首字符Q的型号第135页 > QTLP660CIR
QTLP660CIR
1.8毫米DOME镜头
发光二极管
QTLP660CIR
包装尺寸
0.075 (1.9)
0.067 (1.7)
0.134 (3.40)
0.118 (3.00)
0.102 (2.6)
0.087 (2.2)
0.091 (2.3)
0.083 (2.1)
顶部
R0.004 (0.1)
5°
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
7°
0.106 (2.7)
0.098 (2.5)
0.028 (0.7)
0.020 (0.5)
SIDE
0.079 (2.0)
底部
极性
注意：
外形尺寸为所有的图纸都是以英寸（毫米） 。
特点
1.8毫米圆顶透镜封装
可在0.315 （ 178毫米）卷筒直径“ （8毫米），宽7带” ; 2000单位每卷
窄的发射角度， 30 °
波长= 940纳米，砷化镓
湖水清澈镜头
匹配感光器： QTLP660CPDF
2003仙童半导体公司
+
第1页7
-
3/5/03
QTLP660CIR
1.8毫米DOME镜头
发光二极管
QTLP660CIR
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
工作温度
储存温度
焊接温度（铁）
(1,2,3)
焊接温度（流动）
(1,2)
连续正向电流
反向电压
功耗
(4)
峰值正向电流（脉冲宽度= 100μS ，占空比= 1 ％ ）
注意事项：
1. RMA通量建议。
2.甲醇，异丙醇醇推荐的清洁剂。
3.烙铁头在16"分之1 （ 1.6毫米）从住房
4.在25 ℃或更低
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
I
F
V
R
P
D
I
FD
等级
-40至+85
-40到+90
240 ，持续5秒
260 ，持续10秒
65
5
130
1.0
单位
°C
°C
°C
°C
mA
V
mW
A
电/光特性
(T
A
=25°C)
参数
峰值发射波长
发射角
正向电压
反向电流
辐射强度
上升时间
下降时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安，吨
P
= 100微秒，占空比= 0.01
I
F
= 1 A，T
P
= 100微秒，占空比= 0.01
V
R
= 5 V
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安，吨
P
= 100微秒，占空比= 0.01
I
F
= 1 A，T
P
= 100微秒，占空比= 0.01
I
F
= 100毫安，
t
P
= 20毫秒
t
r
t
f
Ee
I
R
V
F
测试条件
符号
λ
P
Θ
分钟。
—
—
—
—
—
—
1.0
—
—
—
—
典型值。
940
±15
1.2
1.4
2.6
—
3.0
14
140
1
1
马克斯。
—
—
1.5
1.85
4.0
100
—
—
—
—
—
s
s
毫瓦/ SR
A
V
单位
nm
度。
2003仙童半导体公司
第2 7
3/5/03
QTLP660CIR
1.8毫米DOME镜头
发光二极管
QTLP660CIR
典型性能曲线
图。 1正向电流与
环境温度
140
120
100
80
60
40
20
0
-25
图。 2相对辐射强度对比
波长
100
相对辐射强度（ ％ ）
正向电流I
F
（MA ）
I
F
= 20毫安
T
A
= 25C
80
60
40
20
0
20
40
60
80
100
0
880 900 920 940 960 980 1000 1020 1040
环境温度（ ℃）
Wavelengthl
λ
（纳米）
图。 3峰值发射波长与
环境温度
峰值发射波长（nm ）
980
10
4
图。 4正向电流与
正向电压
960
正向电流I
F
（MA ）
tp=100s
占空比= 0.01
10
3
940
920
10
2
900
-25
0
25
50
75
100
10
1
0
1
2
3
4
环境温度T
A
(°C)
图。 5相对强度对比
环境温度（ ℃）
5
正向电压（ V）
即 - 辐射强度（毫瓦/ SR ）
图。 6相对辐射强度对比
角位移
30°
20°
10°
0°
10°
20°
30°
I
F
=20mA
3
相对辐射强度
1.0
0.9
0.8
0.7
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
1
0.1
25
50
75
100
120
2003仙童半导体公司
第3页7
3/5/03
QTLP660CIR
1.8毫米DOME镜头
发光二极管
QTLP660CIR
典型性能曲线
图。 7相对强度对比
正向电流
1000
也就是说，辐射强度（毫瓦/ SR ）
100
10
1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
IF - 正向电流（mA ）
2003仙童半导体公司
第4 7
3/5/03
QTLP660CIR
1.8毫米DOME镜头
发光二极管
QTLP660CIR
推荐的印刷电路板格局
0.079 (2.00)
0.098 (2.50)
0.098 (2.50)
0.098 (2.50)
推荐的红外回流焊简介
5秒MAX
焊接时间
240 ° C（最大值）
+ 5 ° C / s最大
-5 ° C / s最大
60 - 120秒
预热
120 - 150 ° C（最大值）
2003仙童半导体公司
第5页第7
3/5/03
查看更多QTLP660CIRPDF信息
推荐型号
QL4016-2PF100M
Q68000-A8884
QEUM5510DQ3016
Q6004D3
QS74FCT2521CTZ
Q68000-A8650
Q2008N4
QSK033A0B41
QUAZ-SS-124D
QM30-8R-EP
QL24X32B-1PQ208I
QXP2J105KRP
Q4008DH3
Q2004E31V
Q48DW3R310NRFA
QDFB-100-001
Q7025R5
Q5008L4V
QS54FCT163THB
Q62703-Q3399
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    QTLP660CIR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
QTLP660CIR
FAC
2406+
20000
n/a
原装现货！随时可以看货！一片起卖！
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
QTLP660CIR
FAC
21+
11850
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
QTLP660CIR
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9886
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
QTLP660CIR
FAC
21+
11362
全新原装正品/质量有保证
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
QTLP660CIR
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9358
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多QTLP660CIR供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！