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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Q型号页 > 首字符Q的型号第96页 > QSL11
QSL11
晶体管
通用晶体管
（隔离的晶体管和二极管）
QSL11
一个2SB1710和RB461F独立的TSMT5包安置。
应用
DC / DC变换器
电机驱动器
外形尺寸
（单位：毫米）
QSL11
2.8
1.6
特点
1 ）创业：低V
CE
（SAT）
迪：低V
F
2 ）小型封装
ROHM ： TSMT5
0.16
(3)
(4)
为0.3 0.6
结构
硅外延平面晶体管
肖特基二极管
缩写符号： L11
等效电路
(5)
(4)
Di2
Tr1
(1)
(2)
(3)
包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
QSL11
TSMT5
L11
TR
3000
0-0.1
每根导线具有相同的尺寸
0.85
0.7
0.95 0.95
1.9
2.9
0.4
(2)
(1)
(5)
Rev.A的
1/4
QSL11
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
+
+
符号
范围
V
CBO
30
V
首席执行官
30
V
EBO
6
I
C
1
I
CP
2
Pc
0.9
Tj
150
TSTG
40
to
+125
单位
V
V
V
A
1
A
W /元
2
°C
°C
1
单脉冲， PW = 1毫秒
2
安装在25mm的25毫米
t
0.8毫米陶瓷基板
Di2
范围
参数
符号
V
RM
25
峰值反向电压
20
V
R
反向电压（DC）的
700
I
F
平均正向电流整流
3
I
FSM
正向电流浪涌峰值（ 60H
Z
, 1∞)
0.7
P
D
功耗
Tj
125
结温
TSTG
40
to
+125
储存温度范围
安装在25mm的25毫米
t
0.8毫米陶瓷基板
单位
V
V
mA
A
W /元
°C
°C
+
+
Tr1&Di2
参数
符号
P
D
范围
0.5
1.25
单位
W / TOTAL
W / TOTAL
总功耗
+
+
1
2
1
安装在一个推荐的焊盘的每个终端
2
安装在25mm的25毫米
t
0.8毫米陶瓷基板
电气特性
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
脉冲
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
30
30
6
270
典型值。
150
320
7
马克斯。
100
100
350
680
单位
V
V
V
nA
nA
mV
兆赫
pF
条件
I
C
= 10A
I
C
= -1mA
I
E
= 10A
V
CB
= 30V
V
EB
= 6V
I
C
= -500mA ，
I
B
= -25mA
V
CE
= 2V,
I
C
= -100mA
V
CE
= 2V,
I
E
=100mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
Di2
参数
符号
V
F
I
R
t
rr
分钟。
典型值。
450
9
马克斯。
490
200
单位
mV
A
ns
条件
I
F
=700mA
V
R
=20V
I
F
=I
R
= 100mA时我
rr
=0.1I
R
正向电压
反向电流
反向恢复时间
Rev.A的
2/4
QSL11
晶体管
电气特性曲线
Tr1
Ta=100°C
V
CE
= 2V
脉冲
盐基饱和电压： V
BE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
I
C
/I
B
=20/1
脉冲
TA
40°C
Ta=25°C
Ta=100°C
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1000
10
10
Ta=25°C
脉冲
直流电流增益：H
FE
Ta=25°C
TA
40°C
1
I
C
/I
B
=20/1
1
V
BE （ SAT ）
100
0.1
I
C
/I
B
=50/1
I
C
/I
B
=10/1
0.1
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
0.01
10
0.001
0.01
0.1
1
10
V
CE （ SAT ）
0.01
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.001
0.01
0.1
1
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益
与集电极电流
图2集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
与集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
1
跃迁频率：F
T
（兆赫）
V
CE
= 2V
脉冲
Ta=100°C
1000
集电极电流：我
C
(A)
Ta=25°C
V
CE
= 2V
f=100MHz
1000
TSTG
Ta=25°C
V
CE
= 5V
I
C
/I
B
=20/1
0.1
Ta=25°C
切换时间（纳秒）
100
tf
tr
Tdon
TA
40°C
100
0.01
10
0.001
0
0.5
1
1.5
10
0.01
0.1
发射极电流：我
E
(A)
1
1
0.01
0.1
集电极电流：我
C
(A)
1
基地发射极电流： V
BE
(V)
图4接地发射传播
特征
图5增益带宽积
与发射极电流
图6开关时间
发射极输入电容： CIB （PF ）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
100
兴业银行
COB
Ta
=
25°C
I
C
=
0A
f
=
1MHz
10
1
0.1
1
10
100
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图7集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
Rev.A的
3/4
QSL11
晶体管
Di2
10
1000m
100m
Ta=125°C
正向电流：我
F
(A)
1
C
5
°
反向电流：我
R
(A)
10m
1m
100
Ta=25°C
100m
Ta
=
2
5
Ta
10m
°
C
=
25
°
C
2
=
1
Ta
10
1
TA
25°C
1m
0.1m
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
正向电压： V
F
(V)
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
反向电压： V
R
(V)
图9正向特性
图10反向特性
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
QSL11
晶体管
通用晶体管
（隔离的晶体管和二极管）
QSL11
一个2SB1710和RB461F独立的TSMT5包安置。
应用
DC / DC变换器
电机驱动器
外形尺寸
（单位：毫米）
QSL11
2.8
1.6
特点
1 ）创业：低V
CE
（SAT）
迪：低V
F
2 ）小型封装
ROHM ： TSMT5
0.16
(3)
(4)
为0.3 0.6
结构
硅外延平面晶体管
肖特基二极管
缩写符号： L11
等效电路
(5)
(4)
Di2
Tr1
(1)
(2)
(3)
包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
QSL11
TSMT5
L11
TR
3000
0-0.1
每根导线具有相同的尺寸
0.85
0.7
0.95 0.95
1.9
2.9
0.4
(2)
(1)
(5)
Rev.A的
1/4
QSL11
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
+
+
符号
范围
V
CBO
30
V
首席执行官
30
V
EBO
6
I
C
1
I
CP
2
Pc
0.9
Tj
150
TSTG
40
to
+125
单位
V
V
V
A
1
A
W /元
2
°C
°C
1
单脉冲， PW = 1毫秒
2
安装在25mm的25毫米
t
0.8毫米陶瓷基板
Di2
范围
参数
符号
V
RM
25
峰值反向电压
20
V
R
反向电压（DC）的
700
I
F
平均正向电流整流
3
I
FSM
正向电流浪涌峰值（ 60H
Z
, 1∞)
0.7
P
D
功耗
Tj
125
结温
TSTG
40
to
+125
储存温度范围
安装在25mm的25毫米
t
0.8毫米陶瓷基板
单位
V
V
mA
A
W /元
°C
°C
+
+
Tr1&Di2
参数
符号
P
D
范围
0.5
1.25
单位
W / TOTAL
W / TOTAL
总功耗
+
+
1
2
1
安装在一个推荐的焊盘的每个终端
2
安装在25mm的25毫米
t
0.8毫米陶瓷基板
电气特性
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
脉冲
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
30
30
6
270
典型值。
150
320
7
马克斯。
100
100
350
680
单位
V
V
V
nA
nA
mV
兆赫
pF
条件
I
C
= 10A
I
C
= -1mA
I
E
= 10A
V
CB
= 30V
V
EB
= 6V
I
C
= -500mA ，
I
B
= -25mA
V
CE
= 2V,
I
C
= -100mA
V
CE
= 2V,
I
E
=100mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
Di2
参数
符号
V
F
I
R
t
rr
分钟。
典型值。
450
9
马克斯。
490
200
单位
mV
A
ns
条件
I
F
=700mA
V
R
=20V
I
F
=I
R
= 100mA时我
rr
=0.1I
R
正向电压
反向电流
反向恢复时间
Rev.A的
2/4
QSL11
晶体管
电气特性曲线
Tr1
Ta=100°C
V
CE
= 2V
脉冲
盐基饱和电压： V
BE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
I
C
/I
B
=20/1
脉冲
TA
40°C
Ta=25°C
Ta=100°C
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1000
10
10
Ta=25°C
脉冲
直流电流增益：H
FE
Ta=25°C
TA
40°C
1
I
C
/I
B
=20/1
1
V
BE （ SAT ）
100
0.1
I
C
/I
B
=50/1
I
C
/I
B
=10/1
0.1
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
0.01
10
0.001
0.01
0.1
1
10
V
CE （ SAT ）
0.01
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.001
0.01
0.1
1
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益
与集电极电流
图2集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
与集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
1
跃迁频率：F
T
（兆赫）
V
CE
= 2V
脉冲
Ta=100°C
1000
集电极电流：我
C
(A)
Ta=25°C
V
CE
= 2V
f=100MHz
1000
TSTG
Ta=25°C
V
CE
= 5V
I
C
/I
B
=20/1
0.1
Ta=25°C
切换时间（纳秒）
100
tf
tr
Tdon
TA
40°C
100
0.01
10
0.001
0
0.5
1
1.5
10
0.01
0.1
发射极电流：我
E
(A)
1
1
0.01
0.1
集电极电流：我
C
(A)
1
基地发射极电流： V
BE
(V)
图4接地发射传播
特征
图5增益带宽积
与发射极电流
图6开关时间
发射极输入电容： CIB （PF ）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
100
兴业银行
COB
Ta
=
25°C
I
C
=
0A
f
=
1MHz
10
1
0.1
1
10
100
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图7集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
Rev.A的
3/4
QSL11
晶体管
Di2
10
1000m
100m
Ta=125°C
正向电流：我
F
(A)
1
C
5
°
反向电流：我
R
(A)
10m
1m
100
Ta=25°C
100m
Ta
=
2
5
Ta
10m
°
C
=
25
°
C
2
=
1
Ta
10
1
TA
25°C
1m
0.1m
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
正向电压： V
F
(V)
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
反向电压： V
R
(V)
图9正向特性
图10反向特性
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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Q62702-D1271
QL4016-2CF100I
QM20-26RL-PR
Q62702-X160
Q65410-L80E
Q62702-D3437
QM40-26RL-SP
QDFM025-350
QS74FCT2191CTS1
Q62705-K332
QS74FCT4X245CTQ3X
QBH183
Q62703-Q2494
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    QSL11
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市海虹微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881443942 复制

电话：0755-83291010 83678410
联系人：赵小姐
地址：深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
QSL11
ROHM/罗姆
22+
33000
SMDDIP
百分百进口正品原装现货 支持实单！
深圳市易信优科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制

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