QSC112 ， QSC113 ， QSC114塑封硅红外光敏晶体管
2007年4月
QSC112 ， QSC113 ， QSC114
塑封硅红外光敏晶体管
特点
■
严密的生产分布
■
用于焊料提高可靠性钢引线框架
■
■
■
■
tm
描述
该QSC112 /一百十四分之一百十三是一个硅光敏晶体管encap-
sulated在红外透明，黑色T-1封装。
包装尺寸
MOUNTING
良好的光 - 机械对准
塑料封装的红外透明黑色
减弱可见光
可以用QECXXX LED使用
黑色的塑料机身可以方便地识别来自LED
包装尺寸
0.116 (2.95)
参考
表面
0.052 (1.32)
0.032 (0.082)
0.193 (4.90)
0.030 (0.76)
喃
0.800 (20.3)
民
0.050 (1.27)
辐射源
0.100 (2.54)
喃
概要
集热器
0.155 (3.94)
0.018 (0.46)
SQ 。 （2X）
注意事项：
1.所有尺寸的图纸为英寸（毫米） 。
2.公差为± 0.10 （ 0.25 ）对所有非标称尺寸
除非另有规定ED 。
辐射源
2005仙童半导体公司
QSC112 ， QSC113 ， QSC114版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
QSC112 ， QSC113 ， QSC114塑封硅红外光敏晶体管
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
V
CE
V
EC
P
D
参数
工作温度
储存温度
焊接温度（铁）
(2,3,4)
焊接温度
（流）
(2,3)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
功耗
(1)
等级
-40至+100
-40至+100
240 ，持续5秒
260 ，持续10秒
30
5
100
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
mW
注意事项：
1.减免功耗线性1.33毫瓦/°C， 25°C以上。
2. RMA助焊剂，推荐。
3.甲醇或异丙醇的醇被推荐作为清洗剂。
4.烙铁16"分之1 （ 1.6毫米）从最低住房。
电/光特性
(T
A
=25°C)
符号参数
λ
PS
Θ
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C（ ON）
峰值灵敏度波长
接收角
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿
发射极 - 集电极击穿
通态集电极电流QSC112
通态集电极电流QSC113
通态集电极电流QSC114
V
CE （ SAT ）
t
r
t
f
饱和电压
上升时间
下降时间
ee值= 0.5毫瓦/平方厘米
2
, I
C
- 0.5毫安
(5)
V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
, I
C
= 2毫安
5.0
5.0
V
CE
= 10 V ， EE = 0
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
ee值= 0.5毫瓦/平方厘米
2
, V
CE
= 5 V
(5)
30
5
1
2.40
4.00
0.4
V
s
4
9.60
测试条件
分钟。
典型值。
880
±4
MAX 。单位
nm
°
100
nA
V
V
mA
注意：
5.
λ
= 880纳米，铝镓砷。
2005仙童半导体公司
QSC112 ， QSC113 ， QSC114版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
2
QSC112 ， QSC113 ， QSC114塑封硅红外光敏晶体管
典型性能曲线
图1.光电流与辐射强度
10
2
V
CE
= 5V
砷化镓光源
图2.角响应曲线
110°
100°
90°
80°
70°
60°
50°
40°
30°
20°
10°
0°
1.0
I
C（ ON）
- 光电流（mA ）
120°
130°
10
1
140°
150°
160°
170°
180°
1.0
10
-1
0.1
10
0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
E
e
- 辐射强度（毫瓦/平方厘米
2
)
1
图3.暗电流和集电极 - 发射极电压
10
1
10
1
图4.光电流与集电极 - 发射极电压
即=为1mW /厘米
2
I
首席执行官
- 暗电流（ nA的）
10
0
I
L
- 归光电流
IE = 0.5MW /厘米
2
10
0
IE = 0.2MW /厘米
2
IE = 0.1MW /厘米
2
10
-1
10
-1
标准化为：
V
CE
= 5V
IE = 0.5MW /厘米
2
T
A
= 25
o
C
10
-2
10
-2
10
-3
0
5
10
15
20
25
30
0.1
1
10
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
图5.暗电流与环境温度
10
4
标准化为：
V
CE
= 25V
I
首席执行官
- 归一化暗电流
10
3
T
A
= 25 C
o
V
CE
= 25V
V
CE
= 10V
10
2
10
1
10
0
10
-1
25
50
75
100
o
T
A
- 环境温度（ ℃）
2005仙童半导体公司
QSC112 ， QSC113 ， QSC114版本1.0.2
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3
QSC112 ， QSC113 ， QSC114塑封硅红外光敏晶体管
商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，并且不旨在是一个
所有这些商标的详尽列表。
ACEX
一刀切。周围的世界。
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
CTL
电流传输逻辑
DOME
2
CMOS
EcoSPARK
Ensigna
FACT静音系列
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
MICROCOUPLER
采用MicroPak
MICROWIRE
运动-SPM
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
PDP- SPM
POP
Power220
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
电源-SPM
的PowerTrench
可编程有源下垂
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
ScalarPump
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT
-3
SuperSOT
-6
SuperSOT
-8
SyncFET
中医
电源特许经营
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyLogic
TINYOPTO
TinyPower
TinyWire
TruTranslation
SerDes
UHC
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此处为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担OUT的任何责任
应用程序或使用本文所描述的任何产品或电路;它也没有传达任何根据牌照
ITS专利权，也没有他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的条款
全球条款和条件，特别是THEREIN保证，其中包括这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内或
（二）支持或维持生命，和（c） ，其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
导致用户的显著伤害。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
初步
产品状态
阶段或设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范的产品
发展。特定网络阳离子可以以任何方式更改，恕不另行通知。
该数据表包含的初步数据;补充数据将
在稍后的日期出版。仙童半导体公司保留权利
在任何时间更改，恕不另行通知，以改进设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
保留在任何时间更改，恕不另行通知，以提高正确
设计。
该数据表包含在产品规范阳离子已
飞兆半导体停产。该数据表的打印
唯一的参考信息。
修订版I26
2.在生命支持任何组件的一个关键组成部分，
设备或系统，其故障执行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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QSC112 ， QSC113 ， QSC114版本1.0.2
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4
QSC112 ， QSC113 ， QSC114塑封硅红外光敏晶体管
2006年10月
QSC112 ， QSC113 ， QSC114
塑封硅红外光敏晶体管
特点
■
严密的生产分布
■
用于焊料提高可靠性钢引线框架
■
■
■
■
描述
该QSC112 /一百十四分之一百十三是一个硅光敏晶体管encap-
sulated在红外透明，黑色T-1封装。
包装尺寸
MOUNTING
良好的光 - 机械对准
塑料封装的红外透明黑色
减弱可见光
可以用QECXXX LED使用
黑色的塑料机身可以方便地识别来自LED
包装尺寸
0.116 (2.95)
参考
表面
0.052 (1.32)
0.032 (0.082)
0.193 (4.90)
0.030 (0.76)
喃
0.800 (20.3)
民
0.050 (1.27)
辐射源
0.100 (2.54)
喃
概要
集热器
0.155 (3.94)
0.018 (0.46)
SQ 。 （2X）
注意事项：
1.所有尺寸的图纸为英寸（毫米） 。
2.公差为± 0.10 （ 0.25 ）对所有非标称尺寸
除非另有规定ED 。
辐射源
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
QSC112 ， QSC113 ， QSC114版本1.0.1
QSC112 ， QSC113 ， QSC114塑封硅红外光敏晶体管
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
V
CE
V
EC
P
D
参数
工作温度
储存温度
焊接温度（铁）
(2,3,4)
焊接温度
（流）
(2,3)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
功耗
(1)
等级
-40至+100
-40至+100
240 ，持续5秒
260 ，持续10秒
30
5
100
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
mW
注意事项：
1.减免功耗线性1.33毫瓦/°C， 25°C以上。
2. RMA助焊剂，推荐。
3.甲醇或异丙醇的醇被推荐作为清洗剂。
4.烙铁16"分之1 （ 1.6毫米）从最低住房。
电/光特性
(T
A
=25°C)
符号参数
λ
PS
Θ
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C（ ON）
峰值灵敏度波长
接收角
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿
发射极 - 集电极击穿
通态集电极电流QSC112
通态集电极电流QSC113
通态集电极电流QSC114
V
CE （ SAT ）
t
r
t
f
饱和电压
上升时间
下降时间
ee值= 0.5毫瓦/平方厘米
2
, I
C
- 0.5毫安
(5)
V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
, I
C
= 2毫安
5.0
5.0
V
CE
= 10 V ， EE = 0
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
ee值= 0.5毫瓦/平方厘米
2
, V
CE
= 5 V
(5)
30
5
1
2.40
4.00
0.4
V
s
4
9.60
测试条件
分钟。
典型值。
880
±8
MAX 。单位
nm
°
100
nA
V
V
mA
注意：
5.
λ
= 880纳米，铝镓砷。
2
QSC112 ， QSC113 ， QSC114版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
QSC112 ， QSC113 ， QSC114塑封硅红外光敏晶体管
典型性能曲线
图1.光电流与辐射强度
10
2
V
CE
= 5V
砷化镓光源
图2.角响应曲线
110°
100°
90°
80°
70°
60°
50°
40°
30°
20°
10°
0°
1.0
I
C（ ON）
- 光电流（mA ）
120°
130°
10
1
140°
150°
160°
170°
180°
1.0
10
-1
0.1
10
0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
E
e
- 辐射强度（毫瓦/平方厘米
2
)
1
图3.暗电流和集电极 - 发射极电压
10
1
10
1
图4.光电流与集电极 - 发射极电压
即=为1mW /厘米
2
I
首席执行官
- 暗电流（ nA的）
10
0
I
L
- 归光电流
IE = 0.5MW /厘米
2
10
0
IE = 0.2MW /厘米
2
IE = 0.1MW /厘米
2
10
-1
10
-1
标准化为：
V
CE
= 5V
IE = 0.5MW /厘米
2
T
A
= 25
o
C
10
-2
10
-2
10
-3
0
5
10
15
20
25
30
0.1
1
10
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
图5.暗电流与环境温度
10
4
标准化为：
V
CE
= 25V
I
首席执行官
- 归一化暗电流
10
3
T
A
= 25 C
o
V
CE
= 25V
V
CE
= 10V
10
2
10
1
10
0
10
-1
25
50
75
100
o
T
A
- 环境温度（ ℃）
3
QSC112 ， QSC113 ， QSC114版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
QSC112 ， QSC113 ， QSC114塑封硅红外光敏晶体管
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此处为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担OUT的任何责任
应用程序或使用本文所描述的任何产品或电路;它也没有传达任何根据牌照
ITS专利权，也没有他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的条款
全球条款和条件，特别是THEREIN保证，其中包括这些产品。
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
的UniFET
UltraFET
VCX
电线
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或
维持生命，或（c ）其不履行时的正确使用
按照标示中提供的使用说明，可以
合理预期会导致显著的伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件或
系统，其不履行可以合理预期
造成生命支持设备或系统的故障，或影响其
安全性和有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知随时更改，以提高
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I20
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
4
QSC112 ， QSC113 ， QSC114版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
塑封硅红外
PHOTOTRANSISTOR
QSC112
包装尺寸
0.116 (2.95)
参考
表面
0.052 (1.32)
0.032 (0.082)
0.193 (4.90)
QSC113
QSC114
0.030 (0.76)
喃
0.800 (20.3)
民
0.050 (1.27)
辐射源
0.100 (2.54)
喃
概要
集热器
0.155 (3.94)
0.018 (0.46)
SQ 。 （2X）
注意事项：
1，外形尺寸为所有的图纸都是以英寸（毫米） 。
在所有非标称尺寸2.公差± 0.010 （ 0.25 ）
除非另有规定ED 。
辐射源
描述
该QSC112 /一百十四分之一百十三是一个硅光敏晶体管封装在红外透明的，黑色的T-1包。
特点
严格的生产布局。
在焊接安装更高的可靠性钢引线框架。
良好的光 - 机械对准。
塑料包装的红外透明的黑色衰减可见光。
机械和光谱匹配到QECXXX的LED。
黑色塑料机身可以轻松地识别来自LED 。
2001年仙童半导体公司
DS300358
7/09/01
1 4
www.fairchildsemi.com
塑封硅红外
PHOTOTRANSISTOR
QSC112
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
焊接温度（铁）
(2,3,4)
焊接温度（流动）
(2,3)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
功耗
(1)
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
V
CE
V
EC
P
D
等级
-40至+100
-40至+100
240 ，持续5秒
260 ，持续10秒
30
5
100
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
mW
QSC113
QSC114
1.减免功耗线性1.33毫瓦/°C， 25°C以上。
2. RMA助焊剂，推荐。
3.甲醇或异丙醇的醇被推荐作为清洗剂。
4.烙铁
1/16”
（ 1.6毫米）从最低住房。
5.
!
= 880纳米，铝镓砷。
电/光特性
参数
测试条件
(T
A
= 25°C)
符号
民
典型值
最大
单位
峰值灵敏度波长
接收角
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿
发射极 - 集电极击穿
在国家对国家收集QSC112
在国家对国家收集QSC113
在国家对国家收集QSC114
饱和电压
上升时间
下降时间
V
CE
= 10 V ， EE = 0
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
ee值= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
(5)
ee值= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
I
C
- 0.5毫安
(5)
V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
#
I
C
= 2毫安
!
PS
＆ QUOT ;
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C（ ON）
—
—
—
30
5
1
2.40
4.00
—
—
—
880
±8
—
—
—
—
—
—
—
5.0
5.0
—
—
100
—
—
4
9.60
—
0.4
—
—
nm
度。
nA
V
V
mA
V
CE （ SAT ）
t
r
t
f
V
s
www.fairchildsemi.com
2 4
7/09/01
DS300358
塑封硅红外
PHOTOTRANSISTOR
QSC112
QSC113
QSC114
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知的权利
以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担
因任何产品或电路的应用或使用任何责任DESCRIBED
此处;它也没有传达任何许可根据其专利权，也没有权利
其他人。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可， FAIRCHILD总统
半导体公司版权所有。如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
其中， （ a）打算通过外科手术系统
植入到体内，或（b ）支持或维持生命，
（三）未能履行其在正确
用于按照提供的使用说明
在标签，可以合理预期导致
显著伤害用户。
在生命支持任何组件2.关键部件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
有效性。
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7/09/01
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